特色及先进性；技术指标 电子科技大学功率集成技术实验室（Power Integrated Technology Lab.-PITEL）自2008年就已经开展Si基GaN(GaN-on-Si)功率器件的研究，是国内最早开展GaN-on-Si功率半导体技术研究的团队。近年来在分立功率器件如功率整流器、增强型功率晶体管及其集成技术方面取得了突出的研究成果。2008年在被誉为“器件奥林匹克”的国际顶级会议IEDM上报道了GaN-on-Si开关模式Boost转换器，国际上首次实现了GaN-on-Si单片集成增强型功率晶体管和功率整流器。 GaN-on-Si功率整流器 提出一种GaN功率整流器新结构（Metal-Insulator-Semiconductor-Gated Hybrid Anode Diode），其结构如图2所示。新结构较传统GaN整流器具有更小的导通电阻，更低的开启电压和反向漏电。图3为MG-HAD和传统SBD正向开启特性特比，可以看出MG-HAD具有较小的开启电压（0.6V）和导通电阻（1.3mΩ?cm2）。图4可以看出器件直至150 ℃高温仍然保持优秀的反向阻断能力，以10μA/mm 为击穿电流标准，MG-HAD在常温下击穿电压超过1.1kV的仪器测量极限，150 ℃高温下击穿电压为770V。本器件结果能同时具有低导通电阻和高击穿电压，因而其baliga优值（BFOM）459 MW/cm2在已有GaN-on-Si功率二极管报道中为第二高值，见图5所示。

研究方向：电膜分离过程在水质净化、纯化、废水深度处理和特种化 工分离中的应用；膜法清洁生产技术；新型集成膜过程的开发及应用 研究（纯水与超纯水制备、水深度软化、海水及苦咸水淡化、基于“膜 -电”耦合的有机酸、有机碱。 项目简介： 本项目为针对高端住宅、机关集团、学校、医院、居民小区、集 中居住区等安全饮水而提供的成套中央净水技术与设备。整个系统采 用分质供水设计，能够提供净化水、软化水、直饮水和生活杂用水， 满足家庭、集团及社区的多种用水需求，最大程度利用水资源

模块化全装配预制混凝土结构住宅体系将单一住户作为一个预制单元，各预制单元 通过横向拼接形成一个住宅楼层。其中单个预制单元包括其墙体及上部楼板，拼接部位 预制墙体设置单片钢筋网，墙体厚度取标准厚度的 1/2。相邻半墙以及墙体开洞部位上 方半梁采用分布螺栓实现横向拼接，悬挑半梁的横向拼接及纵向连接同样采用螺栓连接 方式。各住宅楼层通过单元墙体及拼接墙体底部设置连接件，实现楼层间的竖向连接， 最终形成一栋住宅建筑。本成果涉及两项发明专利“一种全装配式预制混凝土结构的连 接 系 统 ” （ 201210052417.3 ） 和 “ 单 元 式 全 装 配 预 制 混 凝 土 结 构 住 宅 体 系 ” （201210052419.2）。 

本实用新型公开一种基于ZigBee技术的住宅智慧照明系统，包括上位机、集中控制器和终端控制节点；所述上位机包括客户端和服务器，所述服务器分别与至少一个客户端和集中控制器连接；所述集中控制器包括主控制器、3G/4G模块和ZigBee协调器，所述主控制器分别与3G/4G模块和ZigBee协调器连接；所述ZigBee协调器通过ZigBee路由器与终端控制节点连接，所述终端控制节点包括至少一个单灯控制节点，所述单灯控制节点用于对节点灯进行检测和控制，并将检测的信息反馈至上位机。本实用新型具有结构简单、使用性

本发明涉及一种在泡沫炭材料表面原位合成Si3N4涂层的方法，属于新材料技术领域。其主要特点在于利用泡沫炭多孔结构及Si3N4纳米纤维复合体对自来水中颗粒及污染物的过滤和吸附功能实现软净水一体化功能。

