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含硫（H2S/SO2）尾气净化技术
目前，对于含有H2S和SO2尾气净化处理通常采用将其中SO2加氢转化为H2S，或者将其中H2S氧化转化为SO2，然后对含有H2S或SO2尾气进行净化处理，流程复杂、设备投资高，能耗大，且其脱硫精度往往无法达到环保要求（CSO2<100 mg/m3）。本研究室课题组开发了含硫尾气
南京工业大学
2021-01-12
一种Mg2Ni0.9Co0.1H4基储氢材料的制备方法
（专利号：ZL 201510578254.6） 简介：本发明公开了一种Mg2Ni0.9Co0.1H4基储氢材料的制备方法，属于储氢材料技术领域。该方法通过湿法球磨得到Ni(Co)固溶体粉末；按母合金Mg2Ni1‑xCox(x＝0.1～0.2)的成分，将一定量的固溶体和Mg粉真空烧结得到母合金，母合金的化学成分范围为：Mg的原子百分数为65～70％，Ni+Co占合金剩余百分比，Co在Ni+Co中的原子百分数为10～20％；然后将烧结合金置于氢化炉中氢化获得目标储氢材料，其由85～90wt％的Mg2Ni0.9Co0.1H4基体相、6～7wt％的MgH2和4～8wt％的MgNi3Co相组成。该储氢材料具有高的储氢容量(大于3.5wt％)、低的起始放氢温度(220℃)和优良的放氢动力学性能。本发明制备方法具有工艺简单、高效、产率高、无污染的显著特点。
安徽工业大学
2021-04-11
一种氧化石墨烯-TiO2 复合材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种 GO-TiO2 复合材料及其制备方法和在分离/富集重金属离子中的应用。本发明在GO 上原位合成了纳米 TiO2，对二者的比例进行了优化使氧化石墨烯和 TiO2 质量比为 1∶1~9，制备了兼有 GO 和 TiO2 优良性能的 GO-TiO2 复合材料，并成功用于分离/富集环境水样和底泥中的重金属和稀土元素。本发明
武汉大学
2021-04-14
Ag+, F-，Hg2+，N2H4，H2S 等荧光探针的研发
荧光探针具有灵敏度高、取样小、成本低、重现性好、易于操作等特点，研发了针对溶液中 Ag+, F-，Hg2+等离子及 N2H4，H2S 等小分子检测的荧光探针，检测限低，检测快速，选择性好，部分探针可实现试纸化检测。
兰州大学
2021-01-12
山东乾佑新材料有限公司
山东乾佑新材料有限公司
2025-04-07
山东峰泉新材料有限公司
山东峰泉新材料有限公司
2024-09-23
科创资讯热点聚焦｜2月26日-3月2日
高等教育科技创新政策、热点新闻导读
云上高博会
2024-03-04
XM-135D2节腰椎附2个病变椎间盘模型
XM-135D 2节腰椎附2个病变椎间盘模型
2节腰椎附2个病变椎间盘模型由两节腰椎及两个椎间盘病变模型组成，
显示2节腰椎带2个病变椎间盘的结构和形态。
尺寸：自然大
材质：PVC材料
上海欣曼科教设备有限公司
2021-08-23
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
大功率射频LDMOS器件以其线性度好、增益高、输出功率大、热稳定性好、效率高、宽带匹配性能好、价格低廉等方面的优势已经成为基站、广播电视发射机、航空电子、雷达等领域等应用最广泛的射频功率器件。 本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件（图1），能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。目前已制作出频率0.5GHz，输出功率>500W，功率增益>18dB、漏极效率>50%的单芯片RF LDMOS 器件；频率1.2GHz，输出功率>600W，功率增益>20dB、漏极效率>40%的L波段RF LDMOS 器件；频率3.1GHz，输出功率>80W，功率增益>10dB、漏极效率>35%的单芯片S波段RF LDMOS 器件（图2）。 (a) (b) 图1 RF LDMOS器件：(a)晶圆显微照片 (b)封装器件 a b c 图2 RF LDMOS器件功率测试曲线：(a)P波段 (b) L波段 (c) S波段
电子科技大学
2021-04-10
超大功率硅基射频LDMOS晶体管设计技术
本团队利用优化的法拉第屏蔽罩结构和版图布局技术，基于国内8英吋工艺技术平台，研制出大功率L 和S 波段RF LDMOS 器件，能够提供完整的RF LDMOS器件的设计与研制方案。
电子科技大学
2021-04-10