|
搜索
搜 索
高等教育领域数字化综合服务平台
取代喹喔啉胺类化合物及其制备方法和用途
本发明提供一类N-取代-3-取代喹喔啉-2-胺类化合物，是以喹喔啉类化合物为先导物，分别在喹喔啉母核的2位和3位引入不同的取代氨基和芳基，从而合成N-取代-3-取代喹喔啉-2-胺类化合物。本发明提供的化合物及其盐，经药理实验证实对肿瘤细胞有显著的体外抑制活性，IC50达到µM级，药理实验表明该类化合物的抗肿瘤活性和其对PI3K/Akt信号通路的抑制有关。本发明设计合理，制备方法简便，适于实用，可在制备抗肿瘤药物中的应用。本发明结构通式为：。
浙江大学
2021-04-13
一种低温SCR脱硝催化剂及其制备和应用方法
本发明公开了一种低温SCR脱硝催化剂及其制备和应用方法。该催化剂以钒氧化物为主要的活性组分，其含量占催化剂总质量的3～8wt.％，以Mo、Sb和Nb中的一种或多种作为助剂，助剂元素的占催化剂总质量的1～10wt.％，而以锐钛型二氧化钛(TiO2)为载体。通过多次等体积浸渍或旋转蒸发辅助浸渍的方法制备得到催化剂前驱粉体，添加粘结剂、助挤剂、增塑剂等助剂捏合后，经练泥、陈腐、老化、挤出后得到整体蜂窝状坯料，最后经干燥、煅烧后得到小节距薄壁厚的低温SCR蜂窝整体催化剂。实验结果表明，本发明制得的催化剂在1
东南大学
2021-04-14
一种三维跨尺度碳电极阵列结构及其制备方法
本发明公开了一种三维跨尺度碳电极阵列结构及其制备方法， 该方法包括如下步骤：
（1）清洗硅片，去除表面杂质和氧化层；
（2）在硅片上涂覆负性光刻胶，并进行前烘；
（3）用 PDMS 模板作为压印 模板，进行压印工艺，得到光刻胶半球阵列结构；
（4）用氧等离子体 进行刻蚀，得到跨尺度的光刻胶阵列结构；
（5）将跨尺度的光刻胶阵 列结构进行热解，得到三维跨尺度碳电极阵列结构。
该方法简单，便 于控制，重复性好，制备的碳电极阵列结构稳定，具有大的比表面积 和良好的生物兼容性，可广泛应用于微型超级电容、微型电池、生物 芯片和微型传感器等微机电系统领域。
华中科技大学
2021-04-11
一种无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法
本发明属于微纳制造技术领域，并公开了一种无机钙钛矿太阳 能电池，包括导电基底、电子收集层、光吸收层、空穴传输层和碳对 电极层，导电基底包括玻璃基片及两块 FTO 导电层，两块 FTO 导电层之间具有分隔槽;电子收集层包括致密 TiO2 层和介孔 TiO2 层，致 密 TiO2 层沉积在玻璃基片的分隔槽处和其中一块 FTO 导电层的上表 面上。
华中科技大学
2021-04-14
一种多维-多级孔SiO2/C复合粉体及其制备
本发明涉及一种多维-多级孔SiO2/C复合粉体及其制备方法。其技术方案是：将稻壳置于盐酸、硫酸或草酸溶液中，90——100℃水浴1——2h，过滤；水清洗稻壳至清洗液的pH值为6——8，烘干，再加入氯化锌的水溶液中，放置24——72h，在80——100℃条件下保温36——144h，得到预处理稻壳；将预处理稻壳加入到含镍的有机配合物的溶液中，放置20——24h，在80——100℃条件下保温24——30h；然后在800——1300℃条件下于氩气或氩气气氛中保温3——4h，制得多维-多级孔SiO2/C复合粉体。本发明成本低廉、工艺简单、环境友好、产品附加值高和适用于工业化生产；用该方法制备的多维-多级孔SiO2/C复合粉体具有一维/三维复合、多维/多级孔原位形成、比表面大的特点。
（注：本项目发布于2014年）
武汉科技大学
2021-01-12
