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高性能W-Cu、Mo-Cu合金
北京科技大学材料科学与工程学院研究开发的高性能W-Cu、Mo-Cu合金是一类采用新工艺制备的金属功能材料。自1996年以来，本项目得到了国家自然科学基金、国防预研基金等大力支持与资助，历时6年完成。采用先进的活化工艺对原材料粉末进行处理，再采用特殊的固结手段，制备出的W-Cu、Mo-Cu合金性能达到了国际先进水平。它兼有钨（或钼）与铜的综合性能，例如高的导热性、优异的高温强度、良好的抗震性、抗烧蚀、抗高温气体腐蚀性、以及可调节的热膨胀系数等。W-Cu合金的密度为16.36g/cm3，热膨胀系数为7.2×10-6/℃，热导率为182Wm-1K-1，弹性模量为274.6GPa，全部达到或超过了进口件的性能，已用于我国国防和电子和民用工业部门。 由于W-Cu、Mo-Cu合金具有其它材料所不具备的优异性能，因此可以在众多的领域得到广泛的应用。例如在电子通讯领域可以用于散热与热沉材料、电子封装材料，在工业电气领域可以用于真空触头，在航空航天领域可用于尾部喷管喉衬、燃气舵，在地质勘探与石油领域可用于岩石破碎弹的药型罩等。
北京科技大学
2021-04-11
一种纳米晶Cu2O薄膜的制备方法
“一种化学浴沉积择优取向生长的纳米晶Cu2O薄膜的制备方法”属于半导体领域。现有方法一般对设备要求较高，需要比较复杂的程序，而最终难以控制成本，这会严重影响Cu2O薄膜的应用范围。本发明提供的纳米晶Cu2O薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：分别按照硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度比范围为12∶8～12∶36，硫酸铜与抗坏血酸钠的摩尔范围为1∶3～5∶6，将抗坏血酸钠、柠檬酸三钠溶液依次加入硫酸铜溶液中，使充分络合；调节溶液pH值至7.0～10.0；置于50°C～95°C水浴温度中反应1.0h～3.
安徽建筑大学
2021-01-12
用于同时检测CU2+ Ｐb2+ Cd2+的阵列式薄膜传感器及其制备方法
本发明涉及用于同时检测Cu2+,Pb2+,Cd2+的阵列式薄膜传感器及基制备方法,以p型或n型Si片作基底,在基底上依次为SiO2层,对Cu2+,Pb2+,Cd2+敏感的三种薄膜;该薄膜传感器是通过激光脉冲沉积技术在SiO2表面上制备三种敏感薄膜,采用激光沉积技术把三个敏感材料分别制备在SiO2表面上,最后形成三种阵列式薄膜传感器.它对溶液中的Cu2+,Pb2+,Cd2+具有选择性,能检测出Cu2+,Pb2+,Cd2+的含量.本发明可在江河湖泊,生物医学领域(如血液,体液),工业废水,中药,蔬菜,水果,茶叶等领域中对Cu2+,Pb2+,Cd2+同时进行定性和定量检测.
东北电力大学
2021-04-30
网格状CuxS/Cu2o0,x=1.75~2复合类金字塔薄膜的制备方法
一种网格状CuxS/Cu2O，x＝1.75～2复合类金字塔薄膜的制备方法，具体作法是：将方块面电阻为10-14欧的FTO，依次用HCl溶液、洗衣粉溶液、异丙醇溶剂超声洗净，晾干；取含CuSO4和乳酸的混合溶液，以FTO为工作电极，铂片为对电极，采用电压法沉积；沉积后取出FTO，清洗烘干得Cu2O类金字塔薄膜的FTO；再将其放入Na2S溶液中处理，清洗烘干即在FTO上得网格状CuxS/Cu2O复合类金字塔薄膜。该方法设备简单，能耗低，适合大规模生产；制得物对太阳光吸收波长范围宽，作为太阳能电池材料具有应用前景；可作为模版和反应介质直接合成其它具有窄禁带宽度的类金字塔形化合物，作为太阳能电池材料。
西南交通大学
2016-10-20
均匀硫化亚铜（Cu2S）纳米球及其可放大生产技术
均匀硫化亚铜（Cu2S）纳米球及其可放大生产技术 项目简介 硫化亚铜（Cu2S）是一种直接窄带隙半导体（Eg = 1.21 eV）材料。由于这一合适的 带隙宽度以及其元素构成无毒无污染、地球含量丰富，Cu2S 广泛应用于光伏太阳能电池、 光电转化领域。已报道的研究证明，Cu2S 与 CdS 组建的复合纳米材料展现出高达 5.4%的 太阳能转化效率，可望运用于太阳能光伏行业，与多晶硅太阳能电池材料相媲美。本
江苏大学
2021-04-14
一种多壳层核壳微纳结构Cu2O的制备方法
