高等教育领域数字化综合服务平台
云上高博会服务平台 高校科技成果转化对接服务平台 大学生创新创业服务平台 登录 | 注册
|
搜索
搜 索
  • 综合
  • 项目
  • 产品
日期筛选: 一周内 一月内 一年内 不限
广元市第七届教育科研优秀成果二等奖
获广元市第七届教育科研优秀成果《广元市地震灾区教师信息技术能力现状调查与分析》二等奖。
川北幼儿师范高等专科学校 2015-01-14
中国科学技术大学在二维材料固态自旋色心研究中取得新进展
我校郭光灿院士团队在二维范德瓦尔斯材料固态自旋色心领域取得重要进展。该团队李传锋、唐建顺研究组与匈牙利魏格纳物理研究中心AdamGali教授等人合作,实验研究并理论解释了六方氮化硼(hexagonalboronnitride,hBN)中带负电硼空位(VB-)色心受磁场调制的自旋相干动力学行为,揭示了hBN中VB-色心电子自旋与核自旋之间的相干耦合和弛豫机制,对发展基于二维范德瓦尔斯材料的相干自旋系统及低维量子器件具有重要意义。
中国科学技术大学 2022-10-17
一种提高二氧化钛光激发气敏性能的方法及装置
本发明公开了一种提高二氧化钛光激发气敏性能的方法及装置, 该方法是在光气敏传感器工作过程中,通过对材料薄膜进行加热调控 (50℃-70℃),使气敏材料表面物理吸附水减少,从而对环境湿度不 敏感;其次,表面保留的化学吸附水在紫外光照下产生的自由羟基, 以及由低温加热下产生少量热激发诱导的光、热联合激发的协同效应, 可大幅度提高其响应恢复速度。装置包括材料基片、光激发源、光激 发控制模块、温度控制模块、信号调理模块、计算
华中科技大学 2021-04-14
一种带有硫化铝外壳的二硫化钼纳米粉末材料及其制备方法
(专利号:ZL 201410557617.3) 简介:本发明公开了一种带有硫化铝(Al2S3)外壳的二硫化钼(MoS2)纳米粉末材料及其制备方法,属于纳米材料制备技术领域。该纳米粉末材料为核壳结构,内核为MoS2纳米颗粒,外壳为Al2S3层;所述MoS2内核的粒径为10~100nm,所述Al2S3外壳层为非晶Al2S3层,其厚度为1~10nm。本发明采用等离子电弧放电法,将钼粉和铝粉按一定原子百分比压制成块体作为阳极材料,采用石墨作为阴极
安徽工业大学 2021-01-12
可实现纯紫外发光的ZnO基异质结发光二极管的制备方法
本发明公开了一种可实现纯紫外发光的ZnO基异质结发光二极管的制备方法,包括如下步骤:在蓝宝石衬底上生长n?ZnO纳米线;采用磁控溅射法在p?GaN上溅射一层AlN薄膜;采用溅射法或者电子束蒸镀分别在n?ZnO和p型GaN一端制备具有欧姆接触的金属电极;将AlN薄膜/p?GaN紧扣在n?ZnO纳米棒阵列上面形成异质结,构成完整的器件。本发明在蓝宝石上直接生长ZnO纳米棒阵列,提高ZnO结晶度,提高电学性能,有效消除晶体质量差的问题;引入AlN隔离层,有效较少了结区的剩余电子,增加ZnO区载流子复合效率,实现纯ZnO紫外发光;n?ZnO纳米棒阵列/AlN/p?GaN异质结发光二极管,发光位置在385nm左右,半峰宽为14.5nm。
东南大学 2021-04-11
分体彩屏水控机,二维码水控机,4G水控机
产品详细介绍产品介绍:1、脉冲流量计、电磁阀、刷卡收费控制器分体式设计,可灵活安装;2、安装方便简单,适合浴室、澡堂、公寓等高湿度及各种恶劣环境使用;3、可以设定一张卡的用水量,超过额度拒绝用水;4、在冷水和热水环境下均可使用;5、1.77寸彩屏显示,可直观显示用户姓名、卡号、余额、消费情况等信息;6、脱机工作可通过管理卡进行费率、参数等设置;7、自动识别持卡人的合法性,根据卡内账户信息决定是否允许消费;8、可控制电磁阀及电动阀;9、控水器为12v电压,保证使用者安全;10、IC卡可以扩展为一卡通,兼容考勤、门禁、消费、停车场等系统;11、可扩展补补贴功能,可对用户进行补贴。产品参数:外形尺寸:110mm*145mm*45mm卡片类型:M1卡计费方式:计时、计量、计次屏幕显示:1.77寸彩屏显示系统发卡数量:可达100万  工作频率:13.56MHz卡操作距离:0-50mm卡读写速度:<0.3s机器颜色:白色通讯方式:脱机、RS485、TCP/IP、无线433、WIFI、4G供电电压:DC12V 1A记录存储容量:最大可存储6万条断电数据保存时间:>10年存储挂失卡数目:>100万张                工作环境: -10℃ ~ +100℃
广州野马电子科技有限公司 2021-08-23
一种Fe/g-C3N4修饰阴极沉积型微生物燃料电池及其自驱动光电芬顿降解四环素的应用
