XM-166A骨结构模型   XM-166A骨结构模型显示骨的剖面及放大骨微细结构的形态特征。 尺寸：放大80倍，26×19×15cm 材质：PVC材料

XM-852脾脏结构模型   XM-852脾脏结构模型新鲜的脾脏状态，显示了较厚的被膜，结缔组织伸入实质形成小梁，切面大部分呈暗红色为红髓，由淋巴鞘及脾小结（淡兰色）组成，红髓由脾窦（灰兰色）及脾索(黄色)组成，还显示了脾脏的血液循环。 尺寸：放大，33×25×18cm 材质：PVC材料

产品详细介绍 专业生产烘箱,冲击试验箱,淋雨试验箱,砂尘试验箱,高低温试验箱等 价格合理 质量上乘 服务第一.雅士林品牌鼓风干燥箱技术资料请参阅：鼓风干燥箱是航空、汽车、家电、科研等领域必备的测试设备，用于测试和确定电工、电子及其他产品及材料进行高温试验的温度环境变化后的参数及性能。 鼓风干燥箱规格型号：型号            工作室尺寸D×W×H   外型尺寸D×W×HYSL-DHG-9035A   340×320×320mm     620×538×490mmYSL-DHG-9055A   420×395×350mm     720×590×520mmYSL-DHG-9075A   450×400×450mm     740×618×630mmYSL-DHG-9145A   550×450×550mm     840×670×730mmYSL-DHG-9245A   600×550×650mm     800×720×930mm 一、鼓风干燥箱规格与技术参数：温度范围：RT+10℃～250℃/300℃恒温波动度：≤±1℃温度分辨率：≤0.1℃升温速率：2.0～8.0℃/min温度定时范围：1-9999min载物托盘：2（PCS） 二、鼓风干燥箱箱体结构：鼓风干燥箱设计完美，箱体采用数控机床加工成型，操作容易，箱内采用美国进口电机。设有双层玻璃观察窗，供观察工作室状况之用。内胆为优质镜面不锈钢板，外壳为A3板喷塑处理，更显光洁、美观。电路系统侧采用门式开启，方便维护和检修。 送风循环系统采用低噪音、长寿命、空调型进口风机，风轮为多翼式离心风叶。热风循环系统由能在高温下连续运转的风机和合适的风道组成。工作室内温度均匀。保温系统采用超细玻璃纤维填充保温区,内外胆连接部位采用非金属耐高温材料,有效降低高温度传导。 三、鼓风干燥箱控制系统：温度控制器采用触摸按键、数显LED显示、PID智能控制仪表精度：0.1℃(显示范围)；感温传感器：PT100铂电阻测试器；控制方式：热平衡调温方式； 四、鼓风干燥箱使用条件环境温度：5℃～＋28℃（24小时内平均温度≤28℃）环境湿度：≤85%RH电源要求：AC220V±10%   50±0.5Hz  单相三线制 鼓风干燥箱售后服务：1、安装调试：我司负责免费送货至客户指在地点, 并派专业技术人员免费安装调试，培训2～5名操作员到会操作为止。2、阳光售后服务承诺：公司产品均保修一年，终身维护。若产品出现问题，在接到报修电话15分钟响应，48小时内由我司专业维修人员上门处理。

产品详细介绍

1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况，研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统（如图1所示），可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控，用于研究电压类型（交、直流、重复方波电压）、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性，具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能（如图2所示），平台相关参数：频率：DC~20kHz，电压：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可调，占空比：1%~99%，温度：25℃~150℃，气压：真空~3个大气压。  2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题，研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统（如图3所示），平台具有灵活调节IGBT芯片布局，栅极布线，温度和压力分布的能力，可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究，以及瞬态电流不均衡调控方法的研究；平台相关参数：电压：0~6.5kV，电流：0~3kA，温度：25℃~150℃，压力：0~50kN。   图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升，对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备（如图4所示）。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试，最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调，功率循环周期为秒级，极限测试能力可达 300 ms，最高压力达220 kN，虚拟结温测量精度达±1°C，导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测，最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段，针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题，提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法，实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计，设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈（如图5所示），实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%；针对器件内部多芯片并联芯片结温测量，提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法，通过各芯片栅极的时序单独控制（如图6所示），在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量，进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上，完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计（如图7所示）。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求，开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作，相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验，同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。

本发明涉及一种半导体发光与显示器件的制备方法，具体地说，是涉及一种基于紫外光激发的白光发射器件及其制备方法，属光电集成技术领域。该制备方法包括如下步骤：清洗硅片、在清洗后的硅片上制备多孔硅、在多孔硅上沉积氮化铝薄膜、用紫外光照射氮化铝薄膜，得到在可见光区发光的白光发射器件。 技术推广意向：半导体发光与显示领域技术创新：本发明具有如下的有益效果：器件结构简单，无污染，制备成本低；不需要荧光粉，发光效率高；发光性能稳定，光谱波长范围宽。