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超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法
简介:本发明提供一种超晶格结构的纳米晶Cr2N/非晶WC超硬膜及其制备方法,属于材料表面技术领域。本发明该超硬膜是由电弧离子镀的纳米晶体相Cr2N和磁控溅射镀的非晶体相WC层交替沉积而成,并且,超晶格的调制周期为10~20nm,Cr2N单层和WC单层的厚度分别为8~14nm和2~6nm。本发明的优点在于:Cr2N层与WC层交替分布实现了Cr-N基膜成分多元化和结构多层化,解决了抗氧化性较强的Cr-N基膜获得超高硬度的难题,同时非晶WC层进一步提高了Cr-N基膜的抗氧化和耐腐蚀性能,满足不能热处理的
安徽工业大学 2021-04-14
低C/N比城市污水连续流脱氮除磷工艺与过程控制技术
北京工业大学 2021-04-14
TiO2/g-C3N4纳米复合物用于可见光产氢
课题组依据共价键、静电吸引力、范德华力三种不同作用力类型,构筑了三类TiO 2
南方科技大学 2021-04-14
一种分辨 N2 分子振转 Raman 谱的双光栅光谱仪系统
本发明公开了一种测量大气水 Raman 谱和气溶胶荧光谱的激光雷达系统。该系统由发射单本发明 公开一种分辨 N2 分子振转 Raman 谱的双光栅光谱仪系统。包括信号馈入单元、光学色散单元和信号检 测单元。信号馈入单元采用集束光纤将传导的信号光馈入光学色散单元;光学色散单元包含两组级联的 准 Littrow 结构布局的单光栅色散系统;信号检测单元分辨与记录色散后的通带范围内谱信号。在波长 354.8nm 紫外激光辐射下,由 N2 分子产生的 Stokes 振转 Raman 谱中心波长为 386.8nm,对称分布在两 侧的 O 支与 S 支谱各谱线在频谱上等间距;本发明能提取 N2 分子振转 Raman 谱 O 支及 S 支各分立谱 线信号,实现对 N2 分子振转 Raman 谱的分辨与检测,同时能对 354.8nm 附近光信号产生大幅抑制。
武汉大学 2021-04-13
提升结晶小分子半导体在n型有机薄膜晶体管柔性方面的研究
该研究提出了聚合物粘合剂的新型策略,通过合成一个柔性的共轭n型聚合物,使其能够作为一种粘合剂粘合小分半导体的晶界,提升其机械性能,实现了柔性有机晶体管器件。这种聚合物能有效地抑制小分子和聚合物之间的相分离,进一步实现了晶粒间的粘合作用。
南方科技大学 2021-04-14
7-乙基-10-羟基喜树碱的两亲性药物前体及其制备方法
本发明公开了一种7-乙基-10-羟基喜树碱的两亲性药物前体,是由7-乙基-10-羟基喜树碱上10位的羟基和/或20位的羟基通过可断裂化学键与亲水基团连接而成的。该药物前体在水中自组装形成胶束或囊泡结构,一方面大大增加SN-38在水中的溶解度,提高SN-38内酯环的稳定性;另一方面,具有高的载药量,且能在细胞中快速释放出SN-38,克服了传统药物载药量低的缺点;并且,该前药纳米胶束或纳米囊泡可以有效利用肿瘤的EPR效应靶向癌症组织。
浙江大学 2021-04-11
一种类石墨烯的新颖二维半导体Ca3Sn2S7
石墨烯是材料科学领域的一颗迅速崛起的明星,开启了二维材料的大门。作为纳米光电子器件广泛使用的理想电极材料,石墨烯除了具有优异的弹性和刚度外,还具有最高的载流子迁移率(104-105 cm2 V-1 s-1)。然而,石墨烯作为一种典型的半金属材料,它的零带隙极大地限制了其在半导体工业的应用。自石墨烯被发现以来,它的零带隙一直是世界范围内最具挑战性的难题之一。  多年来,人们一直致力于解决这一关键问题,最主要的打开石墨烯带隙方法可以概括为下面两种。第一种是通过掺杂、吸附、衬底相互作用、外加电场、应变、建立二维异质结等方法直接打开石墨烯的带隙。