|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
采用氢化物气相外延（HVPE） 技术制备 GaN 衬底
成果简介随着技术发展， 对于大功率白光 LED 而言， 发光效率的提高一直是个瓶颈。针对 GaN 基器件， 由于同质 GaN 衬底价格昂贵， 因此一直没有被普遍应用到 GaN基材料生长领域。 目前一般采用在异质衬底上生长 GaN 基材料， 国内外一般采用蓝宝石衬底、 碳化硅衬底、 硅衬底等等。 这导致 GaN 基材料与异质衬底之间的热膨胀系数、 晶格系数的不匹配， 从而 GaN 基材料中缺陷密度很高， 一般在 105～108/cm2 量级。 高密度的缺陷直接导致光电器件发
安徽工业大学
2021-04-14
高可靠忆阻器件及其视听觉传感应用
技术成熟度：技术突破
传统CMOS工艺的图形处理器通常是由探测、存储、处理等多个分立系统构成，不可避免的增加了集成电路的复杂性、功耗和成本，忆阻器在新型信息存储器件、存算一体化技术及人工神经网络等领域有着巨大应用潜力。
研发团队发展的感存算一体化新型光电忆阻材料与器件能够解决传统人工视听觉系统在容量、集成度、速度等方面的技术瓶颈问题，是实现高效智能视听觉传感系统的基础。研发团队首次在基于氧化钨材料忆阻突触器件的视听觉系统中模拟了速度检测的多普勒频移信息处理，进而实现高通滤波和处理具有相对时序和频移的尖峰数据。这些结果为视听觉运动感知的模拟提供了新机会，促进了其在未来神经形态传感领域的应用。
意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学
2025-05-16
有机薄膜电致发光器件
自1987年美国柯达公司的邓青云C．W．Tang等人报导了有机电致发光以来，在全世界范围兴起了一场有机薄膜发光二极管研究热潮。有机薄膜发光二极管具有主动发光、响应快、全固体化、容易实现彩色化和驱动电压低等独特的优越性，是很有潜力的平板显示器，它将取代现在统治市场的液晶显示器。然而高亮度、长寿命和高效率的有机电致发光器件是人们一直梦寐以求的。 有机电致发光器件虽然发展非常迅速，发展规模也是空前的。但是为了得到高亮度、高效率和长寿命的有机电致发光器件，人们对有机电致发光中的一些问题并没有很好的解决，如由于目前空穴和电子传输层材料和制备工艺的限制，用普通有机电致发光器件的结构：ITO/空穴传输层/有机发光层/背电极，有如下一些问题：发光层与电极之间的互扩散，没有足够高的空穴和电子迁移率，以及注入的空穴与电子不够平衡等。这些问题限制了有机电致发光器的进一步改善，成为有机电致发光器件发展的重要瓶颈，无法制备性能优异的有机发光器件。 技术特点： 对有机薄膜电致发光器件的结构和电子传输层材料进行改进，从而有效提高有机薄膜电致发光器件的亮度、效率和寿命。 技术特点：是在透明电极上，依次制备空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子电势补偿层和背电极所组成薄膜结构有机电致发光器件，其特征在于：在有机发光层与电子电势补偿层之间加入电子传输层，电子传输层采用宽禁带无机材料。 该器件在有机发光层与电子电势补偿层之间加入无机电子传输层这种结构可以大大改善有机电致发光器件的发光层与电极之间的扩散，注入的空穴与电子的不够平衡等，使有机电致发光器件的发光亮度，效率和奉命得到提高。
北京交通大学
2021-04-13
纳米结构光电器件
中试阶段/n该项目是采用纳米级别的加工制造技术制作具备纳米级尺度并且带有一定功能的光电子器件。纳米光电子器件的工作效率更快，能耗更低，具备强大的信息储存量，且体积和重量明显的变小。随着光电器件在通信、照明、传感器等领域上的运用，纳米光电器件的制备技术已经受到越来越重要的关注。该项目实现了一种低成本、大面积、易操作、高效的纳米结构制备工艺方法，可实现在各种材料表面纳米结构（50-500nm 直径纳米孔、纳
华中科技大学
2021-01-12
分立器件视觉检测系统
根据工业现场的实际特点，搭建了机器视觉的检测系统。采用优化的图像预处理、图像 分割、边缘信息提取及相关参数整定检测方案，对分立器件管脚几何参数进行判断，检测结 果达到企业的应用标准。采用标签图像预处理、分割、特征提取技术与 BP 神经网络特征识 别技术相结合，成功的解决了标签检测问题。该系统经工业现场应用，被证明可以达到企业 对于分立器件管脚几何形状的检测要求，得到了企业的肯定。
南京工程学院
2021-04-13
小型化原子器件
成果创新点 主要技术创新路径（如涉及技术秘密，可简略描述）： 利用多反射腔将原子磁力仪小型化的同时将检测灵敏 度提高一个量级，最终好于 50 fT/Hz1/2。引入微纳加工手 段，将产品标准化，从而可进行批量化生产。可进一步应 用于原子陀螺。 技术成熟度 关键技术研发阶段 市场前景 1.与医院合作用于生物磁场测量和可移动式磁成像； 2.共磁力仪用于惯性测量。
中国科学技术大学
2021-04-14
小型化原子器件
主要技术创新路径（如涉及技术秘密，可简略描述）： 利用多反射腔将原子磁力仪小型化的同时将检测灵敏度提高一个量级，最终好于 50 fT/Hz1/2。引入微纳加工手段，将产品标准化，从而可进行批量化生产。
中国科学技术大学
2023-05-16
新型光电材料与器件
东南大学
2021-04-13
DMD数字微镜器件
西安中科微星光电科技有限公司
2022-06-27
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11