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基于内部结构特征
调控
药物释放
的
三维打印药片
三维打印技术是一种依据“逐层打印,层层叠加”的概念,通过CAD模型及计算机控制直接制备具有特殊外型或复杂内部结构物体的快速成形技术。该技术加工过程灵活、成形速度快、运行费用低且可靠性高。由于突破了传统制剂技术的一些局限性,三维打印能够为新型口服控释给药系统的研究提供新的策略与途径,这使得其在药学中的应用引起了越来越多的关注。根据“安全、有效、方便”的给药治疗原则,可以从给药系统的内部结构、局部成分与组成的差异、特殊几何外型、独特表面特征、控释材料(或药物)的梯度或离散分布、多药在同一系统中的准确定位与分布等方面出发,设计并制备多种新型口服控释给药系统。 可以根据用户需要进行新型药物缓控释给药系统的研制和开发。
上海理工大学
2021-04-13
工业控制系统
的
功能安全与信息安全实时协
调控
制方法
本发明公开了一种工业控制系统的功能安全与信息安全实时协调控制方法,首先建立系统模型,包括工业控制系统功能支撑模型、安全相关任务与功能间映射关系模型、安全相关任务评价模型;然后分析获取就绪的功能安全任务与信息安全任务之间可能存在的冲突或矛盾;按照预设的冲突协调规则获取无冲突安全相关任务集;根据系统功能性任务集和无冲突安全相关任务集,确定全局任务集;基于全局任务集构建基于 DAG 的任务图;并将风险作为约束条件、将全局任
华中科技大学
2021-04-14
一种主动
调控
节流孔入口气压
的
气浮支承装置
本发明公开了一种主动调控节流孔入口气压的气浮支承装置, 包括气浮支承本体、气压主动调节单元、支承本体检测单元和驱动控 制单元,气浮支承本体上设置有进气孔、节流孔和调节单元安装孔, 进气孔的进气口处和节流孔的出气口处分别设置有进气阀和出气阀; 气压主动调节单元与气浮支承本体之间形成调节腔;支承本体检测单 元用于实时检测气浮支承本体上下运动的速度、加速度和/或气浮支承 本体相对于其下方气浮导轨的距离;驱动控制单元用于将检测装置所 测得的信号进行滤波、放大及数据处理,生成驱动信号来驱动气压主 动调节单元产
华中科技大学
2021-04-14
自主神经再平衡防治心律失常
的
调控
策略与临床转化
本项目致力于将“心脏自主神经调控防治心律失常”的创新理念和技术成果进行全球范围内的推广,已在全国40 余家大型三甲医院进行项目成果推广应用,在急性心肌梗死患者中减少了恶性心律失常和心肌损伤的发生,缩短了住院天数和降低了住院费用。 一、项目分类 重大科学前沿创新 二、技术分析 心律失常是最常见的心血管疾病之一,据统计,约80%的心源性猝死与恶性心律失常相关,严重威胁国民健康。项目组长期致力于自主神经调控防治心律失常的创新转化研究,在国家自然科学基金重点项目、国家重点研发计划、中央“万人计划”等项目资助下,取得了系列理论创新和技术突破: 1)构建了自主神经再平衡的理论体系,并阐明心律失常的关键神经机制; 2)研发了系列自主神经调控策略防治心律失常; 3)研发无创迷走神经调控系统,进行自主神经调控防治恶性心律失常的临床转化。 相关成果主要发表在Circulation(IF 39.918)、 J Am Coll Cardiol(IF 27.203 )、Advanced functional materials(IF 19.924,封面论文)、Nano Energy(IF 19.096,2篇)、 Basic Res Cardiol (IF 17.165)、Cardiovascular Research(IF 13.081)等国际知名期刊,并被Cell、JAMA、Nat Rev Drug Discov、Nat Rev Cardiol等学术期刊引用3100余次。研究成果获2018年湖北省科技进步一等奖,连续两年获美国心脏病学会(ACC)中国原创研究一等奖,被《中华心律失常学》杂志评为当年心律失常领域全球十大研究进展之一。
武汉大学
2022-08-15
揭示植物基因表达在染色质水平
调控
的
新机制
利用模式植物拟南芥为研究对象,通过对染色质结合的RNA的纯化及测序分析(CB-RNA-seq),研究团队的工作显示共转录剪接在目前已检测的物种中是普遍模式。同时,植物的共转录剪接存在几个重要的特征:首先, 共转录剪接的效率与特定内含子到基因3’端的距离正相关,与一些激活型的组蛋白修饰(H3K4me3/H3K9ac)负相关,暗示快速的转录起始及延伸不
南方科技大学
2021-04-14
关于发布西太平洋地球系统多圈层
相互
作用重大研究计划2023年度项目指南
的
通告
国家自然科学基金委员会现发布西太平洋地球系统多圈层相互作用重大研究计划2023年度项目指南,请申请人及依托单位按项目指南所述要求和注意事项申请。
国家自然科学基金委员会
2023-07-31
感应电流与磁铁
相互
作用实验仪 COC-MCI-1
实验内容 1、磁体水平与垂直方向受力与导体运动线速度关系测量实验; 2、磁体转动角速度与与导体运动线速度关系测量实验; 3、磁体两侧垂直方向受力 ( 随速度增加,一侧始终为正,另一侧由负变正 ) 与导体运动线速度关系测量实验; 4、磁体离导体表面不同高度时磁体的受力随速度变化规律(垂直方向受力超越水平方向受力对应的速度随磁体离运动导体表面高度的变 化规律)实验。
成都华芯众合电子科技有限公司
2022-06-18
及其
在铜箔生产中
的
