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光收发芯片
光收发芯片是光收发模块中的集成电路,并不包括激光芯片,是指光纤宽带网络物理层的主要基础芯片,包括跨阻放大器、限幅放大器、激光驱动器三种。它们被用于光纤传输的前端,来实现高速传输信号的光电、电光转换,这些功能被集成在光纤收发模块中。
东南大学 2021-04-11
芯片研发技术
围绕自主通用处理器,研发操作系统及其之上的核心 API 软件,支撑国家信息化建设,并致力于构建区别于 Wintel 和 AA 之外的世界第三套信息化生态体系 。
中国科学技术大学 2021-04-14
SFP+芯片
产品详细介绍   概述:   1.0625Gbps至4.25Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅   放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP110)   EP110为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器,设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电,这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制,该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP110集成一个微处理器,可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求,可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制),无需外部微处理器和外部元件。   EP110采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。   1.0625Gbps至10.32Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅   放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP112)   EP112为高度集成的限幅放大器和VCSEL驱动器,设计用于数据传输速率高达8.5Gbps的1x/2x/4x/8x光纤通道传输系统以及10.3125Gbps数据传输速率的10GBASE-SR传输系统。器件采用+3.3V单电源供电,这款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的高集成单芯片。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制,该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP112集成一个微处理器,可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求,可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、眼图交叉点调制),无需外部微处理器和外部元件。   EP112采用无铅、5mm*5mm、40引脚QFN封装。   1.0625Gbps至14Gbps单芯片集成的低功耗SFP+多速率限幅   放大器和VCSEL驱动器高速光收发芯片(EP116)   EP116是一款低功耗、集成限幅放大器、VCSEL驱动器和微控制器三合一的16G SFP+高集成高速光收发芯片,工作在高达14Gbps的数据速率、非常适合以太网和光纤通道应用。在EP116的发射和接收路径上集成了CDR功能,解决了大多数高速系统存在的信号失真问题。平均光功率由平均功率控制环路(APC)控制,该控制环路通过连接至VCSEL驱动器的3线数字接口控制、所有差分I/O为50欧姆传输线PCB设计提供最佳的背板短接。EP116集成一个微处理器,可以实现SFF8472协议的数字监控接口要求,可通过固件实现高级Rx设置(模式选择、LOS门限、LOS极性、CML输出电平、信号通道极性、去加重)和Tx设置(调制电流、偏置电流、极性、可编程去加重、眼图交叉点调制),无需外部微处理器和外部元件。   EP116采用无铅、6mm*6mm、48引脚QFN封装。   特点:   3.3供电时,功耗仅为500mW   工作速率高达10.32Gbps   10.32Gbps下,具有5mVp-p接收灵敏度   Rx和Tx极性选择   可调节触发LOS报警电平   LOS极性选择   能够向100欧姆差分负载提供高达12mA的调制电流   偏置电流高达19mA   Rx输出可选择去加重   支持SPI EEPROM和IIC EEPROM   可调节调制输出的眼图交叉点   工作温度: -40度 到 90度
武汉芯光云信息技术有限责任公司 2021-08-23
CCD及CMOS的紫外响应增强膜
