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殡化铅单晶体生长技术
项目简介： 殡化铅 ( PbI2) 是制作室温半导体核辐射探测器的材料之一。山于提纯困难、化学配比难于控制等原因，使得该材料没有得到应用。我们研究出了一种生长碟化铅等静压的新方法，以 分析纯的殡化铅多晶为原料， 可生长出接近理想化学配比、直径 15mm、长度 300
西华大学
2021-04-14
JD-RTD 射线底片数字化系统
工业射线检测数字化系统可以实现射线底片数字、实现远程网上评片。系统由工业射线底片数字化仪、射线检测管理信息系统和缺陷识别专家系统三部分组成。射线检测管理信息系统可以实现整个射线检验工作的全面数字化，包括：检验申请、审核、探伤工艺制定、工单生成、任务分配、探伤工作记录填写、探伤报告、NCR不合格品处理、查询统计等等所有工作环节的数字化管理。
西安交通大学
2021-04-11
丹东奥龙射线仪器集团有限公司
丹东奥龙射线仪器集团有限公司是中国射线仪器行业技术力量与综合实力雄厚的民营高科技企业。奥龙集团传承50余年中国射线仪器研制历史。目前，奥龙集团旗下拥有上海奥龙星迪、丹东奥龙电子、奥龙检测服务、丹东奥龙中科传感技术四个子公司。奥龙是专业X射线仪器和材料试验仪器的开发商和产品制造商，也是X射线检测解决方案的服务商。
奥龙集团坐落于辽宁省“五点一线”沿海经济带上的丹东临港产业园区;占地面积3万平方米，建筑面积1.7万平方米;拥有一支技术过硬、经验丰富的科研团队;拥有完善的企业管理系统和行业领先生产环境及配套设施;奥龙集团与无损检测行业的全球领导厂商美国GE成功牵手，进一步巩固了奥龙集团在国内市场的领先地位。中国发射的“神舟载人飞船”有多项系统使用奥龙集团生产的X射线探伤设备实施无损检测，并取得成功，奥龙人为中国航天事业发展做出了贡献。
奥龙集团以“更安全，更可靠，更精准”为制造理念，不断地突破自我，引领创新，成功研发出目前国内技术领先的CT检测设备，并荣获国家改革开放40周年机械工业杰出产品奖，在奥龙设立辽宁省工业CT仪器技术专业创新中心。奥龙集团还将继续坚持自己精益求精的作风，为客户提供更先进更优质的产品和服务而不懈努力。
奥龙长期专注于无损检测、材料试验机等系列产品的研发与运营，产品不仅畅销国内市场，而且还远销美国、德国、英国、印度、澳大利亚、荷兰、马来西亚、印尼、泰国、南非、沙特阿拉伯、香港、台湾等世界五大洲的50多个国家和地区。被广泛应用于国防、航空航天、造船、汽车、压力容器、机械、冶金、石油化工、电子信息、输变电、耐火材料、食品安全、科技教育、卫生等行业领域。
奥龙，一个立足丹东，产品辐射国内外市场的集团企业，正以技术、管理、品牌和规模的企业优势，紧紧围绕“提升核心能力，打造奥龙国际品牌”的战略，积极推动企业向着更高水平的目标迅猛发展。
丹东奥龙射线仪器集团有限公司
2021-12-07
基于全息衍射光学元件的消色差的波导显示系统
本项目发明了一种基于全息衍射光学元件的消色差的波导显示系统。该系统包括输入耦合器、波导、输出耦合器，当彩色光线通过准直透镜后照射到作为输入耦合器的透射式平面光栅时，平面光栅发挥色散特性，将光色三成不同颜色的光波按照不同的角度进入到波导中，然后光继续在波导中传播，当光传播到作为输出耦合器的反射式体积光栅时，光波又被体积光栅调制，使发生色散的光波以同一方向反射出波导，进入到人的眼睛，使得人眼可以看到彩色的图像，从而达到消除色差的目的。
相较于传统方案，本发明设计的基于三次曝光的三层反射式体积光栅的波导显示系统，可以在不降低衍射效率的情况下消除色差，且用平面光栅代替棱镜发挥色散作用，又利用反射式体积光栅进行波导，在不增加波导系统的体积和重量的同时达到消色差的目的，不会带来衍射效率降低、系统的体积和重量增加等负面影响。可以广泛应用到显示系统领域。
北京理工大学
2023-01-03
抽提蒸馏塔2400X22X62602
山东百特机械设备有限公司
2021-08-26
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
