本实用新型公开一种基于ZigBee技术的住宅智慧照明系统，包括上位机、集中控制器和终端控制节点；所述上位机包括客户端和服务器，所述服务器分别与至少一个客户端和集中控制器连接；所述集中控制器包括主控制器、3G/4G模块和ZigBee协调器，所述主控制器分别与3G/4G模块和ZigBee协调器连接；所述ZigBee协调器通过ZigBee路由器与终端控制节点连接，所述终端控制节点包括至少一个单灯控制节点，所述单灯控制节点用于对节点灯进行检测和控制，并将检测的信息反馈至上位机。本实用新型具有结构简单、使用性

装配式钢结构住宅体系经过国内外科研单位和企业多年的研究，目前已取得了一定的成果和应用，但还存在以下问题： ①现有装配式钢结构住宅的核心技术偏重于主体结构，没有封闭成一套完整的建筑产品，因此各组成部分（建筑设计方案、结构设计方案、抗侧力体系、围护结构、三板方案）的衔接不足，存在诸多系统性问题。 ②缺乏与现行规范、规程有良好“接口”的设计方法和配套标准图集，以及相应的统一的可执行行业标准、构造方案和施工方案。 ③缺乏针对不同的地域、环境、使用功能的多套针对性的装配式钢结构建筑产品。针对上述问题，本研发团队提出一种基于减震耗能的高强全装配式钢结构住宅体系，提出一套完整的针对不同环境、不同使用工况，拥有主体结构（实腹式异形柱+钢格构柱组合体系（8-11 层）、 异形钢格构框架+钢格构剪力墙体系（15-18 层）、异形钢格构框架 +抗侧力体系 SSF-LRS（19-26 层））、抗侧力体系（四个系列 SSF-L RS）、楼板体系（皮卡汀尼楼板体系（皮卡汀尼梁+皮卡汀尼板+关 键连接节点））、墙板体系（带限位功能的 CF 自保温墙板），及相应的建筑、结构设计方案、成套设计方法、技术标准及图集、构造方案、施工方案及配套设备，进而形成一套封闭的拥有自主知识产权的钢结构装配式建筑产品。 该体系的创新型、先进性、独占性： （1）基于减震耗能的高强全装配式钢结构住宅体系是一套完整的全装配式钢结构建筑产品。该建筑体系包含主体结构、抗侧力体系（四个系列 SSF-LRS）、楼板体系、墙板体系。主体结构根据不同使用工况有四种组合方案：实腹式异形柱+钢格构柱组合体系 （8-11 层）、异形钢格构框架+钢格构剪力墙体系（15-18 层）、异 形钢格构框架+抗侧力体系 SSF-LRS（19-26 层）。抗侧力体系为四种适用于不同需求的全栓接装配式钢框架-抗侧力体系（SSF-LRS）。皮卡汀尼楼板体系包括 2 种形式的皮卡汀尼梁（翼缘型梁、箱型扁 梁）、4 种皮卡汀尼板（PTB60-310-930、PTB80-330-660、PTB110- 366-732、PTB130-390-750）、梁板连接节点、主次梁连接节点等。墙板体系为一种新型带限位功能的 CF 自保温墙板。整个建筑体系均为自主研发、自行设计，拥有完整的知识产权及独特、领先的技术优势。 （2）国内外已经开展一定数量有关钢板剪力墙、粘弹性阻尼器等的研究，但将二者结合起来研究还未见报道。由于问题的复杂性，相关结构类型的抗震性能研究只有少量的小比例试验。本研究对大比例的 SSF-LRS 体系进行循环加载试验，考虑不同的钢板截面形状、阻尼器布置数量、节点转动刚度对结构的动力特性和抗震性能的影响，属创新性的工作。本项目同时研发了一系列新型减震耗能及全栓接构件，为结构体系形成坚实的围护结构部分。 （3）提出一套基于减震耗能的高强全装配式钢结构住宅体系的设计方法、建筑设计方案、结构设计方案、构造方案、施工工艺及配套设备、产品模型、技术标准等，推动此研发成果在市场上的推广应用。

