高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
基于II-VI族半导体纳米异质结光探测器内在物理机制和性能研究
主要作了以下几方面探索: 在低维纳米结构的合成、纳米光电器件制造与性能分析方面有良好的研究基础。在纳米光电器件方面,长期从事纳米光电器件的研究与开发,已经成功地合成了一系列纳米结构以及它们异质和复合纳米结构,如TiO2、ZnO、ZnS、ZnS/ZnO 等,并在此基础上制造了基于单个纳米结构的光电器件,测试了其性能。其中发表在国际顶尖一区期刊《Advanced Materials》上的论文被美国加州大学、中科院重点实验室、澳大利亚昆士兰大学等相关课题组报道,被《Nature Communications》、 《Advanced Materials》、《Advanced Function Materials》、《Scientific Reports》等国际著名刊物引用达 123 次;发表在国际顶尖一区期刊《Advanced FunctionMaterials》上的论文被北京大学、清华大学、香港理工大学、台湾国立大学、新加坡南洋理工大学、日本东北大学、美国华盛顿大学等国际名校相关课题组报道,被《Advanced Materials》、《Advanced FunctionMaterials》、《Scientific Reports》、《Energy & Environmental Science》等国际著名刊物引用达 62 次。 在YBa2Cu3O7-δ/ La1-xCaxMnO3氧化物超导与铁磁双层结构中,观察到磁相关的近邻和耦合效应。证明了超导层中的迈斯纳电流与磁层耦合提供的磁场之间存在的相互作用,并明确了来自于超导层的空穴电荷传输到反铁磁层内,使得在靠近超导层的反铁磁薄层内电荷的重新分布,进而发生了铁磁性转变的物理机制。在锰氧化物和铜氧化物组成的铁磁/超导/铁磁/反铁磁异质结中观察到大的负磁阻峰,这是在接近超导转变温度附近的混合态所具有的独特现象,是自旋相关的界面散射的实验证据;另外,我们还发现该类氧化物铁磁/超导异质结中系统发现磁阻峰即随温度变化,其磁阻峰发生正、负性逆转的奇特效应,这是YBa2Cu3O7-δ正磁阻和La0.7Sr0.3MnO3负磁阻相互竞争的结果。其次,利用飞秒激光泵浦探测技术对YBCO/LCMO 异质结进行了泵浦探测,观测了低温下铁磁序和超导序的竞争情况,为进一步研究 YBCO/LCMO 的近邻效应打下了基础。 在 具 有 不 同YSZ(yttria-stabilized zirconia) 掺 杂 量 的YBCO/YSZ 准多层膜中观察到 YSZ 掺杂薄膜发生了化学反应,导致了具有纳米数量级钙钛矿异质相BaZrO3粒子的形成。BaZrO3粒子的形成促使了晶格的不匹配以致沉积中形成了c-轴关联的缺陷。角度相关的J c (H,T)在 H//c区域附近出现的二次峰揭示了c-轴关联缺陷的存在。基于各向异性磁通钉扎理论,我们分离了各向同性钉扎和各向异性钉扎对临界电流密度的贡献。分析表明所研究的准多层膜中产生了各向异性的缺陷,由此形成强钉扎中心,使得准多层膜在高场下仍具有较高的临界电流密度。 应用唯象含时Ginzburg-Landau 理论并使用有限元方法研究了二维、三维介观超导体的涡旋态性质。对于具有不同形状和不同方向外场作用下的介观超导体中观察到了涡旋管交叉缠绕现象。其次,通过对电流驱使下的含弱连接的介观超导带的分析,观察到了介观超导带磁化强度随时间的周期性变化。另外,在我们所研究的小超导环中出现了稳定多涡旋态。随着内半径的增长,我们发现了稳定基态的(l:L)和(2:L)多涡旋态现象。 该项目已获上海市自然基金项目立项支持。
上海电力大学 2021-04-29
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺,光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底;电极结构为电极、主支、分支三部分,相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小,起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法,硅片作为衬底,MoO3 粉末作为钼源,硫粉作为硫源, 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度, 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学 2021-04-14
