已有样品/n全金属化源漏FOI FinFET 相比类似工艺的常规FinFET 漏电降低1 个数量级，驱动电流增大2 倍，驱动性能在低电源电压下达到国际先进水平。由于替代了传统的源漏SiGe 外延技术，与极小pitch 的大规模FinFET 器件的兼容性更好，有助于降低制造成本，提高良品率，具有很高的技术价值。

已有样品/n基于HZO铁电FinFET的混合存储器件。该器件在电荷俘获模式下，表现出高耐 久性（>1012），高操作速度（<20ns），良好的数据保持特性（104@85oC），与DRAM 的性能相近，为在SOC芯片及CPU芯片中集成嵌入式DRAM提供了可能。当器件工作在 电筹翻转模式下的时候，器件表现出非常好的数据保持特性（>10年）以及对读取 信号串扰的免疫能力，使该器件同时具有优越的不挥发存储特性。