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半焦负载型催化剂制备及其在CO2光催化合成甲醇过程的应用
本项目以陕西榆林及内蒙地区生产的半焦焦粉为原料，通过高温催化处理以实现半焦焦粉的有序化、多孔化和功能化改性；进而将改性半焦焦粉作为催化剂应用在 CO 2 光催化反应过程中。本项目通过考察改性半焦对 CO 2 光催化转化产物组成和产率的影响，揭示不同温度、不同催化剂对半焦结构的调控规律及作用机制；进而揭示改性半焦作为催化剂在 CO 2 光催化转化过程中的作用机理及转化机制，以期探寻半焦焦粉应用的新途径及 CO 2 转化的新技术。
西安科技大学
2021-04-11
郑州大学在利用超临界CO2制备室温铁磁性材料方面获得新进展
磁性表征实验显示，相较于传统的制备方法，如氢气还原和机械研磨等处理方式，SC CO2处理所制得的BaTiO3材料展示出了更加优越的室温铁磁性。
郑州大学
2022-06-08
高值资源化利用钢渣和工业尾气CO2制备绿色低碳建筑材料的技术
钢渣是钢铁生产过程的副产品，目前全国钢渣累积堆存近10亿吨，综合利用率仅为10%，大部分钢渣处于堆存和填埋状态，占用大量耕地，污染环境。本技术采用特殊反应工艺，利用温室气体CO2及化学外加剂激发钢渣，形成以CaCO3为主要组分的碳酸盐基胶凝材料，用于制备低碳建材制品(如建筑砌块、砖块、透水混凝土、保温、隔音制品等)。该材料具有低碳、耐火、耐久、能消纳大量固体废弃物的优点，可广泛应用于制造系列建筑结构或功能材料。申报人自主设计并组装了相关试验和中试装置，研究
南京工业大学
2021-01-12
外腔面发射激光器激光原理与技术综合实验平台 COC-JGJS
实验内容
1、理解激光产生的基本原理及外腔面发射激光器的工作原理；
2、掌握谐振腔的设计及基本调节方法，熟悉激光器主要性能参数的测试；
3、理解非线性频率变换的基本原理，认识相位匹配的概念和种类；
4、掌握腔内倍频激光器调节的要领，研究影响倍频转换效率的主要因素；
5、理解激光波长调谐的原理，了解主要调谐方式，学会标准具调谐方法的使用；
6、了解激光调 Q 的基本原理及主要手段，了解被动调 Q 激光器的使用调节方法；
7、了解激光锁模的基本原理及方法，了解 SESAM 被动锁模激光器的调节要点。
成都华芯众合电子科技有限公司
2022-06-18
在片上微纳激光器精确集成领域的研究
北京大学“极端光学创新研究团队”发展了一种高精度的暗场光学成像定位技术(位置不确定度仅21 nm)，并结合电子束套刻工艺，实现了片上量子点微盘激光器与银纳米线表面等离激元波导的精确、并行、无损集成。这种微盘-银纳米线复合结构同时具有介质激光器与表面等离激元波导的优势，因此不仅具有介质激光器的低阈值与窄线宽特性，而且具有表面等离激元波导的深亚波长场束缚特性。基于这种灵活、可控的制备方法，他们实现了片上微盘激光器与表面等离激元波导间多种形式的精确可控集成，包括切向集成、径向集成以及复杂集成，并且对量子点无任何加工损伤；进一步，通过同时集成多个片上微盘激光器与多个银纳米线表面等离激元波导，他们获得了多模、单色单模以及双色单模的深亚波长(0.008λ2)相干输出光源。这些高性能的深亚波长相干输出光源可以容易地耦合并分配至其它深亚波长表面等离激元光子器件和回路中。因此，这种灵活、可控的精确集成方法在高集成密度的光子-表面等离激元复合光子回路中具有重要应用，并且这种方法可以拓展到其它材料和其它功能的微纳光子器件集成中，为未来光子芯片的实现提供了一种可行的解决方案。 该工作于2018年5月发表在Advanced Materials上(Advanced Materials 2018, 30, 1706546)，并以卷首插画(Frontispiece)的形式予以重点报道。文章的第一作者为北京大学物理学院博士研究生容科秀，陈建军研究员为通讯作者。该研究工作得到了国家自然科学基金委、科技部、人工微结构和介观物理国家重点实验室、量子物质科学协同创新中心和极端光学协同创新中心等的支持。 图1. 片上胶体量子点微盘激光器与银纳米线表面等离激元波导的精确、并行、无损集成。
北京大学
2021-04-11
大功率半导体激光器外延与芯片制备
成果简介本项目在国家973计划、863计划等研究成果基础上，跟踪国际趋势，形成9**nm 大功率单发光条半导体激光器，输出功率大于12W，寿命1万小时。主要优势：（1 ）填补国内空白。（2 ）易于光纤耦合。（3 ）多种波长可选。应用简介所处研发阶段：中试阶段适合应用领域：直接光加工、
北京工业大学
2021-04-14
一种双波长可调谐半导体激光器
