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一种用于可见近
红外光
谱检测的LED光源装置
本实用新型公开了一种用于可见近红外光谱检测的LED光源装置。包括驱动电源、LED发光源、套筒、支架、和螺纹圈,套筒安装在支架上,套筒左端内安装有LED发光源,套筒右端内设置有光路组件,并在右端内壁设有内螺纹,LED发光源与驱动电源相连;光路组件包括沿光轴依次布置在套筒右端的阶梯孔端内并通过连接在套筒右端内螺纹上螺纹圈轴向固定的左平凸透镜、光阑和右平凸透镜。本实用新型发射的光线直接照射被测对象,然后再采集透射光谱,能够适应静态透射检测和在线动态检测,本实用新型具有节能环保的优点。
浙江大学
2021-04-13
一种异质结近
红外光
敏传感器及其制备方法
本发明属于光电子领域,涉及一种异质结近红外光敏传感器及其制备方法。是由热蒸发气相沉积法 制备的碲锌氧复合物与 p-Si 形成的异质结光敏传感器,包括 p 型硅衬底,碲锌氧复合物,顶电极和底电 极。其关键在于碲锌氧复合物的制备。这种新型的传感器表现出了波段可调的稳定优良的光敏探测性能, 可探测波长从紫外-可见-近红外波段调节至限定在 1040nm 的近红外波段
武汉大学
2021-04-14
基于近
红外光
谱的入孵前种蛋受精情况检测方法及装置
本发明提供一种基于近红外光谱的入孵前种蛋受精情况检测方法及装置,方法包括:获取对种蛋采用预设方式进行近红外光扫描形成的多个近红外光谱;所述预设方式为:对种蛋的至少两个不同预设位置中的每个预设位置进行至少一次扫描;获取所述多个近红外光谱中每个光谱中各个预设波段处的吸光度,并根据所述每个光谱中各个预设波段处的吸光度,计算各个预设波段处吸光度的平均值;根据各个预设波段处吸光度的平均值和各个预设波段处吸光度的预设权重系数,利用预设种蛋受精情况预测模型计算所述种蛋是否受精的预测值;根据所述预测值,确定所述种蛋是否受精。本发明可在不破坏种蛋完整性的情况下且在入孵前准确判定受精蛋未受精蛋的类型。
中国农业大学
2021-04-11
南开科研团队在原子尺度实现中
红外光
散射领域取得研究进展
南开大学物理科学学院蔡卫教授、许京军教授领导的课题组,在纳米尺度光操控方向经过长期探索取得了一系列进展,如能带和费米能级独立调控下双层石墨烯光学性质的纳米尺度探测(NanoLetters21,5151(2021))、人工诱导电子型边界对石墨烯等离激元波反射的可控调节(AdvancedMaterials,29,1701083(2017))等。
南开大学
2022-02-23
一种动目标多维度多尺度
红外光
谱特征测量方法及系统
本发明公开了一种动目标多尺度多维度红外光谱特征测量方法及系统,属于图像处理、红外光谱测量领域。本发明主要为解决对动目标红外光谱特征测不到,测不准的问题。本发明方法包括:(1)建立目标红外光谱多维度多尺度特征表示公式,从中提取目标红外光谱精确模型。(2)从中提取感兴趣区域精确定位方法,识别感兴趣区域各部件位置信息。(3)从中提取多框架伺服控制方法,解决目标红外光谱测不到问题。本发明将红外光谱数据及图像数据结合进行处理,
华中科技大学
2021-04-14
黄铜矿类正单轴晶体制备
红外
非线性
光学
元件的定向切割方法
一种黄铜矿类正单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法,步骤包括:(1) 根据黄铜矿类正单轴晶体解理面{101}和{112},利用带有吴氏网标尺的晶体标准极图和 X射线衍射仪θ-2θ连续扫描确定晶体的C轴方向;(2)将已确定C轴方向的晶体置于切 割机上,根据光学元件所需的相位匹配角θm朝近C轴方向转动样品台Δθ后进行切割, 获得光学元件初样,Δθ=θ(101)-θm;(3)将光学元件初样置于X射线衍射仪样品台 上,测定光学元件初样切割面的回摆谱,获得衍射峰位值θ′及Δθ′,Δθ′=|θ′- θ′(101)|;(4)光学元件的精加工,对光学元件初样切割面进行修正,直至Δθ′=Δθ。