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺,光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底;电极结构为电极、主支、分支三部分,相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小,起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法,硅片作为衬底,MoO3 粉末作为钼源,硫粉作为硫源, 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度, 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学 2021-04-14
一种宽光谱、强吸收的表面光伏型光探测器的制备方法
一种宽光谱、强吸收的表面光伏型光探测器的制备方法,其作法是:以钛箔为阳极,铂为阴极,对钛箔进行氧化,得非晶态TiO2纳米管阵列;经处理后,得TiO2纳米管阵列;将钛箔置于高温反应釜内,再将Na2S2O3、Bi(NO3)3水溶液注入密封反应釜,热处理得Bi2S3-TiO2纳米管阵列;在Bi2S3-TiO2纳米管阵列表面覆盖FTO,引出电极,在未生成Bi2S3-TiO2纳米管阵列的钛箔上引出电极,将FTO与钛箔及其Bi2S3-TiO2纳米管阵列的接触边缘封装即得本发明的光探测器。该方法能耗低,工艺、设备简单;制得物适用光谱范围大,适合做光谱分析;还可以做光敏开关等光电器件,具有广阔的应用前景。
西南交通大学 2016-10-20
辐射探测器用高电阻CZT晶体材料及其应用技术
西北工业大学 2021-04-14
一种高量子效率的微结构碳化硅紫外光电探测器及其制备方法
一种高量子效率的微结构碳化硅紫外光电探测器及其制备方法,属于紫外光电探测技术领域。该探测器采用自下而上的结构设计,包括碳化硅高掺杂n+型衬底、n型缓冲层、低掺杂n‑型吸收层、低掺杂p‑型吸收层(内含微结构)、环形高掺杂p+型欧姆接触层及钝化隔离层。通过在p+型欧姆接触电极施加反向偏压,形成耗尽电场,微结构促使p‑‑i‑n结构电场相互连接耦合,提高光生载流子耗尽效率,增强器件响应度和外量子效率。同时,微结构使短波紫外信号直接穿透p‑型吸收层进入内部吸收层,避免p+型欧姆接触层表面缺陷导致的光生载流子复合,提高光生载流子收集的效率,实现紫外全波段探测。
厦门大学 2021-01-12
一种 X 射线血管造影图像中多运动参数的分离估计方法
本发明公开了一种 X 射线血管造影图像中多运动参数的分离估计方法、首先根据所述的造影图像序列确定心脏运动信号周期以及平移运动变化帧的序列,然后通过对所述的造影图像序列中的血管结构特征点跟踪得到点的运动序列。再通过多变量参数寻优以及傅里叶频域滤波对所述的运动序列进行处理,根据所述的平移运动变化帧的序列,心脏运动信号的周期,呼吸运动信号周期的范围和高频运动信号周期的范围,可以分离出最佳的平移运动曲线、心脏运动曲线、呼吸
华中科技大学 2021-04-14
一种高灵敏的ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列紫外光探测器的制备方法
本发明公开了一种高灵敏的ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列紫外光探测器的制备方法,包括如下步骤:在蓝宝石衬底上生长ZnO纳米棒阵列;采用磁控溅射法在ZnO纳米棒上溅射不同厚度的AlN鞘层薄膜;采用溅射法或者电子束蒸镀分别在ZnO/AlN核鞘纳米棒阵列两端制备具有欧姆接触的金属电极,构成完整的器件。本发明通过简单的磁控溅射方法,控制溅射时间,在ZnO纳米棒上生长不同厚度、表面光滑均一的AlN鞘层薄膜,制备的ZnO/AlN核鞘光探测器件不仅具有更好的紫外光响应,在360nm紫外光照射下,电压为5V时,明暗电流比为5.5×103,提高了一个数量级,同时具有更快速的响应和恢复时间,分别是0.883和0.956s。
东南大学 2021-04-11
基于平板显示TFT基板的大面积红外探测器件及其驱动方法
本发明公开了一种基于平板显示TFT基板的大面积红外探测器件及其驱动方法,采用薄膜晶体管基板,并采用化学溶液法制备PbS或者Ge半导体量子点,作为光电转换材料;其次,在TFT基板上方采用低温旋涂、喷墨打印或者转印等方法,沉积可传感红外信号的PbS或者Ge量子点层;在量子点光电转换层上利用溅射方法制备对红外吸收较少的公共导电层;薄膜晶体管背板的像素源电极、量子点光电转换层,以及透明电极构成红外光敏电阻结构,该光敏电阻吸收红外信号后,产生光生载流子,从而改变电阻的阻值。本发明提出的红外探测器件成像面积大,
东南大学 2021-04-14
东南大学能源与环境学院台式X射线衍射仪采购公开招标公告
东南大学能源与环境学院台式X射线衍射仪采购招标项目的潜在投标人应在东南大学采购中心网(https://dnzb.seu.edu.cn/)获取招标文件,并于2022年06月16日14点00分(北京时间)前递交投标文件。
东南大学 2022-05-27
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 8 9 10
  • ...
  • 342 343 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1