本发明公开了一种Fe/g‑C&lt;subgt;3&lt;/subgt;N&lt;subgt;4&lt;/subgt;修饰阴极沉积型微生物燃料电池及其自驱动光电芬顿降解四环素的应用,属水体污染治理技术领域。所述Fe/g‑C&lt;subgt;3&lt;/subgt;N&lt;subgt;4&lt;/subgt;修饰阴极沉积型微生物燃料电池,包括:反应器,所述反应器内设置有阴极区和阳极区,所述阴极区包括水体以及固定于水体液面上的Fe/g‑C&lt;subgt;3&lt;/subgt;N&lt;subgt;4&lt;/subgt;修饰碳毡阴极,所述阳极区包括水体沉积物基质和埋置于水体沉积物基质的碳毡阳极,所述Fe/g‑C&lt;subgt;3&lt;/subgt;N&lt;subgt;4&lt;/subgt;修饰碳毡阴极和所述碳毡阳极通过连接外加电阻形成闭合电路。本发明与其他技术相比,在自然光照下,无需外加能源与H&lt;subgt;2&lt;/subgt;O&lt;subgt;2&lt;/subgt;,即可实现光电协同高效降解四环素,结构简单,建造和运行成本低廉,易于管理维护。
南京工业大学 2021-01-12
花生维生素E合成相关基因AhPK及其在提高植物维生素E含量和耐盐性中的应用
本发明提供了花生维生素E合成相关基因AhPK及其在提高植物维生素E含量和耐盐性中的应用,将该AhPK基因在花生中超量表达后,得到生育酚含量和活性最高的α生育酚含量显著提高的转基因植株。实验证明,将本发明的AhPK基因超量表达可显著提高花生叶片的维生素E含量,且可明显增强转基因花生种子的耐盐性。本发明的蛋白及其编码基因对于植物维生素E合成机制的研究,以及提高植物的维生素E含量、活性和植株的抗逆性具有重要的理论及实际意义,应用前景广阔。
青岛农业大学 2021-04-11
基于内吗啡肽 2 和 NPFF 受体拮抗剂 RF9 的分叉型杂交肽 及其合成方法和应用
疼痛在临床医学治疗和病人生活质量提高等方面都具有重要意 义。目前,临床最广泛应用的阿片类镇痛药物常伴随一些副作用,如 镇痛耐受、便秘和成瘾等,从而大大限制了其临床应用。因此,研究 和开发低副作用的高效镇痛新药具有广阔的应用前景。 研究表明,在保持阿片药物镇痛活性的同时有效减少其副作用的 策略主要有以下三种:一、以其母体为模板,通过化学修饰来筛选出 受体选择性较高和具有优势构象的类似物,从而达到保持较高生物活
兰州大学 2021-04-14
维生素B6通过PKM2/Nrf2通路促进谷胱甘肽合成发挥神经保护作用
帕金森病“长线用药”存在着副作用多、几年后疗效减退的难题。南京中医药大学医学院•整合医学学院胡刚教授团队的最新研究成果《维生素B6通过PKM2/Nrf2通路促进谷胱甘肽合成发挥神经保护作用》,为帕金森病临床治疗的突破及研发理想治疗药物提供了新靶标。前不久,该项研究成果在国际一流刊物《自然通讯》上在线发表。 谷胱甘肽作为细胞内一种重要的抗氧化物质,能够保护神经元免受氧化应激损伤。帕金森患者脑内普遍存在谷胱甘肽水平降低问题,导致神经元抗氧化损伤能力减弱,加剧病理进程。因此,亟需阐明脑内谷胱甘肽水平下降的分子病理机制,并通过外源性药物恢复脑内谷胱甘肽水平,为临床治疗的突破及研发理想治疗药物提供新靶标。 南京中医药大学胡刚教授团队的研究新成果,首次报道了星形胶质细胞多巴胺D2受体激活后促进谷胱甘肽合成的具体分子机制,并发现小分子化合物吡哆醇可促进星形胶质细胞谷胱甘肽的合成,发挥神经保护作用。“星形胶质细胞D2型多巴胺受体激动后,通过下游非经典G蛋白β-arrestin2信号通路,直接结合并二聚化M2型丙酮酸激酶。”研究团队专家介绍,后者作为转录共激活因子增强Nrf2的转录活性,导致Nrf2与Gclc、Gclm基因启动子结合能力增强,最终促进谷胱甘肽合成。研究团队还通过对源于天然产物的小分子库筛选,找到了一种能促进谷胱甘肽合成的小分子化合物吡哆醇,该化合物能二聚化PKM2从而促进其对Nrf2的转录激活作用,进而提高脑内谷胱甘肽水平,保护神经。 帕金森是全球第二大神经退行性疾病。据统计,我国60岁以上老年人帕金森病患病率为1%,65岁以上人口患病率为2%,70岁以上患病率约为3%-5%。“现在临床治疗帕金森病的一线药物,多是作用于脑内多巴胺受体的。”研究团队成员之一、南京中医药大学医学院•整合医学学院青年教师伟尧博士介绍,激活多巴胺受体可以较好地缓解帕金森症状,但存在两个比较突出的问题,一是会有恶心、嗜睡、低血压、消化道不适等副作用,二是长期服用会产生受体脱敏现象,导致服药3-5年后疗效减退,严重影响患者生活质量。如何解决这些问题,成为业界专家学者们探究的课题。
南京中医药大学 2021-04-11
首页 上一页 1 2
  • ...
  • 165 166 167
  • ...
  • 183 184 下一页 尾页
    热搜推荐:
    1
    云上高博会企业会员招募
    2
    64届高博会于2026年5月在南昌举办
    3
    征集科技创新成果
    中国高等教育学会版权所有
    北京市海淀区学院路35号世宁大厦二层 京ICP备20026207号-1