紫外探测技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。几十年来,紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域,对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面,国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件。先进光谱仪器是集光、机、电和计算机于一体,技术密集的高科技产品。它是现代科技必不可少的精密检测和分析手段,是现代天文学、航空航天、分子生物学、现代医学、环境和生态等新科技建立和发展的基础。国家对发展先进光谱仪器和研制光谱仪器用的探测器件非常重视,“十一五”国家科技支撑计划专门设立了科学仪器设备研制与开发专项“先进大型光谱仪器的关键部件——高分辨分光器件和探测器件的研制”,技术人有幸成为承担该课题的主要研究人员,负责高分辨探测器件的研制工作。 硅基成像器件如CCD和CMOS是最广泛应用的光电探测器,而且先进的光谱仪器都采用了CCD或CMOS作为探测器件,这是因为CCD和CMOS具有灵敏度高、低噪声等优点。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小(<2nm),一般的硅基成像器件如CCD、CMOS等都在紫外波段响应很弱,这种很弱的紫外响应限制了硅基成像器件在先进光谱仪器及其他紫外波段探测方面的使用。 因此,本技术的研究成果硅基成像器件的紫外响应增强薄膜是经济建设和社会发展迫切需要。 增强硅基成像器件的紫外响应,目前有两种方法:一是改变硅基探测器的结构,如背照式CCD;另外一种是在现有的成像器件光敏窗口加镀一层下变频膜,把紫外光先转化为可见光,然后再接收。国外自1980年起就开始增强硅基探测器紫外响应的下变频薄膜研究,按使用材料的属性,可以把变频膜分为有机变频膜和无机变频膜两种。有机变频膜技术相对成熟,也有相关的专利出现。哈勃太空望远镜CCD、星球相机(WFPC)CCD和Photometrics等公司提供的响应波段延伸到紫外的CCD都是镀的有机变频膜。目前紫外增强有机变频膜可使普通CCD的响应波段延伸到200nm,Roper Scientific公司开发的Metachrome II薄膜在120-430nm波段都具有良好的下变频效果。有机变频膜技术尽管成熟,但该类薄膜有着致命的缺点,那就是有机物分子在紫外辐射下降解速度很快。在照明度为1μW/cm2的光照下,有机分子以高达每小时3%的速率成指数降解。在这一方面,而无机变频膜具有不可比拟的优点。无机变频膜材料可以在它使用期限的前2%时间里,减少90%的降解量,因此,无机变频膜具有非常优越的稳定性。在无机变频膜方面,国外研究也刚起步,最早的报道见于2003年[1],目前尚无成熟的增强硅基成像器件的紫外无机变频膜技术。国内在有机和无机变频膜方面,都没有已见报道的研究工作。  为了提高探测器对紫外辐射的敏感性,我们采取了在硅基成像器件光敏窗口上镀变频膜的办法,成功地使CCD及CMOS的响应波段拓展到150nm。该产品可广泛应用在光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域,对推动国家的科研和产业在这些领域的发展有极大帮助。
上海理工大学 2021-04-11
光栅平场光谱仪-1(可配CCD)
产品详细介绍主要技术指标 1.光路程式: 不对称Czerney--Turner装架,平面闪耀光栅(1200g/mm)多色仪 2.准直物镜和成像物镜的焦距:200mm 3.光谱范围:200—700nm 4.进口狭缝宽度:0.15—2.5mm,分档可调换 5.成像光谱平面配接CCD的接口尺寸:φ=50mm 6.工作方式:单波段、二波段或多波段 注:  可根据用户对光谱带宽的要求和所选的CCD而设计制作  E-mail: zhu123@suda.edu.cn  电话:13862069677 技术负责人:朱先生
苏州大学信息光学工程研究所 2021-08-23
蓝牙CCD定位仪 ML-9010-BT
深圳市米勒沙容达汽车科技有限公司 2021-10-28
高性能非制冷红外探测器芯片
        技术成熟度:技术突破         研发团队以设计制备宽光谱超材料吸收器和像元级集成红外探测器为研究主线,在超薄宽带高吸收原理与策略、材料/器件设计与制备方面取得了突破性进展。围绕器件吸收率低、噪声等效温差(NETD)大、集成兼容性差的难题,提出了无损与损耗型介质结合、多模谐振耦合光吸收的思路,获得超薄宽带高吸收率材料;提出将超薄宽带高吸收率材料与非制冷红外探测器像元级集成新思路,获得了宽谱、NETD小、多色探测的非制冷红外探测器,NETD降低3倍,研究成果已在中国兵器北方夜视广微科技应用转化。         意向开展成果转化的前提条件:中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学 2025-05-16
人体器官芯片
成果介绍人体器官芯片的成功研发将有力推动我国生物医疗用芯片制造技术的发展,建立全新的生命科学实验方法;能够有效减少新药研发等对动物和临床实验的依赖,加速新药研发的流程并减少研发投入技术创新点及参数微缩人工器官,以实现对人体器官功能的模拟。器官芯片高内涵装置的设计和制造,开发了标准芯片系统及器官特异性生物材料市场前景疾病模型,药物评估,个性化医疗。
东南大学 2021-04-13
智能开关芯片
GaN系列材料具有低的热产生率和高击穿电场,是制作大功率电子器件的重要材料。利用GaN材料制造的功率管拥有承受大电流、耐高压、抗辐射,耐高温而且开关速度快的特点,非常适用于高功率微波器件。随着5G毫米波通信、工业4.0和新一代雷达的发展,这种功率微波器件将会得到更广泛的应用。但是,对于这种半导体器件的负载开关驱动提出了非常高的要求。要求负载开关驱动封装尺寸小,便于大阵列集成。并且对可靠行的要求也极高。智能功率集成电路(Smart Power Inte
南京大学 2021-04-14
高性能专用芯片
交流伺服系统是跨行业、量大面广、节能效果显著的节能机电产品,几乎渗透到所有用机电领域,是工业、农业和国防建设及人民生活、正常生产和安全工作的重要保证。
南京大学 2021-04-14
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