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大规模集成电路用引线框架Cu-Ni-Si系、 Cu-Fe-P系合金
集成电路是微电子技术的核心,与国防和国民经济现代化,乃至人们的文化生活都息息相关。集成电路由芯片和框架经封装而成,其中框架既是骨架又是半导体芯片与外界的联接电路,是芯片的散热通道,又是连结电路板的桥梁,因此框架在集成电路器件和各组装程序中占有极其重要的地位,目前,由于集成电路向高密度,高集成化方向发展,芯片的散热问题已成为突出矛盾。集成电路大规模和超大规模的迅速推进,对集成电路框架及材料提出了高、精、尖、短、小、轻、薄的要求,过去广泛使用的铁镍42合金已不能满足要求。而铜合金框架材料,利用铜合金优良的传热性能,加入少量强化元素,通过固溶强化和弥散强化提高其强度,同时仅稍微损失导热性能。目前,铜合金框架已成为主体,形成了中强中导、高强中导、高强高导合金系列。以前,由于在合金的熔炼工艺、轧制和热处理工艺以及板型控制等关键技术与国外先进水平有较大差距,我国所使用的大规模集成电路引线框架材料长期以来都是依靠进口。目前,本课题组通过一系列研究,开发了具有自主知识产权的Cu-Ni-Si系合金,并实现了Cu-Fe-P 系合金铜带和异型带的国产化大规模生产。
上海理工大学 2021-04-13
有关大规模硅基集成高维光量子芯片的工作
利用大规模集成硅基纳米光量子芯片技术,实现对高维度光量子纠缠体系的高精度和普适化量子调控和量子测量。 (图一)基于硅纳米光波导的大规模集成光量子芯片(可实现对高维量子纠缠体系的高精度、可编程、且任意通用量子操控和量子测量)       集成光学量子芯片技术,基于量子力学基本物理原理,使用半导体微纳加工工艺实现单片集成光波导量子器件(包括单光子源、量子操控和测量光路,以及单光子探测器等),可以实现对量子信息的载体单光子进行处理、计算、传输和存储等。集成光学量子芯片具有集成度高、稳定性高、性能好、体积小、制造成本低等诸多优点。因此,该技术被普遍认为是一种实现光量子信息应用的有效技术手段。      利用硅基纳米光波导技术实现的光量子芯片具有诸多独特优点,例如与传统微电子加工工艺兼容、可集成度高、非线性效用强、以及工作波长与光纤量子通信兼容等。然而,迄今为止光量子芯片的复杂度仅限于小规模的演示,如集成少数马赫-曾德干涉仪对光子态进行简单操控。因此,我们迫切需要扩大集成量子光路的复杂性和功能性,增强其量子信息处理技术的能力,从而推进量子信息技术的应用。       相干且精确地控制复杂量子器件和多维纠缠系统是量子信息科学和技术领域的一项难点。相对于目前普遍采用的二维体系量子技术,高维体系量子技术具有信息容量大、计算效率高、以及抗噪声性强等诸多优点。最近,多维度量子纠缠系统已分别在光子、超导、离子和量子点等物理体系中实现。利用光子的不同自由度,如轨道角动量模式、时域和频域模式等,可以有效编码和处理多维光量子态。然而,实现高保真度、可编程、及任意通用的高维度量子态操控和量子测量,依然面临很多困难和挑战。       针对上述问题,英国布里斯托尔大学、北京大学、丹麦技术大学、德国马普研究所、西班牙光学研究所和波兰科学院的科研人员密切合作,并取得了突破性进展。研究团队提出并实现了一种新型的多路径加载高维量子态方式,即每个光子以量子叠加态的形式同时存在于多条光波导路径,从而实现了一个高达15×15的高维量子纠缠系统。通过可控地激发16个参量四波混频单光子源阵列,可以制备具有任意复系数的高维度量子纠缠态。通过单片集成通用型线性光路,可对高维量子纠缠态进行任意操控和任意测量。因此,该多路径高维量子方案具有任意通用性。与此同时,团队充分利用集成光路的高稳定性和高可控性,实现了高保真度的高维量子纠缠态,如4、8和12维度纠缠态的量子态层析结果分别为96、87% 和 81%保真度,远超其他方式制备的高维量子纠缠态性能。       更重要的是,团队通过硅基纳米光子集成技术,实现了目前集成度最复杂的光量子芯片(图一所示),单片集成550多个光量子元器件,包括16个全同的参量四波混频单光子源阵列、93个光学移相器、122个光束分束器、256个波导交叉结构以及64个光栅耦合器,从而达到对高维量子纠缠体系的高精度、可编程、且任意通用量子操控和量子测量。       研究进一步利用该高维光量子芯片技术,验证高维度量子纠缠系统的强量子纠缠关联特性,包括普适化贝尔不等式和EPR导引不等式等,证明量子物理和经典物理定律的重要区别。例如,对4维度量子纠缠态,实验观察得到了2.867±0.014的贝尔参数,不仅成功违背经典物理定律61.9个标准差,而且超过普通二维纠缠体系的最大可到达值的2.8个标准差。研究还首次实现高维量子系统的贝尔自检测和量子随机放大等新功能,例如,对3维度最大纠缠态和部分纠缠态的自检测保真度约为76%,对14维以下纠缠态均实现了量子随机放大功能。
北京大学 2021-04-11
光-浪-流集成一体化发电装置