不幸的是,在打开石墨烯带隙的同时,保持其具有超高载流子迁移率的线性电子色散的多种尝试,至今仍未成功。第二种方法是开辟新的路径,寻找新的具有超高载流子迁移率(线性色散)的二维材料,如二硫化钼、硅烯、锗烯和磷烯等,它们构成了新的二维材料家族。遗憾的是,迄今还没有发现任何具有类似石墨烯线性电子色散和超高载流子迁移率的二维半导体。 北京大学物理学院史俊杰教授及其研究团队注意到:钙钛矿材料具有多样的组成和结构,如ABX3(具有三个不同原子位置的三维结构)、A'2[An-1BnX3n+1] (二维Ruddlesden-Popper型结构)、A'[An-1BnX3n+1] (二维Dion-Jacobson型结构)、A'2An-1BnX3n+3(二维111型结构)和AnBnX3n+2(二维110型结构)等,为材料设计提供了一个理想和庞大的平台。此外,钙钛矿结构中阳(阴)离子价态的劈裂和置换,阳(阴)离子的混合等,为组分工程提供了更多的可能性,从而极大地调节了所设计的钙钛矿材料的电子结构(带隙和电子色散)及物理、化学性质,为寻找具有新奇性质的材料开辟了一条新的道路。图注:左图为二维Ca3Sn2S7钙钛矿结构示意图,中图为它的三维线性色散能带图(带隙0.5 eV),右图为它的光吸收系数,并与光伏明星材料MAPbI3及Si的光吸收系数作对比。 最近,他们在硫化物钙钛矿的研究中,意外发现了一种新奇的稳定且环境友好的二维钙钛矿半导体Ca3Sn2S7材料,它具有类似石墨烯的线性Dirac锥电子色散,直接的本征准粒子带隙0.5 eV,超小载流子有效质量0.04m0,室温下载流子迁移率高达6.7×104 cm2V-1s-1,光吸收系数高达105 cm-1(超越钙钛矿光伏明星材料MAPbI3), 从一个全新的角度实现了打开石墨烯带隙的梦想。该研究将会为二维钙钛矿材料的设计和研发提供新的思路,并进一步促进半导体产业的发展。
北京大学 2021-04-11
一种合欢叶片中的内生菌H6菌株分离方法及其应用
本发明涉及一种合欢叶片中的内生菌H6菌株分离方法及其应用,该分离方法包括:采用75%(体积分数)酒精浸泡2min,再用10%次氯酸钠溶液浸泡3min,无菌水冲洗2‑3次,可达到合欢叶片表面最佳的消毒效果和内生菌H6分离的最适条件。本发明经试验证明H6菌株、发酵液、无菌株发酵液及其从H6发酵液中分得的活性组分对供试的植物病原菌苹果腐烂病菌,葡萄黑痘病菌、西瓜枯萎病菌、小麦赤霉病菌等均具有较强的抑制作用。本发明采用液‑液萃取法对内生菌H6的代谢液提取,得10个组分,其中活性高的组分1、2和8样品硅烷化衍生后进行GC‑MS检测,鉴定出其中脂肪酸、芳香酸、环二肽、甾醇类等25种具抗菌活性的物质。
青岛农业大学 2021-04-13
植物响应重金属胁迫时伴随着内源H2S含量的变化
内源H 2 S参与植物对重金属胁迫的抵御,植物响应重金属胁迫时伴随着内源H 2 S含量的变化。但是关于胁迫对内源H 2 S的诱导机制仍然知之甚少。翟继先课题组该项研究发现Cr6+胁迫增加CaM2的基因表达以及蛋白丰度,进而Ca 2+ /CaM2信号与bZIP转录因子TGA3互作,并增强TGA3与H 2 S产生酶编码基因LCD启动子中含“TGACG”的顺式作用元件结合,从而上调LCD的转录,促进内源H 2 S产生,诱导拟南芥适应并抵御Cr 6+ 胁迫。本研究首次发现钙信号对LCD基因的转录调控机制,并揭示了重金属胁迫诱导内源H 2 S产生的信号通路,对气体信号分子的研究具有指导意义。此外,该项研究还为遗传改造以培育高产安全的作物品种提供了新思路,为最大程度地降低耕地重金属污染造成的农业经济损失提供新的科学依据。
南方科技大学 2021-04-13
烟台港万华工业园1500t/h桥式抓斗卸船机
烟台港万华工业园1500t/h桥式抓斗卸船机
青岛海西重机有限责任公司 2021-09-02
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