本项目属于电子信息功能材料技术领域。 特色及先进性：为了实现同一种单晶薄膜即可应用于磁光器件，又可应用于微波器件中，本项目提出了铋镥铁石榴石（BiLuIG）薄膜的设计体系，为了使其同时具有良好的磁光和微波特性，本项目很好的根据晶格匹配原则设计了材料配方，并选用无铅液相外延技术，大大提高了薄膜的性能。本项目提出了在钆镓石榴石（GGG）衬底上直接外延大口径磁光BiLuIG单晶体的思路，解决我国无大晶格常数掺杂钆镓石榴石（SGGG）晶圆片技术、无铅液相外延大尺寸BiLuIG晶体圆片的不足，突破纯GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶体这一难点科学问题。研究内容包括：（1）BiLuIG薄膜材料的配方设计研究：基于四能级跃迁模型，并结合离子替代规律和多离子掺杂技术，寻找最佳配方；（2）液相外延单晶薄膜材料的工艺技术研究：包括薄膜均匀性、缺陷控制、无铅配方、生长速率和薄膜镜面条件控制等；（3）材料在器件中的验证研究，设计制备平面波导型磁光开关对材料磁光性能的验证。 技术指标：（1）建成了我国第一条大尺寸磁光单晶薄膜液相外延的生产线，最大尺寸达到3英寸，单面薄膜厚度达到1μm－20μm。（2）单晶薄膜具体微波和磁光参数：4πMs=1500-1750Gs，△H=0.6-2.0Oe，Θf≥1.6-2.1度/μm＠633nm。（3） 掌握了进行单晶薄膜材料在磁光和微波器件中的设计、制备和测试工作。 促进科技进步作用意义：本项目突破了我国在3英寸石榴石系列单晶体材料以及相关器件研究上的瓶颈技术，获得了高法拉第效应和低铁磁共振线宽的大尺寸高质量石榴石单晶薄膜材料。满足了国内在磁光、微波及毫米波集成器件方面对石榴石系晶体材料的需求，摆脱了完全依赖进口、受制于人的不利局面。该项目研制的材料已提供给中电集团41所、美国Delaware大学、天津大学、中国工程物理研究院、深圳市通能达电子科技有限公司（中电九所下属）、陕西金山电器有限公司（4390厂）等单位使用，并为中电集团9所、33所等单位提供批量样品，用于制备磁光和微波器件，受到好评。
电子科技大学
2021-04-10
大尺寸多频段应用BiLuIG单晶薄膜材料
本项目提出了在钆镓石榴石（GGG）衬底上直接外延大口径磁光BiLuIG单晶体的思路，解决我国无大晶格常数掺杂钆镓石榴石（SGGG）晶圆片技术、无铅液相外延大尺寸BiLuIG晶体圆片的不足，突破纯GGG基片上外延超厚（1-20μm）磁光晶体这一难点科学问题。
电子科技大学
2021-04-10
一种溴铅铯单晶制备方法
本发明公开了一种溴铅铯单晶制备方法，采用镀有碳膜的具有 圆锥形尖端的安瓿装载溴铅铯粉料，具体包括如下步骤：将安瓿抽真 空密封；对安瓿按其圆锥形尖端到溴铅铯粉料顶端的方向梯度加温， 使置于安瓿中的溴铅铯粉料充分熔化；对安瓿缓速降温，直到溴铅铯 粉料顶端的温度比溴铅铯的凝固点低 0～5℃后保温，完成溴铅铯单晶 生长；对溴铅铯单晶分阶段降温：第一阶段快速降温，使溴铅铯单晶 快速冷却；第二阶段慢速降温，实现溴铅铯单晶晶体相变转化。本发 明提供的上述溴铅铯单晶制备方法，在单晶生长中与单晶降温中采用 了不同的降温速度，且采用了分阶段降温的方法，兼顾了晶体生长质 量与生长周期，有效解决现有技术在单晶制备过程因内应力导致溴铅 铯单晶开裂的问题。
华中科技大学
2021-04-11
关于超薄单晶铅膜界面超导的研究
通过使用铅的条状非公度相作为铅膜和硅衬底的界面，用超高真空分子束外延技术成功制备出一种宏观面积的、塞曼保护的新型二维超导体。系统的低温强磁场实验表明，该体系的超导电性可存在于超过40特斯拉的平行强磁场中，这一数值远超过体系的泡利极限，是塞曼保护超导电性的直接证据。第一性原理计算结果也表明，条状非公度相中特殊的晶格畸变会延伸至铅膜中，从而在该体系中引入很强的塞曼自旋轨道耦合。同时，新的微观理论也给出了强杂质情形下各种自旋轨道耦合及散射效应对二维超导临界场的影响并定量地解释了塞曼保护超导电性的物理机制。该工作表明，可以通过界面工程在中心反演对称性保护的二维超导中引入面内中心反演对称性破缺，也即在二维晶体超导体系中人工引入塞曼保护的超导电性机制。这一结果预示出人们有望在二维超导体系中，通过界面调制发现新的非常规超导特性。这种宏观尺度强自旋轨道耦合下的二维超导，也为拓扑超导的探索提供了新的平台，并为未来无耗散或低耗散量子器件的设计与集成奠定了基础。图 (a) 脉冲强磁场实验表明6个原子层厚铅膜的超导电性在高达40 T的水平强场下仍不被破坏。(b) 临界场随温度的关系与理论高度重合，有力地证明了超薄铅膜中的塞曼自旋轨道耦合保护的超导电性。 (c) 对外延生长于条状非公度相（SIC）界面上的超薄铅膜进行磁阻测量的示意图。
北京大学
2021-04-11
氮掺杂石墨烯大单晶制备的研究
本研究利用氧气对非骨架掺杂选择性刻蚀的效应，首次在Cu衬底上实现了石墨烯的完美骨架掺杂生长，氮掺杂后的石墨烯迁移率高达13000 cm2/Vs，比其他工艺制备的掺杂石墨烯要高出数个量级。同时，石墨烯的面电阻也降低到130 oh/sq，掺杂的稳定性显著提高。
北京大学
2021-04-11