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一种减少 SO2 对 SCR 催化剂毒害的装置及方法
本发明公开了一种减少 SO2 对 SCR 催化剂毒害的装置及方法，属于燃煤烟气脱硝技术领域。装置包括多孔反应容器和分子筛膜；所述多孔反应容器采用多孔材料制成，用于装载 SCR 催化剂；所述分子筛膜包覆于所述多孔反应容器外表面，所述分子筛膜的孔道直径小于SO2 的分子动力学直径且大于 NH3 和 NO 的分子动力学直径。根据分子筛的筛分特性，NO、NH3 和 O2 可以进入容器内部，并在 SCR 催化剂表面反应生成 N2 和 H2O，生成的 N2 可以从容器开口端流出，而SO2 无法进入，或只有少量 SO2 通过回流进入容器内部，从而大大减小了 SO2 对 SCR 催化剂的毒害作用。
华中科技大学
2021-04-13
一种Au‑Pd/TiO2 NBs光催化剂的制备方法
本发明公开了一种Au‑Pd/TiO2NBs光催化剂的制备方法，步骤如下：将钛片作为基体，对钛片进行阳极氧化处理制备TiO2NBs，阳极氧化前，钛片分别在乙醇和丙酮中超声清洗，然后酸洗，而后用去离子水冲洗干燥，阳极氧化采用两电极体系，在空气中煅烧；对步骤一制备的TiO2NBs进行Au‑Pd双金属纳米粒子修饰，采用三电极体系，氯金酸和氯化钯水溶液为Au和Pd源，先沉积Au后沉积Pd，沉积后烘干。本发明制备的光催化剂固定于钛基体上，避免了因回收不彻底而造成的水体污染，具有更大的可接触表面积，便于有机污染物分子与之接触反应，极大的促进了光催化降解性能，反应条件温和，工艺流程简单，易于控制。
青岛农业大学
2021-04-13
单分子场效应晶体管
通过施加栅压形成有效的双电层静电场，以此构建出石墨烯基单分子场效应晶体管。具体从电化学窗口以及正负栅压下双电层的对称性等方面考虑，筛选了一种阴阳离子尺寸匹配的离子液体（DEME-TFSI）；这种离子液体栅的双电层厚度约为0.75 nm，能够在较小的栅压范围内产生强的静电场，从而有效地调控分子的能级。由于离子液体的凝固点较低 (~180 K)，可以实现较大温度范围内连续的栅压调控。
北京大学
2021-04-11
全透明薄膜晶体管及其电路
薄膜晶体管（thin film transistor, TFT）本质上是一种场效应晶体管，其电性质与传统的MOS场效应管一样，都是利用垂直于导电沟道的电场强度来控制沟道的导电能力来实现系统放大，这被称为电导率调制或场效应原理。同时它也是良好的开关元件，当栅源电压小于阈值电压时器件截止，反之导通。场效应管是通过改变输入电压来控制输出电流的，它是电压控制器件，不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此它的输入阻抗很高，它还具有很好的温度特性、抗干扰能力强、便于集成等优点。 与硅材料相比，ZnO薄膜材料的禁带宽度大、透明等优异的半导体特性，使得ZnO-TFT可能替代a-Si TFT成为平板显示器件的像素开关。若使用ZnO-TFT作为有源矩阵驱动的开关元件有以下明显优势： (1) ZnO为宽禁带半导体材料，可以避免可见光照射对器件性能的影响，保证显示器的清晰度不受太阳光照的影响； (2) 提高开口率，提高显示器的亮度，进而可以降低功耗； (3) 如果存储电容也用透明材料制备，制备全透明显示器件便成为可能； (4) 对衬底要求不高。ZnO薄膜的生长温度较低，即使室温条件下也可以生长高质量ZnO薄膜，因此衬底可以选择廉价的玻璃或者柔韧性塑料等，这又是柔性显示器成为可能； (5) ZnO具有很好的载流子迁移率，使得ZnO-TFT既具有很高的开态电流，又有效的抑制关态电流的增加；研究ZnO-TFT的另一个重要意义在于推动透明电子学的研究。ZnO-TFT的实现对透明电子学来说是一个富有成效的进展，具有里程碑的意义，为制造透明电路和系统创造了条件。
