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大尺寸铌酸锂晶体、单晶薄膜及器件
本技术涵盖大尺寸铌酸锂晶体生长工艺及装备、晶圆制备、单晶薄膜制备及声表面波器件,实现材料、装备、器件协同发展。主要针对8英寸铌酸锂晶体、单晶薄膜及声表面波器件进行开发研究,该技术属于我国“卡脖子”技术,目前国际市场空白。在铌酸锂晶体生长方面,开发了大尺寸智能单晶生长设备及工艺,包括大尺寸铌酸锂晶体生长模拟仿真设计、铌酸锂熔体-晶体固液界面特性与控制、大尺寸铌酸锂晶体生长工艺开发、生长-检测-分析-控制人工智能系统。采用离子束切片键合技术制备铌酸锂单晶薄膜,突破传统的薄膜制备方法无法制备单晶铌酸锂薄膜
山东大学 2021-04-14
一种提拉法晶体生长炉
一种提拉法晶体生长炉,属于提拉法单晶生长装置,解决现有提拉法晶体生长炉内由于冷却气的非对称流动引起的不稳定性和熔体内包裹体杂质在晶体中聚集的问题。本发明包括炉体、基座、内隔热层、电磁感应加热器、炉盖、坩埚、坩埚盖和籽晶杆;坩埚内固定有坩埚整流筒,坩埚整流筒下端具有沿圆周均布的矩形孔;籽晶杆下部通过径向呈辐射状均匀分布的肋条与隔热环连接,所述隔热环为圆环形,其外径与内隔热层的内径相适应。本发明设计简单可靠,能够有
华中科技大学 2021-04-14
绝缘栅双极晶体管(IGBT)研究与中试
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是新型MOS功率器件,目前在国内的研究只有我们和北工大进行。在国内的生产更是空白。国内的器件应用全靠进口。项目承担人袁寿财是国内最早从事IGBT研究的人员和专家之一,所有技术是自己研制和开发,属自有技术。包括平面工艺和目前最先进的Trench(槽)工艺,采用VLSI侧墙自队准和硅化物自对准技术,使工艺极大地简化 
西安交通大学 2021-01-12
X-K2-2学生双组电源
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温州市育人教仪制造有限公司 2021-08-23
X-D2-2学生双组电源
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温州市育人教仪制造有限公司 2021-08-23
画桌(2)
产品详细介绍 桌架采用钢海生产的高频冷拉焊管,钢管规格为25×1.0圆管,桌面采用优质三聚氰胺贴面板,铁件部分焊接用二氧化碳气体保护焊、钢管表面经过除油、除锈、磷化、静电喷塑、高温固化而成。
浙江山风教具股份有限公司 2021-08-23
2#画架
南京宇迪教学设备有限公司 2021-08-23
Analog Discovery 2
Digilent Analog Discovery 2(简称“AD2”)是一个迷你型USB示波器和多功能仪器,可以让用户方便地测量、读取、生成、记录和控制各种混合信号电路。它小到可以轻而易举地放进你的口袋,但功能却强大到足以替代一堆实验室设备。
美国迪芝伦科技有限公司上海分公司 2021-02-01
一种 Al2O3-TiN 多孔陶瓷材料及其制备方法
传统的Al2O3-TiN复合材料制备设备及工艺复杂,生产效率低下,成本高,不利于 复合材料的推广应用。本发明将两种粒径不同的Al2O3粗细颗粒作为骨料,α-Al2O3、 TiO2、Al粉作为细粉按比例混合模压,采用流动氮气气氛下常压原位反应烧结。在合理 的升温速率、合理的烧结温度以及保温时间下制备Al2O3-TiN多孔陶瓷材料。用金属作 结合剂取代传统烧结结合,可以降低制品的烧结温度,烧结后制品中的金属与原料中的 物质原位反应形成难熔化合物。
青岛农业大学 2021-04-11
Bi2Te3薄片/石墨烯复合材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种Bi2Te3薄片/石墨烯复合材料,由微米级Bi2Te3薄片和石墨烯组成。由于石墨烯的分散、承载及隔离作用,可有效阻止微米Bi2Te3薄片在热处理过程中的烧结,以保持晶界对声子的有效散射,对提高Bi2Te3材料的热电性能具有重大意义。该复合材料可作为热电材料。本发明还公开了该复合材料的一步水热法或一步溶剂热法的制备方法,具有工艺简单、成本低、周期短、能耗低等优点。
浙江大学 2021-04-11
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