已有样品/n基于HZO铁电FinFET的混合存储器件。该器件在电荷俘获模式下，表现出高耐 久性（>1012），高操作速度（<20ns），良好的数据保持特性（104@85oC），与DRAM 的性能相近，为在SOC芯片及CPU芯片中集成嵌入式DRAM提供了可能。当器件工作在 电筹翻转模式下的时候，器件表现出非常好的数据保持特性（>10年）以及对读取 信号串扰的免疫能力，使该器件同时具有优越的不挥发存储特性。

已有样品/n通过石墨烯缺陷工程控制活性电极离子向阻变功能层中注入的路径尺寸和数量，集中化/离散化阳离子基阻变器件中导电通路的分布来调控其稳定性,此工作是该领域首次在相同结构阻变器件中实现电流-保持特性的双向调控，这种通用的基于二维材料阻挡概念的离子迁移调控方法，也能够移植应用到离子电池，离子传感等研究领域。

小试阶段/n特点及用途：本产品为新型高效无磷阻垢缓蚀剂，属于水处理剂类的环境友好型产品，2011年获得国家授权发明专利（专利号：ZL200910063243.9）。该产品主要用于各类工业冷却循环水管的防腐和阻垢处理。特别是用于各种火力发电厂、钢铁厂等工业循环冷却水中碳钢设备的防腐阻垢处理，以取代传统含磷的阻垢缓蚀剂。因为磷是造成水体富营养化污染的主要原因（如太湖、滇池污染等均由磷所引起），从而避免了因磷而引起的水体富营养化污染，使环境更加友好，并且产品的性价比较传统的磷系阻垢缓蚀剂更高，具有广阔的市

目前，国内外用于灭火剂的阻惰化性能测试的实验系统因实验室而异。由于各个实验室的研究背景、研究方向和研究手段不同的原因，已开发的实验系统功能比较单一，无法对灭火剂的阻惰化性能进行多角度、全方位的考察。已有的实验系统主要是以灭火测试平台为主，灭火测试平台主要分为燃烧系统和灭火剂释放系统，系统仅仅是记录不同灭火剂扑灭不同燃料火灾所需要的时间，并以此作为评价灭火剂性能的标准。

目前，国内外用于灭火剂的阻惰化性能测试的实验系统因实验室而异。由于各个实验室的研究背景、研究方向和研究手段不同的原因，已开发的实验系统功能比较单一，无法对灭火剂的阻惰化性能进行多角度、全方位的考察。已有的实验系统主要是以灭火测试平台为主，灭火测试平台主要分为燃烧系统和灭火剂释放系统，系统仅仅是记录不同灭火剂扑灭不同燃料火灾所需要的时间，并以此作为评价灭火剂性能的标准。装置结构合理，功能强大，操作方便。考虑到外界环境对燃料燃烧状态的影响设置半封闭式的燃烧室，通过可调节进风口控制进气流量。对汽化水量进行测量，可以反映出燃烧过程中燃烧作用和灭火剂阻惰化效应的相互作用，特别是含添加剂细水雾对火焰增强作用的机理分析。烟密度测试组件基于烟气对光的吸收散射效应，测试燃烧过程中的发烟应用概况提供一种灭火剂阻惰化性能测试量。系统及其测试方法，其目的是实现对含添加剂的水基灭火剂阻惰化效果的性能测试，旨在克服现有技术所存在的上述缺陷，填补此研究领域的空白。

     Zc25系列缘电绝阻表用于测量各种电机、电缆、变压器、电讯元器件家用电器和其他电气设备和绝缘电阻。

集热式磁力搅拌器型号：101S　 　 产地：郑州技术参数DF-101S 特征：平板 ； 搅拌容量：最大2000ml ； 搅拌速度：无级调速 0-2600； 加热温度：室温-400℃ ； 控温方式：智能自动； 工作电压：220V/50Hz ； 整机尺寸：239×245×220 ； 主要特点随意设定，自动恒温，使用更加方便、直观，控温精度高、准确可靠。 仪器介绍DF-101S在DF-101B基础上，增加了高精度时间比例式数显温控仪和智能型数字显示温度两种型号，随意设定，自动恒温，使用更加方便、直观，控温精度高、准确可靠。

近年来,半导体光源正以新型固体光源的角色逐步进入照明领域。由于半导体照明具有高效、节能、环保、使用寿命长、响应速度快、耐振动、易维护等显著优点,所以在国际上被公认为最有可能进入通用照明领域的新型固态冷光源。随着其价格的不断降低,发光亮度的不断提高,半导体光源在照明领域中展现了广泛的应用前景。业界普遍认为,半导体灯取代传统的白炽灯和荧光灯,是大势所趋。而半导体发光二极管（Light Emitting Diode , 简称LED）被认为是最有可能进入普通照明领域的一种绿色照明光源，按固体发光物理学原理,LED发光效率能近似100 % ,并具有工作电压低、耗电量小、发光效率高、响应时间极短、光色纯、抗冲击、性能稳定可靠及成本低等优点,因此被誉为21 世纪新光源,有望成为继白炽灯、荧光灯、高强度气体放电灯之后的第四代光源。虽然LED具有以上的很多优点，但是发光效率和使用寿命仍是制约其普及应用的主要因素。 目前国内大多致力于LED外部封装结构的研究，而公司里多采用进口芯片，如cree芯片，再在现有基础上进行外部封装结构和设计。而即便是散热好，寿命长，取光效率比较好的封装结构，国内所能达到的水平也就是刚刚超出100lm/w。主要原因在于其封装材料的选择和封装结构的不合理性，浪费了芯片的出射光，从而降低了取光效率。而国外LED不仅在外部封装结构，而且在芯片方向都明显优于国内水平，所以基本垄断国内LED的市场，尤其对于功率型白光LED的垄断相当严重。而这些高亮度半导体LED芯片生产技术掌握在以美国Cree和Lumileds、日本的Nichia和Toyoda Gosei，以及欧洲的Osram等为首的少数大公司手中。 现在功率型白光LED 的光效已提高到80～100lmPW,而真正能够取代白炽灯和荧光灯进入通用照明市场,其光效需要达到150lm/ W。这一方面要求在芯片的制作上不断提高LED 的量子效率,同时还要求在LED 的封装及灯具的设计制作过程中尽可能提高出光效率。现有的LED出光效率低的原因之一是，LED芯片的折射率较高，LED发出的光在出射芯片的时候，有相当一部分光被芯片与外界（环氧树脂）的界面反射。本产品是通过特殊镀膜方法，使LED芯片出光效率提高了10%。可以有效的增加LED的使用寿命，达到2万小时以上，而且可以使发光效率达到120lm/w到160lm/w。拥有这样长寿命和高出光效率的白光LED，必将引领整个照明市场，必将产生丰厚的利润，具有非常好的发展前景。

已有样品/n这项封装技术是利用芯片本身的衬底和封装材料作为封装基板，简化发光二极 管的工艺路径，降低全工艺成本，提供最小的发光二极管封装体积，全角度发光特 性，降低器件封装热阻，实现对发光二极管电学和光学性能更好的控制，并具有简 单、成本低等优点。与传统工艺封装相比成本降低 30%左右，发光效率与传统封装 相当。 随着LED技术的进步，外延与芯片工艺在发光二极管成本中所占的比例相对降 低，而封装步骤由于耗费材料和工艺步骤较多且技术含量较低，其成本难以降低。 作为现有封装结构与晶圆级封装结构的中间阶段