装配式钢结构住宅体系经过国内外科研单位和企业多年的研究，目前已取得了一定的成果和应用，但还存在以下问题： ①现有装配式钢结构住宅的核心技术偏重于主体结构，没有封闭成一套完整的建筑产品，因此各组成部分（建筑设计方案、结构设计方案、抗侧力体系、围护结构、三板方案）的衔接不足，存在诸多系统性问题。 ②缺乏与现行规范、规程有良好“接口”的设计方法和配套标准图集，以及相应的统一的可执行行业标准、构造方案和施工方案。 ③缺乏针对不同的地域、环境、使用功能的多套针对性的装配式钢结构建筑产品。针对上述问题，本研发团队提出一种基于减震耗能的高强全装配式钢结构住宅体系，提出一套完整的针对不同环境、不同使用工况，拥有主体结构（实腹式异形柱+钢格构柱组合体系（8-11 层）、 异形钢格构框架+钢格构剪力墙体系（15-18 层）、异形钢格构框架 +抗侧力体系 SSF-LRS（19-26 层））、抗侧力体系（四个系列 SSF-L RS）、楼板体系（皮卡汀尼楼板体系（皮卡汀尼梁+皮卡汀尼板+关 键连接节点））、墙板体系（带限位功能的 CF 自保温墙板），及相应的建筑、结构设计方案、成套设计方法、技术标准及图集、构造方案、施工方案及配套设备，进而形成一套封闭的拥有自主知识产权的钢结构装配式建筑产品。 该体系的创新型、先进性、独占性： （1）基于减震耗能的高强全装配式钢结构住宅体系是一套完整的全装配式钢结构建筑产品。该建筑体系包含主体结构、抗侧力体系（四个系列 SSF-LRS）、楼板体系、墙板体系。主体结构根据不同使用工况有四种组合方案：实腹式异形柱+钢格构柱组合体系 （8-11 层）、异形钢格构框架+钢格构剪力墙体系（15-18 层）、异 形钢格构框架+抗侧力体系 SSF-LRS（19-26 层）。抗侧力体系为四种适用于不同需求的全栓接装配式钢框架-抗侧力体系（SSF-LRS）。皮卡汀尼楼板体系包括 2 种形式的皮卡汀尼梁（翼缘型梁、箱型扁 梁）、4 种皮卡汀尼板（PTB60-310-930、PTB80-330-660、PTB110- 366-732、PTB130-390-750）、梁板连接节点、主次梁连接节点等。墙板体系为一种新型带限位功能的 CF 自保温墙板。整个建筑体系均为自主研发、自行设计，拥有完整的知识产权及独特、领先的技术优势。 （2）国内外已经开展一定数量有关钢板剪力墙、粘弹性阻尼器等的研究，但将二者结合起来研究还未见报道。由于问题的复杂性，相关结构类型的抗震性能研究只有少量的小比例试验。本研究对大比例的 SSF-LRS 体系进行循环加载试验，考虑不同的钢板截面形状、阻尼器布置数量、节点转动刚度对结构的动力特性和抗震性能的影响，属创新性的工作。本项目同时研发了一系列新型减震耗能及全栓接构件，为结构体系形成坚实的围护结构部分。 （3）提出一套基于减震耗能的高强全装配式钢结构住宅体系的设计方法、建筑设计方案、结构设计方案、构造方案、施工工艺及配套设备、产品模型、技术标准等，推动此研发成果在市场上的推广应用。

项目简介 一种在钛金属表面制备 Ti-Si-C 涂层的方法，其特征是它由涂层合金粉末片制备和 激光熔覆处理组成。其中，Ti 粉、Si 粉和石墨粉经混合球磨烘干后，在压片机上压制合 金粉末片，且涂层合金粉末片中各组分的原子个数百分比为：Ti 粉 50%，Si 粉 16.7%，C 粉 33.3 %。 产品性能、指标 本发明熔覆工艺性能优良，涂层组织致密，界面结合良好，主要组成相为 α-Ti、TiCx、 Ti5Si3 和 Ti3SiC2，组织为 α-Ti 基体＋

本项目针对多高层住宅的特点，提出了与钢结构相适应的模数系统方案及系列房型 方案，为实现钢结构多高层住宅产业化需求的标准化与系列化奠定了基础。 应用领域： 研究取得 11 项专利，出版 4 部专著，形成了较完整的钢结构多高层住宅建筑体系、 结构体系、维护体系和钢结构防火的成套技术，成果直接用于了 24 个钢结构(钢混结构) 多高层住宅项目的建造，总建筑面积 122.4 万 m 2，5 个项目被列为建设部推广应用科技 示范工程，每年可节省采暖燃煤 4007.5 吨；项目成果还用于编制了多项国家和上海市 标准，对推广钢结构多高层节能住宅有积极意义。 

北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。

小试阶段/n本发明解决单相α-Si3N4超细粉体制备技术存在的问题，如原料价格高、工艺过程复杂、不易控制、能耗高和工业化程度低，所制备的产品纯度低、粉体颗粒粒径分布不均匀和Alpha相含量低。本发明具有反应温度低、成本低、合成工艺简单、过程易于控制、产率高和产业化前景大的特点；所制备的单相α-Si3N4超细粉体粒度为100~500nm，无杂相、活性高、颗粒团聚小和粒度分布均匀。本发明处于待转化阶段，应用范围广阔，市场前景可观，预期经济效益优异。