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光子-激子强耦合相互作用
构建了多激子与单个表面等离激元模式耦合相互作用的全量子理论，给出了简洁的实现强耦合作用的“量子光学极限条件”。依据该理论，研究团队精心设计和制备出方形银包金纳米棒结构，实现了将光子局域在71 nm3 的超小模体积内，同时，巧妙地实现了单激子偶联以及小于0.9 nm的超短作用距离的精确控制，最终实现了单个J-aggregate激子与单根纳米方棒之间高达～41.6 meV的耦合作用强度，在室温下成功观测到1-7个激子与单个等离激元纳米方棒的强耦合相互作用。
中山大学
2021-04-13
泡沫炭表面原位合成Si3N4涂层材料
本发明涉及一种在泡沫炭材料表面原位合成Si3N4涂层的方法，属于新材料技术领域。其主要特点在于利用泡沫炭多孔结构及Si3N4纳米纤维复合体对自来水中颗粒及污染物的过滤和吸附功能实现软净水一体化功能。
中国地质大学（北京）
2021-02-01
单像素光子计数成像教学机
单像素光子计数成像以一个像素的点探测器利用空间光调制实现二维空间分辨测量，可以在二维空间的分布中节约一个维度，相比面阵列探测器节约了成本，并能用于更多的谱段成像，同时由于大幅提高了测量光通量，在极弱光条件下具有独特的优势。基于压缩感知理论发展出的光子计数单像素相机，采用统计模型进行随机调制，进而实现光子计数成像，该成像技术在太赫兹成像、显微成像、机器视觉等诸多应用领域得到了广泛应用。目前缺少能够帮助学生深刻地理解单像素光子计数成像的基础知识以及压缩感知理论的用于教学的单像素光子计数成像设备，故此设计本设备，以帮助大学生理解光子计数成像的基本原理与应用。
图1.单像素光子计数成像设备样机
北京理工大学
2023-05-12
在钛合金表面制备 Ti-Si-C 涂层的方法
项目简介 一种在钛金属表面制备 Ti-Si-C 涂层的方法，其特征是它由涂层合金粉末片制备和 激光熔覆处理组成。其中，Ti 粉、Si 粉和石墨粉经混合球磨烘干后，在压片机上压制合 金粉末片，且涂层合金粉末片中各组分的原子个数百分比为：Ti 粉 50%，Si 粉 16.7%，C 粉 33.3 %。 产品性能、指标 本发明熔覆工艺性能优良，涂层组织致密，界面结合良好，主要组成相为 α-Ti、TiCx、 Ti5Si3 和 Ti3SiC2，组织为 α-Ti 基体＋
江苏大学
2021-04-14
数模混合集成电路、射频集成电路、SoC 系统集成等 技术
项目简介： 南开大学微电子专业以集成电路设计为主要发展目标，现有一批 集成电路设计的师资力量，具有现成的教学体系，能够在数模混合集 成电路、射频集成电路、SoC 系统集成设计等方面提供技术服务。 具有 10 余批次集成电路流片的经验，具有集成电路设计与实践 的软硬件条件，支持设立集成电路设计实验基地，支持集成电路设计 的小微企业的创立和发展，提供技术培训、设计实验和合作开发等。
南开大学
2021-04-11
单双光子路径染料@MOF白光材料
同时利用紫外光激发的单光子过程和近红外光激发的双光子过程，成功获得了双路径光子转换的染料@MOF白光材料。该MOF结构设计中的四苯乙烯骨架配体和所吸附的有机染料分子，均同时具有单光子吸收(OPA)和双光子吸收(TPA)激发荧光的特性。经过对材料组成、激发波长、双光子吸收截面等诸多因素的精准调控，最终成功获得了不同含量的RhB+@LIFM-WZ-6、BR-2+@LIFM-WZ-6和APFG+@LIFM-WZ-6的染料@MOF白光材料体系，而后分别在365 nm紫外光和730~800 nm近红外光的激发下，经由单光子路径和双光子路径过程，成功实现了能量下转换和上转换的白光发射。上述研究将不同路径的光子转换机制成功运用于白光发射材料的设计，并为光化学和光物理的其他相关领域提供了新的研究思路。
中山大学
2021-04-13
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
一种单相α-Si3N4超细粉体及其制备方法
小试阶段/n本发明解决单相α-Si3N4超细粉体制备技术存在的问题，如原料价格高、工艺过程复杂、不易控制、能耗高和工业化程度低，所制备的产品纯度低、粉体颗粒粒径分布不均匀和Alpha相含量低。本发明具有反应温度低、成本低、合成工艺简单、过程易于控制、产率高和产业化前景大的特点；所制备的单相α-Si3N4超细粉体粒度为100~500nm，无杂相、活性高、颗粒团聚小和粒度分布均匀。本发明处于待转化阶段，应用范围广阔，市场前景可观，预期经济效益优异。
武汉科技大学
2021-01-12
光-浪-流集成一体化发电装置
技术成熟度：技术突破
目前的潮流能发电机组以直驱液压变桨及带变速箱的液压变桨为主，其发电机和变速箱均采取机械动密封方式进行密封防水处理，海洋环境下，机械动密封的可靠性和运行效率往往冲突，密封层级多运行阻力大，效率低，密封层级少，密封可靠性差，机组的运行可靠性大大降低。光伏、波浪、海流一体化集成发电，波浪能与海流能水轮机对转并通过磁力耦合驱动发电机增速，具有多能互补、高效获能、转换效率高、结构简单、运行可靠等特点，为规模化海洋能开发提供创新型设计。
意向开展成果转化的前提条件：中试放大及产业化工艺开发资金支持
东北师范大学
2025-05-16
粉煤灰基免烧免蒸砖
粉煤灰基免烧免蒸砖是一种新型的建筑材料，它利用粉煤灰、电石渣、石膏等工业废弃物作为主要粉体原料，以减水剂、缓凝剂等添加剂作为辅助材料，通过一定的工艺方法进行加工制作，从而生产出具有一定强度和耐久性的砖块，以取代传统的烧制成型的砖块。这种不经高温煅烧而制造的一种新型砖类建筑材料对环境保护具有重要意义，在减少自然资源消耗的同时，有效的减少工业废弃物对环境的污染。在建筑材料市场，粉煤灰基免烧免蒸砖由于其环保特性，并且在施工过程中具有一定的便利性和经济性，从而具有较大的竞争优势。这种新型材料具有绿色环保、高强度、轻质等特点，是砖类建材领域对固体废弃物资源化利用的理想应用方向。
技术特点
环保：粉煤灰基免烧免蒸砖以粉煤灰、电石渣、石膏等工业废弃物作为主要粉体原料，可以减少对自然资源的消耗，使工业废弃物得到有效利用，有利于环境保护。
高强度：采用特定工艺进行加工处理，使得粉煤灰基免烧免蒸砖具有一定的抗压强度和耐久性，通过对工艺配比的调控，可以制备出满足不同需求的砖体，其28天强度为30-60 MPa。
轻质：相较传统的砖体材料而言，粉煤灰基免烧免蒸砖具有较轻的重量有利于施工和运输。
生产工艺简单：不需要进行复杂工业合成，只需将不同粉体进行充分混合，然后制作成型。生产设备简单易使用，可以在适当的设备条件先进行规模化量产。
安全：在实际生产操作中不需要使用高浓度氢氧化钠溶液进行活化，降低了施工人员的危险。
济南大学
2024-07-29