本发明涉及一种在泡沫炭材料表面原位合成Si3N4涂层的方法，属于新材料技术领域。其主要特点在于利用泡沫炭多孔结构及Si3N4纳米纤维复合体对自来水中颗粒及污染物的过滤和吸附功能实现软净水一体化功能。

本项目针对多高层住宅的特点，提出了与钢结构相适应的模数系统方案及系列房型 方案，为实现钢结构多高层住宅产业化需求的标准化与系列化奠定了基础。 应用领域： 研究取得 11 项专利，出版 4 部专著，形成了较完整的钢结构多高层住宅建筑体系、 结构体系、维护体系和钢结构防火的成套技术，成果直接用于了 24 个钢结构(钢混结构) 多高层住宅项目的建造，总建筑面积 122.4 万 m 2，5 个项目被列为建设部推广应用科技 示范工程，每年可节省采暖燃煤 4007.5 吨；项目成果还用于编制了多项国家和上海市 标准，对推广钢结构多高层节能住宅有积极意义。 

项目简介 一种在钛金属表面制备 Ti-Si-C 涂层的方法，其特征是它由涂层合金粉末片制备和 激光熔覆处理组成。其中，Ti 粉、Si 粉和石墨粉经混合球磨烘干后，在压片机上压制合 金粉末片，且涂层合金粉末片中各组分的原子个数百分比为：Ti 粉 50%，Si 粉 16.7%，C 粉 33.3 %。 产品性能、指标 本发明熔覆工艺性能优良，涂层组织致密，界面结合良好，主要组成相为 α-Ti、TiCx、 Ti5Si3 和 Ti3SiC2，组织为 α-Ti 基体＋

平面·UI、原画·插画、IT·技术、互联网·运营、其他设计等，零基础入门、精品小课。

TDA（芯片热设计自动化）软件是清华航院曹炳阳教授团队全自主研发的国际首个芯片跨尺度热仿真与设计系统。TDA软件可实现芯片从纳米至宏观尺寸的热设计与仿真，支持芯片微纳结构内部热输运过程的模拟研究，直接提高芯片热仿真精度与结温预测准确度，进而提高芯片性能、寿命和可靠性。

北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。

本发明涉及一种单相α‑Si3N4超细粉体及其制备方法。其技术方案是：先将5——30wt%的单质硅粉、15——45wt%的固态氮源和40——80wt%的卤化物粉混合均匀，制得混合物；再将所述混合物置入管式电炉内，在氮气气氛下以2——10℃/min的升温速率升至1000——1300℃，保温2——6小时；然后将所得产物用去离子水反复清洗，直至分别用AgNO3和Ca(NO3)2溶液滴定不再出现白色沉淀为止；最后在110℃条件下干燥10——24小时，即得单相α‑Si3N4超细粉体。本发明具有反应温度低、成本低、合成工艺简单、过程易于控制、产率高和产业化前景大的特点；所制备的单相α‑Si3N4超细粉体粒度为100——500nm，无杂相、活性高、颗粒团聚小和粒度分布均匀。 （注：本项目发布于2015年）

成果简介产品形象系统设计是工业设计的核心内容， 将技术与艺术进行了有机融合，基于机械工程学、 人机工程学、 美学、 设计学、 市场营销学等多学科知识， 着力解决产品外观造型设计、 色彩设计、 人机合理性、 制造工艺性等多方面问题， 从而有效提升产品形象、 彰显企业品牌特征。成熟程度和所需建设条件本项目先后成功应用于马鞍山环农机械制造有限公司、 宁波千普机械制造有限公司、 安徽三力机床制造有限公司、 安徽惊天液压智控股份有限公司、 南京欧优科学仪器制造有限公司