高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台
高校科技成果转化对接服务平台
大学生创新创业服务平台
登录
|
注册
|
搜索
搜 索
综合
项目
产品
日期筛选:
一周内
一月内
一年内
不限
射频
集成电路
与系统以及数模混合
集成电路
具有有源电感结构的前馈共栅跨阻放大器电路,双负反馈前馈共栅差分结构跨阻放大器电路
东南大学
2021-04-13
碳基CMOS
集成电路
技术
发展了高性能、低功耗碳基CMOS集成电路技术,性能和功耗全面超越现有技术,有望成为未来主流信息器件。发表了包括两篇Science在内的SCI论文150余篇;相关成果两获国家自然科学二等奖以及其他重要奖励,多次被NatureIndex等专题报道。
北京大学
2021-02-22
压印法
集成电路
光刻
技术
本项目提出一种创新的集成电路(IC)制造工艺路线,即压印光刻(Imprint Lithography-IL)技术,并对该技术相关的压印和脱模工艺机理、紫外光固化阻蚀胶材料的物化和工艺特性、与IC制造其它工艺的综合集成和优化、压印光刻设备的关键技术等进行研究和技术开发。其基本原理为:以电子束直写刻蚀(或其它刻蚀技术)生成IC图型母板(模具),以母板(模具)步
西安交通大学
2021-01-12
集成电路
与微显示
技术
集成电路设计 南开大学微电子专业以集成电路设计为主要发展目标,现有一批集成电路设计的师资力量,具有现成的教学体系,能够在数模混合集成电路、射频集成电路、SoC系统集成设计等方面提供技术服务。 我们具有10余批次集成电路流片的经验,具有集成电路设计与实践的软硬件条件,建
南开大学
2021-04-14
超高速光通信
集成电路
与系统、射频
集成电路
与系统以及数模混合
集成电路
1.4×25Gb/s NRZ Optical Transmitter and Receiver; 2.50G PON Burst Mode TIA; 3.4×56Gbaud/s PAM4 Optical Transmitter and Receiver。 陈莹梅教授团队于2015年至2020年期间,共承接华为技术有限公司、海思光电子有限公司等多家企业的横向合作项目9项,其中10G线性均衡器芯片已在海思商用,高速以太电口模拟器已在华为量产,24路总传输速率1.344Tb/s的数控可调衰减器芯片正在华为量产准备中。
东南大学
2021-04-13
集成电路
测试仪
集成电路测试仪是用于IC生产线的自动测试仪器,由电子科大自动化学院自动控制工程中心团队研制。测试仪能够测试多种模拟集成电路、数字集成电路和数模混合电路。仪器模拟通道的最大电压测试能力为±32V,最大电流测试能力是±2A。 集成电路测试仪能够提供标准的TTL接口信号,可以与生产现场的分选设备配合使用,完成集成电路的自动测试和分选工作,1小时可以测试上千只芯片。 集成电路测试仪具有测试精度高、测试速度快、稳定性好、可编程等特点,用户可以根据需要,自己编写测试程序,完成测试和分选工作。该集成电路测试技术已取得三项发明专利。
电子科技大学
2021-04-10
集成电路
测试仪
集成电路测试仪是用于IC生产线的自动测试仪器,由电子科大自动化学院自动控制工程中心团队研制。测试仪能够测试多种模拟集成电路、数字集成电路和数模混合电路。仪器模拟通道的最大电压测试能力为±32V,最大电流测试能力是±2A。集成电路测试仪能够提供标准的TTL接口信号,可以与生产现场的分选设备配合使用,完成集成电路的自动测试和分选工作,1小时可以测试上千只芯片。
电子科技大学
2021-04-10
集成电路
测试仪
成果简介: 集成电路测试仪是用于IC生产线的自动测试仪器,由电子科大自动化学院自动控制工程中心团队研制。测试仪能够测试多种模拟集成电路、数字集成电路和数模混合电路。仪器模拟通道的最大电压测试能力为±32V,最大电流测试能力是±2A。 集成电路测试仪能够提供标准的TTL接口信号,可以与生产现场的分选设备配合使用,完成集成电路的自动测试和分选工作,1小时可以测试上千只芯片。 集成电路测试仪具有测试精度高、测试速度快、稳定性好、可编程等特点,用户可以根据需要,自己编写测试程序,完成测试和分选工作。该集成电路测试技术已取得三项发明专利。
电子科技大学
2017-10-23
集成电路
制造工艺虚拟仿真
集成电路制造工艺虚拟仿真是模拟实际工厂,对集成电路产业的晶圆制造、芯片制造和封装制造工艺,与真实生产操作环境和工艺环境下的虚拟现实仿真。
安徽青软晶芒微电子科技有限公司
2021-12-16
用于
集成电路
的静电放电触发
电路
本实用新型公开了用于集成电路的静电放电触发电路,通过在电路中设置由 NOMS 晶体管和 PMOS 晶体管组成的反相器、 BigFET 晶体管、低阈值电压 NMOS 晶体管使电路实现释放静电放电电流( ESD )的功能,且在电路中采用 NMOS 晶体管代替传统的电容器,在能够有效的释放静电放电( ESD )电流的同时,避免使用比较大的电阻和电容而带来的浪费芯片面积的问题。同时采用低阈值 MOS 管,使 BigFET 栅上的电荷快速泄放干净,没有漏电产生。
辽宁大学
2021-04-11
首页
上一页
1
2
3
4
5
6
...
732
733
下一页
尾页
热搜推荐:
1
第62届高博会将于2024年11月重庆举办
2
2024年云上高博会产品征集
3
征集高校科技成果及大学生创新创业项目