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抗血栓和再狭窄的新型血管内生物材料支架研制
开发前景及产业化效益分析：随着介入诊疗技术的发展，介入性诊疗器材产业作为新兴的医疗器材产业也迅速发展壮大，以每年25%以上的速度增长， 到2015年，预计将达到300-400亿元。其中冠脉支架增长速度达到45%左右， 其市场规模占介入诊疗器材产业产值的60%。
然而，国产支架自主产权的缺乏，使之在国际市场时常受到专利侵权的阴影。 所以亟待开发具有完全自主知识产权的，疗效更加优良的血管内支架。本项目 系列支架产品，可称为内皮“友好型"血管支架克服现有支架的缺陷，消除平滑肌细施增生，减少不可降解的聚合物产生的炎症，减少血管内再狭窄。
重庆大学
2021-04-11
乙炔氢氯化制氯乙烯Au基催化剂
"氯乙烯(VCM)主要用于合成聚氯乙烯树脂(PVC)。目前我国氯乙烯生产主要通过乙炔法生产。然而，乙炔法一直采用剧毒的氯化汞催化剂，严重制约着乙炔法的可持续发展。Au催化剂被众多研究者认为是最有可能工业化的非汞催化剂。本研究制备了一种促进型Au基催化剂，结果表明该催化剂对Au活性物种的失活、催化剂载体表面的积碳消除作用有明显的促进效应。稳定性考评结果显示，在工业条件下，氯乙烯选择性为100%，预估寿命超过3000 h。相关研究结果已申请多项中国专利。 项目已完成实验室小试和催化剂组成，载体等参数的优化和催化剂放大制备。拟应用于全国层面的氯碱行业替代剧毒氯化汞催化剂，即煤基乙炔氢氯化合成氯乙烯单体过程中的关键催化剂，在不改变原有乙炔氢氯化工业反应条件前体下仅替换现有氯化汞催化剂即可，具有较好的社会效益。"
厦门大学
2021-04-10
氮化硅基光子集成技术及关键器件
项目采用了中山大学自主研发的低损耗低应力超低温氮化硅材料平台，研制了一系列光子集成的关键 器件
中山大学
2021-04-10
耐磨损耐腐蚀 WC 基热喷涂粉料
开发出离心喷雾干燥附加热处理的方法，实现对超细 / 纳米粉末团聚造粒。本技术工艺步骤简单易行，重复性好，造粒后热喷涂粉末具备优良的热喷涂工艺适用性：粒度分布 5—30µm 和 10— 45µm 两个级别，球形度 >95%，松装密度 3.0—5.0g/cm3，流速 <18s/50g。该团聚造粒技术已批量生产 WC 基耐磨、耐蚀涂层所需热喷涂粉末。 研发出高性能超细 / 纳米结构 WC 基涂层制备所需的复合粉最佳成分、喷涂粉末合适粒径分布和热喷涂工艺等关键技术参数，进而发明了控制脱碳和晶粒粗化的超细 / 纳米结构硬质合金涂层的创新制备技术。与常规粗粉涂层相比较，组织致密，粘接相分布均匀，表面质量高，具有优良的强韧性配 合。涂层性能检测结果：显微硬度≥ 1350 HV0.3，截面平均孔隙率≤ 0.5%，结合强度≥ 65MPa, 依据ASTM G65-04（2010）标准，在相同测试条件下本涂层的磨损速率较同种成分进口 WC 基热喷涂粉末制备涂层的磨损速率下降了 30%—50%。
北京工业大学
2021-04-13
InP 基 2 微米波段半导体激光器
可以量产/nInP基In(Ga)As量子阱在材料制备及器件工艺制作方面具有诸多优势。除了具 有高质量，低成本的衬底材料，InP基激光器因其兼容传统通讯用激光器的成熟工 艺，且易与其它器件实现集成等优势而具有更好的工业应用前景。我们拥有采用 MOCVD制备大晶格失配In(Ga)As/InP量子阱外延芯片、半导体激光器工艺制作以及 器件测试封装的全套技术。我们制备的激光器外延芯片波长可精确调控，其面内波 长不均匀性低至±3nm，相应的激光器件性能指达到国际先进水平。 目前市场对2微米激光器的应用需求主要
中国科学院大学
2021-01-12
耐磨损耐腐蚀WC基热喷涂粉料
北京工业大学
2021-04-14
一种纸基柔性发电装置及其制造方法
本发明公开了一种纸基柔性发电装置，包括由纸基绝缘层和沉 积于该纸基绝缘层表面的第一金属导电层共同组成的第一组件，以及 由纸基绝缘层、沉积于该纸基绝缘层表面的第二金属导电层和涂覆在 该第二金属导电层表面上的驻极体材料层共同组成的第二组件。这两 个组件各自的边缘分别搭建有电极并通过封装工艺予以联接，并且第 一金属导电层与驻极体材料层之间相互对置且具备一定间隙。本发明 还公开了相应的制造方法。通过本发明，所获得的柔性发电装
华中科技大学
2021-04-14
高性能低温烧结BZN基高频电介质瓷料
具有自主知识产权的BZN系材料具有高性能与低温烧结兼优的特点，介电常数高（e: 80～150），介质损耗小（tgd<6 ´10-4），介电常数温度系数可系列化（ae: +200～-750ppm/℃），瓷体致密，绝缘电阻和抗电强度高(r³1013wžcm; ev³10kv/mm)，化学组成和相组成简单，烧结温度低（900～940℃），工艺简单，温度稳定
西安交通大学
2021-01-12
硫磺法利用煤基沥青制活性炭技术
上海交通大学
2021-04-13
宽波段硅基探测器产业化开发
图像传感器，是一种常用的光电探测器件，它能将光子信号转换成电子信号，被广泛地应用在高性能光谱仪、数码相机以及其他的电子光学设备中。普通的CCD、CMOS硅基探测器能获得高量子效率的光谱响应范围在400~900nm波段，在紫外波段，由于多晶硅栅的吸收系数很大，这就意味着紫外光子在极端浅（小于2nm）的表层被吸收，导致其在波长小于400nm的紫外波段量子效率（QE）极低。紫外量子效率低的缺陷限制了前照式硅基探测器在航空业、工业以及制造业等领域中的应用。因此，研制宽波段硅基探测器件使其响应范围延伸到紫外和深紫外波段是国内外紫外探测领域的迫切需要。
上海理工大学
2021-04-13