纳米碳酸钙、硫酸钙及其原位改性产品生产及应用推广
本项目以电石渣、石灰、烟道气、芒硝、氯化钙、废硫酸等“三废”资源作为原料,通过独创的工艺及高效节能新装备开发了系列可大规模、低成本生产的粒径均匀,平均粒径达到50纳米(nm)以下系列超微细钙类新产品。特别值一提的是在烟道气净化和超低排放的的同时,可充分利用其中的二氧化硫和二氧化碳和电石渣,实现＂以废治废＂,低成本、高品质生产纳米碳酸钙和硫酸钙。系列新产品具有很好的熔融加工和显著的增强及增韧性能，在塑料、橡胶、沥青、涂料、粘结剂等产品中大比例添加性价比优势突出,开发潜力巨大。
厦门大学
2021-01-12
一种实时数据采集协同控制系统及其工作方法
本发明公开了一种实时数据采集协同控制系统及其工作方法，属于自动化控制技术领域。其系统包括上位机、数字IO板和电源模块。本发明通过在设计初期引入数学模型，能够实现对复杂控制算法的精确描述，从而显著提升开发效率和系统性能；可直接从模型生成硬件平台可执行代码，避免了传统手工编码的繁琐过程，使得开发人员无需深入掌握硬件编程技术即可完成系统的建模、调试与优化，大幅减少了开发周期，提高了开发效率，并简化了系统集成过程，提升了系统的可靠性和实时响应能力；同时，系统能够在动态环境中实时感知、快速响应并进行高效决策，为复杂控制任务提供了可靠保障。
南京工程学院
2021-01-12
一种同质结型感存算集成器件及其制备方法
本发明公开一种同质结型感存算集成器件及其制备方法。该同质结型感存算集成器件包括：柔性衬底；底电极，其为有机导电聚合物，形成在所述柔性衬底上；第一功能层，其为经退火后的三元素n型氧化物半导体薄膜，具有光电响应的结晶相，形成在所述底电极上；第二功能层，其为未经退火的三元素n型氧化物半导体薄膜，与所述第一功能层的材料相同，共同构成同质结；多个彼此间隔分布的凹槽，贯穿所述第二功能层和所述第一功能层至底电极，其内填充有隔离层；顶电极，形成在所述第二功能层上，其中，第一功能层在光照下产生光生载流子，对光学信息进行感知，并以电流的形式反馈至器件，同时借助第二功能层的忆阻特性，以实现整体器件状态的记忆存储，通过对器件不断地施加光电信号，实现器件电导的连续调制，从而实现神经形态计算中权重更迭。
复旦大学
2021-01-12
一种配位聚合物闪烁体、柔性闪烁体薄膜及其应用
本发明涉及光致发光材料技术领域，具体公开了一种配位聚合物闪烁体、柔性闪烁体薄膜及其应用，本发明所制备得到的配位聚合物闪烁体在360nm的激发光源下和X射线光源辐照下均发射绿光，并且对X射线展现处优异的线性响应性，并且表现出明显的热活化增强发光，当信噪比为3时，该闪烁体的最低检测限达到29.6nGy/s，这一数值较典型医学成像系统所需的检测限(5500nGy/s)低约186倍，同时，本发明所制备的闪烁体薄膜可对不同物体实现X射线成像效果，本发明所制备得到的闪烁体薄膜完全可以替代目前商用的闪烁体。
南京工业大学
2021-01-12
一种硫脲类共聚物热稳定剂及其制备方法
本发明涉及一种硫脲类共聚物热稳定剂及其制备方法，该热稳定剂是由4?(3?苯甲酰基硫脲基)苯基丙烯酸酯单体和丙烯酰胺N杂环衍生物单体通过自由基共聚反应制得，其结构通式为：其中，R为中的一种，聚合度X为300～500，聚合度Y为600～1000。该硫脲类共聚物热稳定剂为高分子共聚物，环境友好，其特有的二取代硫脲结构在加工过程中易取代聚氯乙烯链上的不稳定氯原子，形成稳定结构，减少共轭体系的形成，分子侧链中含有的亚胺基和碱性N杂环基团，可快速吸收产生的氯化氢，抑制氯化氢的自催化作用，提高聚氯乙烯的热稳定性，分子结构中的酯基具有润滑作用。
东南大学
2021-04-11