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安徽大学在氮化镓功率器件研究领域取得新进展
近日，我校物质科学与信息技术研究院唐曦教授课题组与电气工程与自动化学院胡存刚教授、曹文平教授课题组在氮化镓功率器件领域取得最新研究进展，在氮化镓GaNHEMT方向取得突破。
安徽大学
2022-06-01
SiC颗粒增强铝基复合材料
将高性能陶瓷增强体加入到金属的铝基体中，制成铝基复合材料，得到单一材料所不具有的强度、模量、塑性等各种优异性能，且性能可以通过人工设计和复合而进行控制。材料性能达到国际领先水平，建立了国内第一个航天铝基复合材料技术标准，形成了高性能铝基复合材料的批量、多品种研制和生产能力，并成功推广应用。
上海交通大学
2023-05-09
高可靠性高中低压超级结汽车功率电子器件
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室引进了多名来自英飞 凌公司器件部门的归国人才，其中上海市千人计划引进人才 2 人，国 家万人计划中青年科技创新领军人才 1 人。近年来引进人才在集成电 路新型器件研究方向取得了多项处于国际领先水平的器件技术。比如 2013 年发表在美国《科学》杂志上的半浮栅器件，是国内首次发表 在这类高水平杂志上的原创成果。主要技术:1) 新型低压超级结结构及制造专利技术2)
复旦大学
2021-01-12
双电源多热源炉生产SiC新技术
双电源多热源炉生产SiC新技术历经二十多年的研发，经过了实验室小试、数值计算和计算机模拟研究、中试研究和工业性试验研究，技术先进、成熟、稳定，2002年被鉴定为国际领先水平，2003年获青海省科技进步三等奖。已在青海、宁夏、新疆等地进行技术推广，建立生产线3条，创产值3亿多元，取得了巨大的社会效益和经济效益
西安科技大学
2021-04-11
α-SiC微粉颗粒表面改性的工业生产方法
西安科技大学多年从事 SiC 冶炼和烧结技术的研发，并在全国获得了多项实际应用。通过对 α-SiC 粉末表面改性方法的研究，可大大地提高重结晶性 SiC 的烧结能力，降低烧结温度，获得纯度更高、密度更大的重结晶 SiC 烧结块。该技术业已获得国家发明专利。
西安科技大学
2021-04-11
面向大功率开关电源器件的铁硅粉芯关键生产工艺开发
：铁硅粉芯是一种新型复合软磁材料，主要用于 替代传统开了气隙的硅钢、铁氧体及非晶等材料，作为电感器 和电抗器的磁芯，用于对直流叠加要求较高的大功率光伏逆变 器、风电变流器、电动汽车充电机、变频空调、有源滤波器、 UPS 电源等新能源与节能电力电子系统。 铁硅粉芯在器件中的作用是实现电磁能量转换，其与绕制 线圈一起组成的各种磁性器件在电力电子系统中起到功率因数 校正和滤波
合肥工业大学
2021-04-14
柔性储能器件及传感器件
利于层状纳米材料比表面积大的特点，在碳基柔性衬底上制备了高性能柔性 超级电容器，及葡萄糖传感器。超级电容器的能量密度最大为50.2Whkg-1,功 率密度为8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充电1分钟能点亮两只绿色LED灯3 到5分钟。性能处于国际先进水平，成果先后发表于JALC0M , 714(2017) 63-70； 763 (2018) 926-934 等。
重庆大学
2021-04-11
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
上限低，可反向导通，dv/dt扰动和di/dt扰动等。该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。 半桥GaN栅驱动电路主要指标为： ？ 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入 ？ 1.2A/5A 峰值上拉和下拉电流 ？ 高端浮动电压轨到100V ？ 0.6Ω/2.1Ω 下拉和上拉电阻 ？ 快速的延迟时间 (28ns typ) ？ 非常优越的延时匹配（1.5ns typ）
电子科技大学
2021-04-10
针对下一代功率半导体GaN器件的高频栅驱动电路设计技术
该项成果设计出适用于N型常关GaN器件的半桥栅驱动电路，通过分离充放电路径避免栅驱动电压振铃现象的发生和dV/dt现象对栅驱动电路的干扰；同时利用高端栅极钳位技术，在自举充电路径中对BOOT电容进行钳位，防止对上开关管的损坏。
电子科技大学
2021-04-10
一种Al2O3-SiC泡沫陶瓷及其制备方法
小试阶段/n针对多孔介质燃烧器用泡沫陶瓷目前存在的常温强度以及热震稳定性能差等问题，本发明制备了一种Al2O3-SiC复合泡沫陶瓷。该陶瓷克服现有技术缺陷，具有强度高、抗氧化性能好和抗热震性能优良等优点。
武汉科技大学
2021-01-12