微晶类主推款-微晶防眩 直下式发光设计 项目 星奥全护眼LED教室灯 国家标准GB7793-2010 功率36w 参数 中小学学校教室采光和照明卫生标准 教室照度（E） 417LX 优于国标 ≥300LX 教室照度均匀度（Uo） 0.8 专业照明设计 ≥0.7 黑白照度（E） 639.3LX 优于国标 ≥500LX 黑板照度均匀度（Uo） 0.81 专业照明设计 ≥0.8 眩光（UGR） 15.9 无眩光危害 ＜19 光频闪（波动深度） ≤3.2% 无光频闪危害 —— 显色指数 ≥90 色彩还原能力强 ≥80 色温（Tc） 4500K/5500k(可定制） 光线柔和 3300K-5500K 使用寿命 质保三年 寿命长 —— 总功率（P） 450W 消耗功率低 —— 年耗电量（Q） 720度 耗电量低 ——

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产品规格：≥1200mm*4000mm 产品特点： 1.独家设计 2.设有智能感应器控制盒，操作便捷。将黑板与电子光源的控制统一化，黑板“闭”→光源“亮”，黑板“开”→光源“灭”。 3.解决了录播行业的板书光源难题，拥有板面补光系统，避免了光源落差造成的摄像光源问题。 4.保护学生视力，缓解视觉疲劳，根据学生视觉感受可调节光源强度，从而起到预防近视的作用。 5.设计有LED照明系统，以及LED黑板照明控制器，照明度可达到800Lux，灯光亮度可调节。分：外置式 和内嵌式 面板材质：绿板/米黄板/白板/钨金板/搪瓷板

本发明公开了俯仰多视角的悬浮式360度视场空间三维显示装置，包括复合式偏折型散射屏、高速投影机、图像发生器、探测模块和旋转传动机构。高速投影机将三维物体不同俯仰角度水平360度全景视场的组合图像投影到高速旋转的复合式偏折型散射屏上。复合式偏折型散射屏可对不同角度入射光的垂直偏折及发散角度和水平发散角度进行控制，使环绕观看的不同高度的观察者的双眼观察到对应于其视点位置的图像，实现显示的三维物体悬浮于复合式偏折型散射屏的上面，且其位置不随视点的高低变化而改变。俯仰多视角的悬浮式360度视场空间三维显示可供多人俯仰多角度、水平360度全视场裸眼同时观看，实现空间遮挡消隐并可探入触摸交互。

立足于超高清显示产业的技术需求，研究团队基于在氮化物发光材料研究的工作基础，在国家重点研发计划《第三代半导体核心配套材料》项目（子课题，第三代半导体高密度能量光源用新型荧光材料及制备技术，2017YFB0404301）的支持下开展多种窄带发射荧光粉的合成制备与应用研究工作。研究团队开发了多种低光衰、高可靠性窄带发射的绿色发光材料，如β-SiAlON:Eu2+（FWHM < 60nm）、γ-AlON:Mn2+,Mg2+（FWHM < 45nm）等，并与日本夏普公司合作，开发出色域范围> 100% NTSC的白光 LED背光源器件。

随着消费者对更高显示品质的需求，8K（7680×4320像素）超高清显示器将逐步取代目前市场上的4K（3840×2160像素）显示器。日本夏普公司早在2013年就积极研发8K超高清显示技术，2015年已推出样机，并决定于2018年下半年进行批量生产；日本公共广播公司NHK更是准备用8K信号转播平昌冬奥会和东京奥运会。8K超高清显示器的核心部件是液晶背光源，为提高显示器的色域范围和亮度，使显示器能显示更为丰富的色彩，要求发光材料发射光谱的半峰宽尽可能窄。开发具有窄带发射的发光材料，特别是具有绿色发光、高量子效率、高可靠性的材料，对于超高清显示产业的发展具有重要意义。

本发明公开了一种基于平板显示ＴＦＴ基板的大面积红外探测器件及其驱动方法，采用薄膜晶体管基板，并采用化学溶液法制备ＰｂＳ或者Ｇｅ半导体量子点，作为光电转换材料；其次，在ＴＦＴ基板上方采用低温旋涂、喷墨打印或者转印等方法，沉积可传感红外信号的ＰｂＳ或者Ｇｅ量子点层；在量子点光电转换层上利用溅射方法制备对红外吸收较少的公共导电层；薄膜晶体管背板的像素源电极、量子点光电转换层，以及透明电极构成红外光敏电阻结构，该光敏电阻吸收红外信号后，产生光生载流子，从而改变电阻的阻值。本发明提出的红外探测器件成像面积大，

本发明提出一种无深度反转的集成成像3D投影显示装置，该装置由投影机和微反射镜阵列组成，投影机将微图像阵列直接投影到微反射镜阵列的后方，微反射镜阵列包含的反射单元个数与微图像阵列包含的图像元个数相同，且反射单元与图像元中心对齐，微反射镜阵列的反射单元对投影机投影的光线进行反射并聚集还原，再现出无深度反转的3D图像。

本发明公开了一种铜纳米线的铜铜键合工艺。在基片表面依次 沉积粘附层和种子层；在种子层上制备一层光刻胶，并在光刻胶上制 作圆孔；在圆孔中电镀铜，得到铜凸点；利用水热法在铜凸点表面生 长 Cu(OH)2 纳米线；去除残余的光刻胶；对 Cu(OH)2 纳米线进行热分 解，得到 CuO 纳米线；对 CuO 纳米线进行还原，得到铜纳米线；利 用上述步骤分别在两个基片上制得铜纳米线，通过热压方式对这两个 基片上的铜纳米线进行键合。本发明通过还原制得铜纳米线，直接应于后续键合，避免了额外的去氧化层步骤，能在较低的