大连理工大学
2021-04-13
n-型有机薄膜晶体管
设计并成功合成了两种新型噻唑酰亚胺缺电子受体单元,并在其基础上得到全受体类型均聚物PDTzTI（图1a）。单晶XRD分析表明，DTzTI单体中存在S…N非共价键相互作用因而平面性较好，单体间的π堆积也非常紧密，非常适合构建全受体聚合物。噻唑酰亚胺的强拉电子能力也使得聚合物的前沿轨道能级较低，有利于晶体管中电子注入并提升器件稳定性，同时抑制空穴注入和降低器件关电流。基于PDTzTI的有机薄膜晶体管器件表现出优异的单极性n-型输运性能（图1b）。晶体管电子迁移率达到1.6 cm 2 V -1 s -1 ，关电流仅为10 −10 -10 −11 A，因而电流开关比高达10 7 -10 8 。该迁移率是全受体均聚物材料中的最高纪录，同时在晶体管关电流和开关比性能上显著优于常见给体-受体共聚物材料，表明全受体结构是实现单极性n-型聚合物材料的有效途径,为新型受体单元和单极性n-型材料的设计提供重要参考依据。
南方科技大学
2021-04-13
高亮度新型发光晶体管（技术）
成果简介：发光晶体管是一种集发光和晶体管的“开/关”功能于一体的光电 子集成器件，它在发光器件、光互联的集成电路和激光二极管中具有多种重 要的应用前景。它不仅能增加发光单元像素点的孔径，而且由于开关晶体管 数量的减少而降低主动矩阵显示的制造费用，能耗低。再者，通过栅压来控 制载流子积累及连续地从源极和漏极注入载流子，这是给有源层提供载流子的一种独特方法，可以研究电场作用下量子点的光电性质。 基于石墨
北京理工大学
2021-04-14
制造电化学晶体管的方法
本发明公开了利用并列喷嘴喷印制造柔性电化学晶体管的方法， 包括以下步骤：1)注入溶液；2)沉积网格状纤维结构；3)网格状纤维结 构自组装。本发明工艺简单，采用并列静电纺丝工艺，一步制得微纳 纤维，并且通过平台运动控制可直接实现阵列化纤维的制造；工序简 单，借助于表面张力驱动的自组装工艺可大面积稳定可靠实现 WECT 源极、漏极与栅极的连接；其成本低，效率高，静电纺丝以及自组装 工艺极大缩减了制造时间与材料用量；材料兼容性好，制造过程均未 涉及高温工艺，有机、柔性材料均可得到极大的运用。
华中科技大学
2021-04-14
32007氯化钠晶体结构模型
宁波华茂文教股份有限公司
2021-08-23
场效应晶体管的制备方法及利用其制备的场效应晶体管
本发明公开了一种利用电流体直写工艺制备场效应晶体管的方 法，包括:(1)在基板上制备有机半导体薄膜;(2)利用电流体直写工艺， 在具有半导体薄膜的基板上制备平行的直线纤维;(3)通过电流体直写 制备与之垂直的平行介电纤维;(4)在基板上真空沉积金属;(5)在介电 纤维两端涂覆导电银浆，引出栅电极。本发明还公开了相应的产品。 本发明的方法利用介电微纳纤维得到晶体管沟道，沟道长度尺寸与纤 维直径尺寸相当，能够达到亚微米甚至纳米级，同时该纤维也是晶体 管的绝缘层。另外通过一次金属真空沉积，可同时形成场效应
华中科技大学
2021-04-14
二氧化钒基单晶体的制备方法及二氧化钒基单晶体
绝缘体-金属相变材料领域。 利用简单易行的方法制备大尺寸高质量二氧化钒单晶体，实现了二氧化钒单晶体电阻的快速温度响应。
中国科学技术大学
2021-04-14