XM-842 DNA双螺旋结构模型   XM-842DNA双螺旋结构模型组件用于演示DNA的组成，包括四种碱基、五碳糖和磷酸，并且可以演示DNA双螺旋的模式结构，即两条互相平行的多核苷酸链形成左右手螺旋，磷酸位于圆柱面上，碱基两两配对位于圆柱体的中间，碱基对平面垂直于圆柱体。 尺寸：放大，20×20×60cm 材质：PVC材料

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XM-502B胃壁层次结构模型   XM-502B胃壁层次结构模型作阶梯状剥离，示各层结构及血管分布，主要显示粘膜、粘膜下层、肌层和浆膜。 尺寸：放大，20×14×18cm 材质：PVC材料

独家提供教师教学课件中所需的生物模式高清图片，服务学生课外能力、实践的提升，开创手绘模式教学与实践；

产品详细介绍根据ASTM B311、B328，MPIF Standard 42、57，JIS Z2505、Z2506，GB÷T5163等海内规范，采用阿基米得原理浮力法原理，直读所测粉末冶金生胚件、烧结件和含油轴承的密度、有效孔隙率、体积和含油率。 　　QL－120P 粉末冶金生胚密度计，高精准度粉末冶金密度计，台湾玛芝哈克（matsuhaku） 粉末冶金生胚密度计厂家推荐，专业测试各种粉末冶金生胚件、烧结制品和含油轴承的密度、孔隙率、吸水率和含油率。 粉末冶金结构件体积密度测试仪 QL－120P的规格参数：1、型号：QL－120P（另有QL－300P、QL－600P两种型号的机型可选）2、称重范围：0。001g～120g（另有称重范围为0。01g～300g、0。01g～600g可选）3、密度解析精度：0。0001 g÷cm34、测量时间：约10秒5、测试种类：粉末冶金生胚件、烧结件和含油轴承，及各种固体、颗粒体、薄膜、浮体QL－120P 高精准度粉末冶金密度计，密度测试精度为万分之一（0。0001g÷cm3），秉承测量值高精准度、操作方便、设计简单吝啬、故障率低、经久耐用；等理念，专门为粉末冶金行业设计！ 　　 QL－300Q轴承含油率检测仪、轴承含油率测试仪采用阿基米德原理浮力法。只有三个步骤，自动显示含油率，改变传统人工计算的方式，勤俭时间、更快速、更方便。可直接测量含油轴承的含油率，测量精度高达0。001，非常相宜转动部件的铜基、铁基、铁铜基等含油轴承含油率、孔隙率等方面的检测。测量快速、专业、精准、方便！ 含油轴承含油率测试仪QL－300Q的技术参数：1：测量范围：0。01g～300g2：油率解析：0。1％3：度精度：0。001 g÷cm34：试时间：约5秒5：试种类：粉末冶金含油轴承，粉末冶金生胚、毛坯件、烧结成品等6：粉末冶金含油轴承、压铸件、铜套，可直接读取其含油率；7：对粉末冶金烧结成品等，可直接读取产品的视密度和体积；8：针对粉末冶金生胚、毛坯件等，可应用煮沸法、真空抽取饱和法，准确快速读取产品的体密度、湿密度、比重、有效孔隙率和体积； QL－300Q轴承含油率检测仪免掀盖精致一体成型铝合金测量平台，透明水槽。精度更高、操作更简便、更快速、更人性化，更符合新材料实验室作业规范。可显示混淆物主要材质含量百分比，相宜新材料研究与开发。能自动判定待测样品合格与否，具有报警提示功能。可应用于：铜基、铁基、铁铜基含油轴承；铜基、铁基、铁铜基结构轴套；不锈钢合金基轴承、打印机齿轮、压缩机齿轮、缝纫机零件、抽风机、电扇之轴承相关零组件；等材料的含油率密度，比重检测。 

：铁硅粉芯是一种新型复合软磁材料，主要用于 替代传统开了气隙的硅钢、铁氧体及非晶等材料，作为电感器 和电抗器的磁芯，用于对直流叠加要求较高的大功率光伏逆变 器、风电变流器、电动汽车充电机、变频空调、有源滤波器、 UPS 电源等新能源与节能电力电子系统。 铁硅粉芯在器件中的作用是实现电磁能量转换，其与绕制 线圈一起组成的各种磁性器件在电力电子系统中起到功率因数 校正和滤波

本发明公开了一种以 PEO-LDPE 合金为基体的含铜节育材料即 Cu/PEO-LDPE 复合材料及其器件，包含有 PEO-LDPE 合金基体及分布 其中的含铜金属粒子，其中含铜金属粒子的重量百分比含量为 0.5～ 30 ％ ， 在 PEO-LDPE 合 金 基 体 中 ， PEO 的 重 量 百 分 比 含 量 为 Cu/PEO-LDPE 复合材料总重量的 0.5～30％(优选值 5～15％)。相较于 Cu/LDPE 节育材料，

本发明公开了一种适用于成卷柔性电子器件的逐片转移装置， 包括薄膜进给单元、载带输送单元、真空辊吸附单元、压辊转移单元 和废料剔除单元，其中薄膜进给单元用于薄膜的进给运动并对薄膜进 行模切，模切后的薄膜经真空辊吸附单元驱动至压辊转移单元，模切 后的薄膜在压辊转移单元中实现与载带之间的粘着和固定，废料剔除 单元则根据工况需要提供多种对废料的实时检测和剔除操作。通过本 发明，各个模块单元之间相互联系，共同协作，实现对成卷柔性电子 器件逐片的高速检测转移过程，同时具备运动稳定性和可靠性好等优 点。

本发明公开了一种掺杂硅量子点发光二极管，包括硅衬底，沉 积银纳米颗粒层，以及在银纳米颗粒结构上沉积多层分布均匀且包含 掺杂硅量子点的 SiNx 薄膜，透明导电薄膜 AZO 层以及 Si3N4 钝化层。 还公开了该发光二极管的制备方法，利用掺杂硅量子点-SiNx 薄膜的电 致发光特性，构成发光二极管的发光有源层；利用掺杂可以钝化量子 点，同时掺杂硅量子点与硅衬底形成的 p-n 结增强电子空穴的辐射复 合。此外，利用银纳