高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
正常人染色体装片
宁波华茂文教股份有限公司 2021-08-23
一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其制备方法
本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其 制备方法,所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成,其中所述 内电极材质为贱金属镍,所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明 具有以下有益效果:(1)本发明所使用的 ZnO 压敏电阻材料配方适 用于还原再氧化制备工艺;(2)本发明采用贱金属 Ni 为内电极,可 以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本;(3)采用传统的固相烧 结方法,端银的烧渗和瓷体氧化一次性
华中科技大学 2021-04-14
一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其制备方法
本发明公开了一种贱金属内电极叠层片式 ZnO 压敏电阻器及其 制备方法,所述压敏电阻器为瓷片和内电极依次层压生成,其中所述 内电极材质为贱金属镍,所述压敏电阻器的两端涂有银电极。本发明 具有以下有益效果:(1)本发明所使用的 ZnO 压敏电阻材料配方适 用于还原再氧化制备工艺;(2)本发明采用贱金属 Ni 为内电极,可 以大幅度降低多层片式压敏电阻器制备成本;(3)采用传统的固相烧 结方法,端银的烧渗和瓷体氧化一次性
华中科技大学 2021-04-14
多元化合物半导体单晶的制备方法与生长装置
一种多元化合物半导体单晶的制备方法,工艺步骤为:①清洁坩埚,②装料并除气封结,③晶体生长,④退火与冷却。与该方法配套的单晶生长装置含有可移动下炉加热器及含有中部辅助加热器的单晶生长炉,它可以灵活根据多元化合物的结晶习性,实现对结晶温度梯度区的温场调节,获得化合物单晶生长所需的窄温区、大温梯的结晶温场分布,维持固-液界面的稳定,实现单晶体的平界面生长。使用该生长装置,采用坩埚下降法可成功生长出外观完整、结晶性能好的多种多元化合物半导体单晶体。
四川大学 2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作,成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长,相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异,能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求,对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底,GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点,Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底,其表面原子结构为三重排列,可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而,Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底,获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称,外延生长时无法有效匹配;同时Si(100)表面存在二聚重构体,导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层,在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长,并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础,而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学 2021-04-11
晶圆级二维半导体单晶薄膜外延生长的研究
主流硅基芯片CMOS(互补金属氧化物半导体)技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制,需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质,有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料,进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求,二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而,现有二维半导体材料体系(过渡金属硫族化合物、黑磷等)薄膜制备仍未满足现实要求,因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备,率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体(硒氧化铋,Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统,在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3,LaAlO3,或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上,利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用,促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性,可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率(>150 cm2/V s)、大的电流开关比(>105)和较高的开态电流(45μA/μm)。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。
北京大学 2021-04-11
KSQ-500电池极片卷绕设备开发
研究领域 以企业的生产需要为出发点,以研发新产品、新设备、新工艺为目标,进行光机电一体化成套设备及新技术的研究与开发,解决企业发展过程中的瓶颈问题。围绕创新制造工艺、机电控制及自动化,开展绿色化、系统化智能机电一体化技术及其在生产过程中的应用研究。主要研究方向有:(1)绿色新能源生产技术及设备(2)特种加工机械(3)新型包装机械(4)根据企业实际需求定制光机电一体化成套设备(生产线)的研发。科研成果及简介 所承担主要项目: 锌空燃料电池极片干嵌法成形过程控制的理论与技术(国家自然基金) ·高速水墨柔性印刷模切机CL1224 (国家科技部) ·机械软起动控制系统的开发(天津市教委) ·柔性传动行星轮差速机构的研究 (河北省教育厅) ·机械液压自动控制软启动系统(石家庄科技局) ·自动分页装订机的开发研究(河北省教委) 横向课题: 纸管机开发(天津巨业衣架制造有限公司) 盘料螺纹钢滚丝机(天津市天鹏建筑器材有限公司) 五金平台自动机械手的研制(庆辉五金制品有限公司) 乒乓胶皮海绵上料系统的研发(天津七二九体育器材开发有限公司) 电池极片卷绕设备(海裕百特锂能设备有限公司) 锂电池极片轧制卷绕线 ; 流延膜挤压收卷装置及控制系统的合作研发; 瓦棱机生产线控制系统的研制; KSQ-500电池极片卷绕设备开发 木工挖船机(威卢克斯有限公司) WS-260卫生巾生产线获奖与专利一种布料机                  发明专利           专利号:200910068754.x一种双向水泥土搅拌桩机      发明专利           专利号:200910069172.3一种双向水泥土搅拌桩机      发明专利           专利号:200910069171.9一种双向水泥土搅拌桩钻杆    发明专利           专利号:200910069170.4一种收获机                  发明专利           专利号:200910069269.4可转让项目 可承担(合作开发)科研项目与技术合作光机电一体化成套设备(生产线)的研发
河北工业大学 2021-04-11
一种新型片上微型电子源
真空电子器件(如X射线管、微波管、阴极射线管等)广泛应用于航空航天、医疗健康和科学研究等重要领域,但面临体积大、功耗高和难集成等问题,解决这些问题的一个方案是实现微型化的片上真空电子器件。电子源是所有真空电子器件必不可少的关键元件,当前,电子源的微型化和片上化是限制真空电子器件微型化和片上化的主要瓶颈之一,因此高性能的片上微型电子源是真空电子学领域急需的一种电子元器件。 片上微型电子源的研究始于1960年,目前已有多种片上微型电子源。然而,现有的片上微型电子源的整体发射电流较小,很难满足较多的应用需求。 本项目研发出一种新型的片上微型电子源,具有优良的综合性能,有望在片上微真空系统和微小型真空电子设备领域取得突破。
北京大学 2021-02-01
米拉贝隆及缓释片研制
成果简介: 米拉贝隆(Mirabegron,Betanis)是一种新型口服特异性肾上腺素受体激动剂,由AstellasPharma Inc.研发,用于治疗“膀胱过度活动症(Overactive Bladder,OAB)”的患者,于2012年在美国批准上市,我们已完成其原料药制备工艺研究及质量研究、稳定性研究和缓释片制备工艺研究及质量研究、初步稳定性研究等
南京工业大学 2021-01-12
纤维毡增强热塑性复合片材(GMT)
轻质高强GMT片材,主要用于汽车,已经应用于保险杠横梁,座椅骨架,前端,电池托架等40多种零部件。通过结构优化设计,可部分取代金属材料,较原金属件减重30%~80%,而且节省模具费用,并有利于多种零件组合,形成模块化生产方式,适应汽车轻量化,节能、环保的主要发展方向。华东理工大学聚合物加工研究室突破界面、浸渍、连续化三大关键技术,于2004年建成了我国第一套熔融浸渍法GMT工业装置(与双良集团合作)的基础上,成功开发了一种制备片材的新工艺——预混粉体浸渍法。该方法已获得中国国家专利以及国际专利,具有完全自主知识产权,是一种极具潜力的生产技术。运用此种方法,不仅可以制得GMT材料,而且可以得到轻质热塑性片材等其它种类的复合材料。在对GMT材料制备、性能等进行了全面研究基础上,着重研究了GMT的模压成型工艺,掌握了GMT制品开发的成套技术,与企业合作,开发了一系列的汽车零部件制品。
华东理工大学 2021-04-13
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 12 13 14
  • ...
  • 112 113 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    63届高博会于5月23日在长春举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1