应用
项目研究内容 :本项目符合国际国内电子信息产品生产制造的环保要 求,对 PCB 行业的主要原材料之一的电解铜箔的生产制造工艺入手,与 江铜耶兹铜箔有限公司进行技术合作, 共同研发绿色环保的基于高耐热硅 烷偶联剂的铜箔防氧化工艺来替代目前使用的高能耗和高污染的镀铬保 护工艺。通过这条工艺路线的研发,电解铜箔生产制造中的含有六价铬污 染源的生产工艺为更环保的工艺路线而取代和淘汰, 确保电解铜箔生产过
南昌大学
2021-04-14
智能水凝胶
的
合成
及其
应用
水凝胶是交联高聚物在水中溶胀所形成的体系,它在工农业生产、日常生活及医疗领域具有广泛的应用。例如在医用材料领域可以用于药物缓释载体、组织工程材料、栓塞微球、皮肤伤口敷料、手术防粘剂、降温冰袋等用途。合成所用原料是天然产物,例如海藻酸钠、透明质酸、壳聚糖、纤维素及改性淀粉等,也可以用小分子单体进行合成。 本团队长期进行水凝胶的研究和产品开发,合成了各种类型的水凝胶。我们可以根据用户实际需要进行各类水凝胶产品的设计和制备,优化合成工艺,解决用户在制备和使用水凝胶过程中碰到的技术问题,对产品性能和质量进行控制,满足用户的要求。 技术特点:经济技术指标与应用效果:用天然材料制备水凝胶,产物具有优异的生物相容性和降解性,成本低廉,产品附加值高。 创新要点:采用了现代先进合成方法、包括纳米材料制备技术,所得水凝胶产品具有优异的环境响应性和适宜的力学性能及热性能。 效益分析:医用材料具有巨大的市场,本项目投资与规模:可根据用户需要确定。 合作方式:技术开发;提供技术服务。
江南大学
2021-04-13
压接型IGBT器件封装
的
电热力多物理量均衡
调控
方法
1. 高压IGBT器件封装绝缘测试系统 针对高压IGBT器件内部承受的正极性重复方波电压以及高温工况,研制了针对高压IGBT器件、芯片及封装绝缘材料绝缘特性的测试系统(如图1所示),可实现电压波形参数、温度和气压的灵活调控,用于研究电压类型(交、直流、重复方波电压)、波形参数、气体种类、气体压力等因素对绝缘特性,具备放电脉冲电流测量、局部放电测量、放电光信号测量、漏电流测量及紫外光子测量等功能(如图2所示),平台相关参数:频率:DC~20kHz,电压:0~20kV,上升沿/下降沿:150ns可调,占空比:1%~99%,温度:25℃~150℃,气压:真空~3个大气压。 2.压接型IGBT器件并联均流实验系统 针对高压大功率压接型IGBT器件内部的芯片间电流均衡问题,研制了针对压接型IGBT器件的多芯片并联均流实验系统(如图3所示),平台具有灵活调节IGBT芯片布局,栅极布线,温度和压力分布的能力,可开展芯片参数、寄生参数以及压力和温度等多物理量对压接型IGBT器件在开通/关断过程芯片-封装支路瞬态电流分布影响规律的研究,以及瞬态电流不均衡调控方法的研究;平台相关参数:电压:0~6.5kV,电流:0~3kA,温度:25℃~150℃,压力:0~50kN。 图3 压接型IGBT多芯片并联均流实验 3.高压大功率IGBT器件可靠性实验系统 随着高压大功率 IGBT 器件容量的进一步提升,对其可靠性考核装备在测量精度、测试效率等方面提出了挑战。针对柔性直流输电用高压大功率 IGBT 器件的测试需求,自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循环测试装备和100V/200°C高温栅偏测试装备(如图4所示)。功率循环测试装备可针对柔性直流输电中压接型和焊接式两种不同封装形式的IGBT开展功率循环测试,最多可实现12个IGBT器件的同时测试。电流等级、波形参数、压力均独立可调,功率循环周期为秒级,极限测试能力可达 300 ms,最高压力达220 kN,虚拟结温测量精度达±1°C,导通压降测量精度达±2mV。高温栅偏测试装备可实现漏电流和阈值电压的实时在线监测,最多可实现32个IGBT器件的同时测试。 4. 压接器件内部并联多芯片电流及结温测量方法及实现 高压大功率压接型IGBT器件内部芯片瞬态电流及结温测量是器件多物理量均衡调控及状态监测的基本手段,针对器件内部密闭封装以及密集分布邻近支路引起的干扰问题,提出了PCB罗氏线圈互电感的等效计算方法,实现了任意形状PCB罗氏线圈绕线结构设计,设计了针对器件电流测量的方形PCB罗氏线圈(如图5所示),实现临近芯片电流造成的测量误差小于1%;针对器件内部多芯片并联芯片结温测量,提出了压接型IGBT器件结温分布测量的时序温敏电参数法,通过各芯片栅极的时序单独控制(如图6所示),在各周期分别进行单颗IGBT芯片结温的测量,进而等效获得一个周期内各IGBT芯片的结温分布。在此基础上,完成了集成于高压大功率器件内部的多芯片并联电流测试PCB罗氏线圈以及时序温敏电参数测量驱动板的设计(如图7所示)。 5. 自主研制高压大功率电力电子器件 面向电力系统用高压大功率电力电子器件自主研制的需求,开展了芯片建模与筛选、芯片并联电流均衡调控、封装绝缘特性及电场建模以及器件多物理场调控等方面工作,相关成果支撑了国家电网公司全球能源互联网研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制,并通过柔直换流阀用器件的应用验证实验,同时也支撑了世界首个18kV 压接型SiC IGBT器件的自主研制。
华北电力大学
2021-05-10
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