本发明公开了一种双波长可调谐半导体激光器，该激光器包括 有源区、相位区和光栅区；从下往上依次附着有第一缓冲层、有源层 和第一覆盖层，第一缓冲层、有源层和第一覆盖层构成了有源区；从 下往上依次附着有第二缓冲层、波导层和第二覆盖层，第二缓冲层、 波导层和第二覆盖层构成了相位区；从下往上依次附着有第三缓冲层、 光栅层和第三覆盖层，第三缓冲层、光栅层和第三覆盖层构成了相位 区；在第一覆盖层的上表面设有第一电极，在第二覆盖层的
华中科技大学
2021-04-14
面向5G前传的高速半导体激光器
5G新基建是国家的重要发展战略，宽温高可靠的25Gb/s DFB(分布反馈)激光器芯片是5G光传输核心光芯片，也是当前5G建设的卡脖子问题之一。自主可控的5G光模块DFB激光器芯片对解决光通信“空芯化”问题，推进“中国芯”国家重大战略实施，保障我国通信基础设施安全具有重要的经济和社会效益。因DFB激光器的微分增益随温度上升迅速下降，常规的DFB激光器面临严重的高温高带宽瓶颈。面对5G应用要求的-40~85℃的宽温应用场景，常规DFB激光器芯片往往是超频运行，严重影响可靠性。因此，研制全国产宽温25Gb/s DFB激光器芯片，同时兼顾低成本高可靠需求对推进“中国芯”国家重大战略实施具有重要意义。
本成果创新性地提出一种沟中沟脊波导DFB激光器结构，相比较常规DFB激光器，在脊两侧对称的刻蚀两个沟槽。此结构可抑制注入载流子的横向扩散，提高对光场的束缚，提高芯片带宽，满足芯片高速工作需要。芯片的高温输出光功率大于10mW，单模抑制比大于40dB，实测宽温25Gb/s眼图及误码率均达到商用需求。同时，相比较常规芯片，其制作过程只需多加一步简单的刻蚀，无需二次外延，成本低，做了2000小时的老化试验，其功率变化小于0.5%，具有高可靠性。
图1（a）常规DFB激光器芯片截面图（b）新型沟中沟脊波导DFB激光器芯片截面图（c）新型沟中沟脊波导DFB激光器芯片概图（d）（e）（f）分别为常规芯片、沟脊距为2μm、沟脊距为6μm SEM图
图2（a）（b）（c）25℃、55℃和85℃下不同沟脊距与常规芯片响应曲线对比（d）25℃、55℃和85℃下不同沟脊距与常规芯片响应带宽对比，带宽可提高3GHz 25℃和3.7GHz 85℃下芯片25Gb/s眼图（g）25℃、55℃和85℃下芯片背靠背传输及10km传输误码率曲线
图3（a）（b）25℃和85℃下常规芯片与沟中沟脊芯片2000小时老化实验结果，功率变化小于0.5%
华中科技大学
2022-10-11
一种高功率光纤激光器包层光滤除装置
本发明公开了一种高功率光纤激光器包层光滤除装置，该装置 包括一段或多段双包层光纤，其中此双包层光纤沿激光输出方向按剥 除面积由小到大而间隔地对保护层和外包层进行部分剥除，使内包层 裸露出来，将滤光材料涂在裸露内包层上，并且将上述滤光装置固定 在散热金属材料及水冷板上。本发明对光纤结构破坏较小，滤光均匀， 避免了非均匀滤除时，某些滤除点温度过高的现象，提高了系统的稳 定性。
华中科技大学
2021-04-14
50G 波特率 DFB 半导体激光器
项目背景：DFB 半导体激光器是光通信领域中最为重要 的器件之一，目前已经有工业级温度（-40°C-85°C）25G 波特率 DFB 大规模量产。但是，从 2000 年至今，DFB 激光器 的 3dB 带宽在全世界范围内几乎没有明显提高，传统的基于 载流子和光子响应的 DFB 激光器在传统的制造工艺下已经趋 近其速率的物理极限，需要用新的物理本质来实现更高速率 的器件，从而进一步提升 DFB 芯片的调制速率和整个光通信 应用的传输速率。本项目研发的 50G 波特率 DFB 半导体激光 器将达到国际领先水平，填补国内空白，打破国外垄断本项 目的实施，应对美国对中国高端材料和芯片的禁售风险。该 产品可在光通信系统中应用广泛，可以承担接入网、数据中 心网络、无线网络、传输网络等多个方面的主力传输工作。
所需技术需求简要描述：本项目期望突破当前 DFB 调制 速率的瓶颈，在目前大规模量产的 25G 波特率 DFB 的基础上， 将速度翻一番，到达 50G 波特率。（1） 两个背靠背 DFB 激 光器产生的光子-光子谐振效应（PPR）研究。（2） 背靠背 DFB 激光器的高速陶瓷载体设计。（3） 50G 波特率 DFB 芯片 和高速陶瓷载体的测试
对技术提供方的要求:1．光电子器件设计领域国际知名 专家，熟悉 50G 波特率 DFB 激光器基本设计。2．完善的 DFB 器件基础知识和模拟能力。3．国内 985 高校教授，技术方案成熟可靠稳定有创新思维，不涉及知识产权侵犯。
青岛海信宽带多媒体技术有限公司
2021-09-13