“一种多壳层核壳微纳结构Cu2O的制备方法”属于半导体领域。现有方法对设备要求较高，过程复杂，难以控制成本，严重影响Cu2O样品的应用范围。本发明特征在于：按照硫酸铜与柠檬酸三钠的摩尔浓度比范围12∶4～12∶18，硫酸铜与葡萄糖的摩尔浓度比范围12∶2～12∶22，将柠檬酸三钠溶液加入硫酸铜溶液中，充分络合后加入葡萄糖溶液；调节溶液pH值至12.3～14.0；于50°C～95°C反应1.5h～6.0h；反应结束后冲洗、烘干，即得所需产物。该方法(采用葡萄糖作还原剂的化学浴沉积法)与其它液相制备核壳
安徽建筑大学
2021-01-12
新一代高速列车接触线用Cu-Ag系、Cu-Cr系合金
高速列车具有安全性好、正点率高、快速等优点。能有效地改善交通环境, 带动国民经济的发展。20世纪60年代以来, 随着铁路电气化的高速发展, 铁路运输一再提速, 对于电气化铁路用接触线的性能要求越来越高, 因为在电气化铁路运行过程中, 接触导线不仅要承受较大的悬挂张力, 同时还经受着通过电流时引起的热作用。因此, 材料要求在具有良好导电性能的同时还应具有高的抗拉强度, 而且在电流负荷增大、温度升高时仍然要保持较高的强度。接触线既要提供高速列车所需的动力、照明和空调等用电, 又要承受较大的轴向拉力, 同时还可能工作在极冷、极热、腐蚀性强等环境中,总的来说, 电力传输线必须具有以下性能: 能够满足高速列车速度和电流的要求, 具有足够的抗拉强度来承受振动, 高导电率, 耐磨性好, 耐热性好, 抗软化温度高, 软化处理(300℃保温2 h) 后其常温抗拉强度不小于初始态的90% , 抗大气腐蚀性能好,线膨胀系数小。我国铁路广深线、京郑线等都大量或全部使用了法国或德国产品, 花费了大量外汇。因此，对国产铜及铜合金接触线的研制开发具有重大的经济价值。本研究开发的析出强化型Cu-Ag系、Cu-Cr系合金已经能够满足工业化生产的需要。 主要性能指标 1.抗拉强度σb>580MPa； 2.延伸率>5%； 3.导电率>75%IACS； 4.设计使用寿命：15年。
上海理工大学
2021-04-11
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.导电率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.导电率：60～80%IACS。
上海理工大学
2021-04-11
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化，乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成，其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路，是芯片的散热通道，又是连结电路板的桥梁，因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度，高集成化方向发展，芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料，利用铜合金优良的传热性能，加入少量强化元素，通过固溶强化和弥散强化提高其强度，同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。
上海理工大学
2021-04-13
一种Mg2Ni型三元Mg-Ni-Cu可逆储氢材料及其制备方法
（专利号：ZL 201510578249.5） 简介：本发明公开了一种Mg2Ni型三元Mg‑Ni‑Cu可逆储氢材料及其制备方法，属于储氢技术领域。该储氢材料成分范围为：Mg占合金原子百分比为66.7％，Ni+Cu占合金原子百分比为33.3％，Cu在Ni+Cu中的原子百分比为0～12％，原料的纯度均不低于99.5％。该储氢材料制备的关键在于首先制备高化学稳定性的Ni(Cu)固溶体粉末，然后将固溶体粉末和Mg粉按比例混合烧结得到高纯Mg2Ni型三元Mg20Ni10‑xCux(0<x≤1.2)可逆储氢合金。本发明涉及的材料具有高的储氢容量(3.5wt％以上)和良好的低温放氢动力学等特性，Cu替代贵金属Ni降低了材料的使用成本。本发明涉及的制备方法具有工艺温和、简单、易控，生产设备投资少，生产过程无污染，易于工业化大规模生产的显著优点。
安徽工业大学
2021-04-11