四川大学
2021-04-11
黄铜矿类负单轴晶体制备
红外
非线性
光学
元件的定向切割方法
一种黄铜矿类负单轴晶体制备红外非线性光学元件的定向切割方法,步骤包括:(1) 根据黄铜矿类负单轴晶体解理面{112}和{101},利用带有吴氏网标尺的晶体标准极图和 X射线衍射仪θ-2θ连续扫描确定晶体的C轴方向;(2)将已确定C轴方向的晶体置于切 割机上,根据光学元件所需的相位匹配角θm朝远C轴方向转动样品台Δθ后进行切割, 获得光学元件初样,Δθ=θm-θ(112);(3)将光学元件初样置于X射线衍射仪样品台上, 测定光学元件初样切割面的回摆谱,获得衍射峰位值θ′及Δθ′,Δθ′=|θ′- θ′(112)|;(4)光学元件的精加工,对光学元件初样切割面进行修正,直至Δθ′=Δθ。
四川大学
2021-04-11
一种中
红外
非线性
光学
晶体材料 RbIO2F2 及其制备方法和应用
本发明公开了一种中红外非线性光学晶体材料,其化学式为 RbIO2F2,上述材料的晶体空间群为 Pca21,晶胞参数为 a?=?8.567(4)??、b?=?6.151(3)?、c?=?8.652(4)??、α?=?β?=?γ?=?90?、Z?=?4。本发明 还提供了上述晶体材料的水热法制备方法,本发明制得的中红外非线性光学晶体材料具有较强的能相位 匹配的倍频效应(SHG),Kurtz 粉末倍频测试结果表明其粉末倍频效应为磷酸二氢钾(KDP)的 4&n
武汉大学
2021-04-14
一种中
红外
非线性
光学
晶体材料 KBi4F13 及其制备方法和应用
本发明公开了一种中红外非线性光学晶体材料,其化学式为 KBi4F13,上述材料的晶体空间群为 I-4, 晶胞参数为 a=9.2027(19)b=9.2027(19)c=6.2589(13)α=β=γ=90°、Z=2。本发明还提供了上述晶体材 料的水热法制备方法,本发明制得的中红外非线性光学晶体材料具有能相位匹配的倍频效应(SHG), Kurtz 粉末倍频测试结果表明其粉末倍频效应与磷酸二氢钾(KDP)相当;粉末的激光伤阈值为 120MW/c
武汉大学
2021-04-14
多通道GHz近
红外
单光子探测器
基于InGaAs-APD的超灵敏高速光电探测模块,探测波段覆盖900 -1700 nm,探测效率最高可达25%。采用先进的正弦频谱滤波技术,支持GHz以上的单光子探测。此外,得益于先进的噪声抑制和弱信号处理技术,GHz 单光子探测器在如此高的工作频率下依然可以保持5×10-6/pulse的暗计数水平,以及小于5%的后脉冲概率。而多通道GHz单光子探测器的集成,可实现高速的光子数可分辨探测,拓展量子探测器的动态范围。 相关技术指标: 通道数: ≥4 工作频率:1-2.5GHz 探测效率:1-25% 连续可调 暗计数: 工作频率1-1.5GHz:≤ 5×10-6/pulse 工作频率2-2.5GHz:≤ 1×10-5/pulse 后脉冲: ≤ 5% 死时间: 3 ~ 10 ns (暗计数后脉冲指标均在10%探测效率下测得) 技术创新点: 国际上首次提出“一种低时间抖动低噪的吉赫兹单光子探测方法”,通过频谱分析的方法将低通滤波和平衡相结合,实现了高速高性能InGaAs APD单光子探测,被国内外单光子探测领域的专家同行广泛引用。基于该技术所研制的GHz单光子探测器通过华东电子测量仪器研究所光电计量校准中心(国防科技工业光电子一级计量站)鉴定检测,性能指标达到国际同类仪器先进水平。“单光子探测关键技术与仪器开发”获2012年上海市科技发明二等奖(第十完成人)此外,在此基础上,将室温单光子探测的速率提升到GHz以上,与国际水平相对比,工作频率提升到了1.5GHz,后脉冲误计数概率亦有所下降,探测效率为21%时,后脉冲概率仅为1.4%。
上海理工大学
2023-08-08
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