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一种Mg2Ni型三元Mg-Ni-Cu可逆储氢材料及其制备方法
（专利号：ZL 201510578249.5） 简介：本发明公开了一种Mg2Ni型三元Mg‑Ni‑Cu可逆储氢材料及其制备方法，属于储氢技术领域。该储氢材料成分范围为：Mg占合金原子百分比为66.7％，Ni+Cu占合金原子百分比为33.3％，Cu在Ni+Cu中的原子百分比为0～12％，原料的纯度均不低于99.5％。该储氢材料制备的关键在于首先制备高化学稳定性的Ni(Cu)固溶体粉末，然后将固溶体粉末和Mg粉按比例混合烧结得到高纯Mg2Ni型三元Mg20Ni10‑xCux(0<x≤1.2)可逆储氢合金。本发明涉及的材料具有高的储氢容量(3.5wt％以上)和良好的低温放氢动力学等特性，Cu替代贵金属Ni降低了材料的使用成本。本发明涉及的制备方法具有工艺温和、简单、易控，生产设备投资少，生产过程无污染，易于工业化大规模生产的显著优点。
安徽工业大学
2021-04-11
三元Ni-Ru-S多相催化剂的制备方法
（专利号：ZL 201310571526.0） 简介：本发明公开一种三元Ni-Ru-S多相催化剂的制备方法，属于钌催化剂制备技术领域。该催化剂由载体和活性组分构成，载体为ZSM-5、SBA-15、γ-Al2O3以及SiO2中的任一种，活性组分为Ru、Ni，将RuCl3·3H2O、(CH3COO)2Ni·4H2O溶于乙醇中，将载体放入其中，充分搅拌混合均匀后烘干，然后放入高压反应釜中进行预硫化，将预硫化所得到的黑色固体放入真空干燥箱烘干后制
安徽工业大学
2021-01-12
一种Mg－In－Ag三元储氢材料及其制备方法
（专利号：ZL 201310592272.0） 简介：本发明公开了一种新型的Mg－In－Ag三元储氢合金体系及其制备方法，属于储氢材料技术领域。该储氢材料成分组成为：(Mg+In)的原子百分数为80~85%，其中In在(Mg+In)中的占比为3~6%，其余为Ag。按合金成分称取Mg块和Ag片，采用感应熔炼炉先熔炼Mg－Ag二元低熔点合金，再按配比称取In块与上述二元合金一起再次熔炼得到Mg－In－Ag三元合金；将该合金除去表面氧化皮后研磨
安徽工业大学
2021-01-12
一种Mg2Ni0.9Co0.1H4基储氢材料的制备方法
（专利号：ZL 201510578254.6） 简介：本发明公开了一种Mg2Ni0.9Co0.1H4基储氢材料的制备方法，属于储氢材料技术领域。该方法通过湿法球磨得到Ni(Co)固溶体粉末；按母合金Mg2Ni1‑xCox(x＝0.1～0.2)的成分，将一定量的固溶体和Mg粉真空烧结得到母合金，母合金的化学成分范围为：Mg的原子百分数为65～70％，Ni+Co占合金剩余百分比，Co在Ni+Co中的原子百分数为10～20％；然后将烧结合金置于氢化炉中氢化获得目标储氢材料，其由85～90wt％的Mg2Ni0.9Co0.1H4基体相、6～7wt％的MgH2和4～8wt％的MgNi3Co相组成。该储氢材料具有高的储氢容量(大于3.5wt％)、低的起始放氢温度(220℃)和优良的放氢动力学性能。本发明制备方法具有工艺简单、高效、产率高、无污染的显著特点。
安徽工业大学
2021-04-11
一种石墨烯/Cu/Ni 复合电极及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯/Cu/Ni 复合电极及其制备方法。复合 电极包括 Cu/Ni 合金层和覆盖在 Cu/Ni 合金层上的石墨烯薄膜；其中， Cu/Ni 合金层由 Ni 膜和覆盖在 Ni 膜上 Cu 膜发生 Ni 原子与 Cu 原子的 相互扩散形成，Ni 膜与 Cu 膜的厚度比为 1:(3～10)。本发明避免了石 墨烯转移过程和图形化过程对石墨烯质量的破坏，减少了石墨烯缺陷 的数目，通过调整 Ni 膜与 Cu 膜的厚度，采用分段
华中科技大学
2021-04-14
一种石墨烯/Cu/Ni 复合电极及其制备方法
本发明公开了一种石墨烯/Cu/Ni 复合电极及其制备方法。复合 电极包括 Cu/Ni 合金层和覆盖在 Cu/Ni 合金层上的石墨烯薄膜；其中， Cu/Ni 合金层由 Ni 膜和覆盖在 Ni 膜上 Cu 膜发生 Ni 原子与 Cu 原子的 相互扩散形成，Ni 膜与 Cu 膜的厚度比为 1:(3～10)。本发明避免了石 墨烯转移过程和图形化过程对石墨烯质量的破坏，减少了石墨烯缺陷 的数目，通过调整 Ni 膜与 Cu 膜的厚度，采用分段
华中科技大学
2021-04-14
钳形表MG28
供中专技校学生测量电流、电压、电阻使用。
交流电流0-5-25-50-100-250-500A
交流电压0-50-250-500V
直流电流0-0.5-10-100mA
直流电压0-10-50-250-500V
电阻×10，×100，×1000.
杭州电表厂
2021-08-23
Ni 纳米线、NiO/Ni 自支撑膜及其制备方法和应用
本发明公开了一种 Ni 纳米线、NiO/Ni 自支撑膜及其制备方法和应用。所述 Ni 纳米线为平均长度 50,000 至 200,000nm 的超长纳米线；其制备方法为：首先配置 Ni 纳米线液相生长液；然后在外加磁场下制备 Ni 纳米线单质；最后分离纯化 Ni 纳米线。所述 NiO/Ni 自支撑膜包括所述 Ni 纳米线及其煅烧制得的表面为 NiO 的 Ni 纳米线；其制备方法为：首先将所述 Ni 纳米线分散在表面活性剂溶液中；然后抽滤将 Ni 纳米线转移到微孔滤膜上，制得 Ni 自支撑膜；最后将
华中科技大学
2021-04-14
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化, 乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成, 其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路, 是芯片的散热通道, 又是连结电路板的桥梁, 因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度, 高集成化方向发展, 芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料, 利用铜合金优良的传热性能, 加入少量强化元素, 通过固溶强化和弥散强化提高其强度, 同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。 一、Cu-Ni-Si系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：650～750MPa； 2.延伸率>8%； 3.导电率：45～60%IACS。 二、Cu-Fe-P系铜合金主要性能指标 1.抗拉强度σb：450～600MPa； 2.延伸率>7%； 3.导电率：60～80%IACS。
上海理工大学
2021-04-11
大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心，与国防和国民经济现代化，乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成，其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路，是芯片的散热通道，又是连结电路板的桥梁，因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位，目前，由于集成电路向高密度，高集成化方向发展，芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进，对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求，过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料，利用铜合金优良的传热性能，加入少量强化元素，通过固溶强化和弥散强化提高其强度，同时仅稍微损失导热性能。目前，铜合金框架已成为主体，形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前，由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距，我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前，本课题组通过一系列研究，开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金，并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。
上海理工大学
2021-04-13