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2-碘-1,4-对-苯二甲酸的制备
该成果以方便易得的原料成功地合成出 2-碘-1,4-对苯二甲酸。该研究成果为构建新型配合物型功能材料打下坚实的基础，已用该芳香有机化合物为配体成功地合成出了系列新型配合物型功能材料。 合成该有机化合物的原料易得，产品极易提纯，收率很高，合成成本较低，易于推广进行工业化生产
扬州大学
2021-04-14
二元RuS2多相催化剂的制备方法
（专利号：ZL 201310571564.6） 简介：本发明公开一种二元RuS2多相催化剂的制备方法，属于钌催化剂制备技术领域。该催化剂由载体和活性组分构成，载体为ZSM-5、SBA-15、γ-Al2O3以及SiO2中的任一种，活性组分为Ru，将RuCl3·3H2O溶于乙醇中，将载体放入其中，搅拌混合均匀后烘干，然后放入高压反应釜中程序升温至200～220℃进行预硫化，将预硫化后得到的黑色固体放入真空干燥箱烘干制得二元RuS2催化剂。本发
安徽工业大学
2021-01-12
一种低温制备CrB或CrB2粉体的方法
（专利号：ZL 201410219062.1） 简介：本发明公开了一种CrB或CrB2粉体的制备方法，属于陶瓷粉体制备技术领域。该制备方法是将摩尔比为1：4或1：6的氧化铬和无定形硼粉与一定量的熔盐混合均匀后，在惰性气体保护下在800～1100℃下热处理0.5～2h得到CrB或CrB2粉体。反应产生的副产物三氧化二硼和熔盐可通过用热水浸润溶解的方法去除。本发明方法合成温度低，合成周期短，采用的生产工艺简单、成本低廉、适合批量生产。所制备出
安徽工业大学
2021-01-12
一种Al2O3-SiC泡沫陶瓷及其制备方法
一种Al2O3-SiC泡沫陶瓷及其制备方法。其技术方案是：将60——85wt％的α-Al2O3、5——15wt％的碳源和10——30wt％的单质硅混合，制得混合料。将100份质量的所述混合料、0.5——2份质量的木质素磺酸铵和0.1——0.6份质量的聚羧酸盐混合，再与20——30份或30——40份质量的水一起搅拌，制得浆体Ⅰ或浆体Ⅱ。将聚氨酯海绵浸入到浆体Ⅰ中，浸渍后挤压或甩浆，干燥，得到预处理的泡沫陶瓷坯体；再用浆体Ⅱ进行喷涂，干燥，得到泡沫陶瓷坯体。将所述泡沫陶瓷坯体置入高温炉内，于埋炭气氛下，依次以1.5——2.5℃/min、0.5——1℃/min和2.5——3.5℃/min的速率升温至1300——1500℃，保温2.5——3.5h，即得Al2O3-SiC泡沫陶瓷。本发明制备的制品强度高、抗氧化性能好和抗热震性能优良。
（注：本项目发布于2015年）
武汉科技大学
2021-01-12
利用转炉 LT 灰制备氧化铁红（α-Fe 2 O 3 ）
LT 灰中主要含有铁氧化物（磁铁矿与赤铁矿）和硅酸盐（铁橄榄石和钙铁辉石、透辉石），它们物性差异较大，比磁化率在不同量级，利用其物性差异通过强磁场将铁氧化物和硅酸盐等杂质分离，实现氧化铁的富集与提取。提取后的氧化物再经过低温改性，即可制备α-Fe 2 O 3 产品。
北京科技大学
2021-04-13
一种In2Se3纳米线及其制备方法和应用
本发明提供一种In2Se3纳米线及其制备方法和应用。该In2Se3纳米线的制备方法包括如下步骤：第二载气将气相Se输送到含有催化剂的衬底上并与In2O3接触，再通入第一载气将In2O3还原，然后在所述衬底上沉积生长得到In2Se3纳米线。本发明制备方法简单高效，可以对纳米线的均匀度、直径、长度进行调控，制备得到的In2Se3纳米线克服了现有技术中In2Se3纳米线短而稀疏的劣势。
兰州大学
2021-01-12
一种厚度可控的纳米二氧化硅修饰毛细管柱的制备方法
本发明公开一种用于毛细管色谱内壁修饰固定相及其制备方法，其采用纳米SiO2颗粒作为修饰试剂，采用多层组装法在毛细管内壁修饰纳米SiO2修饰层，修饰好的纳米SiO2修饰层的厚度可控、修饰层厚度可在160～600nm间调节，有效地解决了毛细管电色谱的固定相柱容过低的问题。本方法一次修饰可获得6～7层纳米颗粒修饰层，三次修饰即可达到22～23层，修饰效率高，修饰时间短，毛细管内径选择范围广，是一种制备毛细管开柱的理想方法。
安徽建筑大学
2021-01-12
3-(1-芳基-2-(2-氮杂芳烃)乙基)-4-羟基香豆素及其制备方法
本发明为3-(1-芳基-2-(2-氮杂芳烃)乙基)-4-羟基香豆素及其制备方法，提供的制备方法以具有式II所示4-羟基香豆素、具有式III所示结构的芳香醛和具有式IV结构的2-烷基氮杂芳烃为原料，在有机溶剂中进行反应，得到具有式I所示结构的化合物。本发明采用“一锅法”合成了具有式I所示结构的3-（1-芳基-2-（2-氮杂芳烃）乙基）-4-羟基香豆素，合成方法操作简单，反应产率较高。而且，本发明提供
青岛农业大学
2021-01-12
蜂窝网络下的联合功率控制的D2D通信资源分配方法
高校科技成果尽在科转云
电子科技大学
2021-04-10
开关变换器双缘脉冲频率调制V2型控制方法及其装置
本成果来自国家科技计划项目，现已结题，并获国家发明专利授权（ZL201320031915.X），知识产权属于西南交通大学。该成果公开了一种开关变换器双缘脉冲频率调制V2型控制方法及其装置，根据基准电压Vref和输出电压Vos经过误差补偿器后生成的控制电压Vc与输出电压Vos的关系，结合预设的恒定导通时间或恒定关断时间，产生三段时间t1、t2和t3，每个周期依次采用t1、t2、t3组成的控制时序，控制开关变换器开关管的导通与关断。本成果可用于控制Buck变换器、Buck2变换器、Cuk变换器、Zeta变换器等开关变换器，其优点是：负载瞬态响应速度快，稳压精度高，稳定性好。
西南交通大学
2016-06-27