        技术成熟度:技术突破         目前的潮流能发电机组以直驱液压变桨及带变速箱的液压变桨为主,其发电机和变速箱均采取机械动密封方式进行密封防水处理,海洋环境下,机械动密封的可靠性和运行效率往往冲突,密封层级多运行阻力大,效率低,密封层级少,密封可靠性差,机组的运行可靠性大大降低。光伏、波浪、海流一体化集成发电,波浪能与海流能水轮机对转并通过磁力耦合驱动发电机增速,具有多能互补、高效获能、转换效率高、结构简单、运行可靠等特点,为规模化海洋能开发提供创新型设计。         意向开展成果转化的前提条件:中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学 2025-05-16
光子晶体液相芯片
液相芯片在多元生物分析中具有重要应用,而与该技术相关的知识产权都被国外的公司垄断,因此我国有必要开发原创性的液相芯片技术。本课题组即以此为目标,进行具有自主知识产权的“光子晶体编码液相芯片技术”研究和开发。在该研究领域,我们对微流控乳化技术及纳米粒子有序组装进行了系统的研究,确立了光子晶体编码微球的制备方法;提出了微载体解码及检测的图像分析方法,构建了用于光子晶体微球液相芯片技术的检测平台;开发了肿瘤等疾病的诊断试剂盒,证明了光子晶体液相芯片技术的应用能力。
东南大学 2021-04-10
新型能谷光子晶体
一种新型能谷光子晶体。利用其内禀的能谷自由度,在不依赖自旋轨道耦合效应前提下,实现了能谷附近的能带劈裂,从而提出了类比电子能谷霍尔效应的光学赝自旋-路径关联传输,即光子能谷霍尔效应。通过分析该普通光子晶体内的手征量,实现了赝自旋能流的单向传输。更为有趣的是,文章还在单一体系中,对能谷和拓扑两个自由度进行独立调控,实现了全新的拓扑光子界面态。研究表明,实现有效的拓扑光场调控,将有利于更多基本量子物理问题的实验证实;同时,也为下一代光信息传输和处理,尤其是在光自旋和轨道角动量运用等方面,带来了新的有益启示。
中山大学 2021-04-13
高性能低成本铸造Al-Si合金
本成果源自于教育部博士点基金项目和江苏省自然科学基金项目。铸造Al-Si合金是两大传统结构材料之一,广泛应用在航空航天工业,军事工业,汽车工业,电力工业,机械工业中。本项目的合金体系是Al-(11.0%-13.0%)Si-(0.3%-0.5%)Mg,属近共晶类合金。
东南大学 2021-04-10
高性能低膨胀铝基复合材料及构件
卫星在轨运行和返回过程中需经历极端高低温环境,构件尺寸的稳定是保证卫星在轨高精度、返回高安全、任务高可靠的关键。针对卫星搭载的某宽带微波载荷与卫星本体材料之间热膨胀系数不匹配极易导致的载荷在轨及返回过程中载荷接收精度不稳定、信息传输不连续等问题。我校陈骏教授团队以原创的负热膨胀技术研发了具有轻质、热膨胀系数低、力学性能优异、尺寸稳定性好的高性能低膨胀铝基复合材料,并研制了系列关键连接内置件、环件等高性能低膨胀构件,首次将负热膨胀技术应用到我国的卫星上,填补了高性能低膨胀金属构件在工程应用领域的空白。该技术使得某宽带微波载荷与卫星本体之间热膨胀匹配性增强、界面应力大幅度减小,保证了卫星在轨与返回过程中信号高精度传输与接收,助力卫星成功返回。 图1 实践十九号卫星成功返回(图片来源国家航天局) 图2 高性能低膨胀铝基复合材料及构件应用于全球首颗可重复使用返回式技术试验卫星(图片来源央视新闻频道)
北京科技大学 2025-05-21
二阶拓扑光子晶体
  基于这一新型光子晶体平板结构,研究团队完成了零维拐角模式的实验验证。零维拐角模式是二阶拓扑光子晶体与拓扑平庸光子晶体形成拐角时支持的本征模式,其中由偶极极化的一维边界态构建的零维拐角模式因其实验难度大还仍未被实验证实。团队利用高精度微波近场扫描平台对该零维拐角模式进行了直接成像,实验测量结果与数值模拟结果高度吻合,提供了强有力的实验证据。零维拐角模式为诸如高品质因子腔模等新型光场调控提供了设计新思路,同时在增强光学非线性效应、片上激光光源和光学传感等方面也具有潜在的应用前景。
中山大学 2021-04-13
高速相干光子保密机
已有样品/n高速率光信息传输安全性问题未得到很好解决。一方面光信号截获技术在国内外都取得重大进展,国内外已经研究成功多种光通信信号的截获装置。另一方面,量子计算等高性能计算技术的快速发展,严重威胁基于密码学的传统加解密通信技术的安全性。已有的抗截获光通信技术,或者是安全性受到高性能计算挑战(电域数据加密);或者是受色散及信道噪声影响,难以实现长距离传输(光混沌);或者是受光器件限制,难以实现高安全性;或者是虽然安全性
华中科技大学 2021-01-12
一种石墨烯基双模混合集成电控液晶微透镜阵列芯片
本发明公开了一种石墨烯基双模混合集成电控液晶微透镜阵列,包括阵列化控光架构、第一驱控信号输入端口和第二驱控信号输入端口,阵列化控光架构的上下层之间顺次设置有第一基片、微圆孔形图案化石墨烯电极、第一液晶定向层、第一液晶层、第二液晶定向层、石墨烯共地电极、第二基片、第三液晶定向层、第二液晶层、第四液晶定向层、微圆环孔形图案化石墨烯电极、第三基片,微圆孔形图案化石墨烯电极、石墨烯共地电极和微圆环孔形图案化石墨烯电极分别
华中科技大学 2021-04-14
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