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面向物联网的砷化镓基具有热电转换功能的
MESFET
器件
本发明提供的一种面向物联网的砷化镓基具有热电转换功能的MESFET器件,主要包括MESFET和热电偶。MESFET选择半绝缘的GaAs作为衬底,通过GaAs工艺和MEMS表面微机械加工实现具有能量转换功能的MESFET。在源漏栅的金层四周制作一层二氧化硅,化学机械抛光后,制作热电偶的金属Au型热电臂和砷化镓型热电臂,蒸金连接两种热电偶臂,将源漏栅的热电偶电极进行金属连线,留下两个热电偶电极作为塞贝克电压的输出极。该砷化镓基具有热电转换功能的MESFET器件根据塞贝克效应,可以将器件工作产生的热能转换为电能,实现能量收集的同时缓解了散热问题。通过检测输出塞贝克电压的大小来实现对热耗散功率大小的检测。
东南大学
2021-04-11
柔性储能
器件
及传感
器件
利于层状纳米材料比表面积大的特点,在碳基柔性衬底上制备了高性能柔性 超级电容器,及葡萄糖传感器。超级电容器的能量密度最大为50.2Whkg-1,功 率密度为8002 W kg-1 at 17.6 Wh kg-1,充电1分钟能点亮两只绿色LED灯3 到5分钟。性能处于国际先进水平,成果先后发表于JALC0M , 714(2017) 63-70; 763 (2018) 926-934 等。
重庆大学
2021-04-11
磁流变元
器件
磁流变液是一种机敏材料,在外加磁场的作用下,液体的粘度发生很大的变化,具有很大的抗剪切力,易于控制并且连续可控。运用磁流液可以制作磁流变刹车、离合器、减振器和阻尼器等高科技磁液变元器件,它们可以用于车辆悬挂系统,土木工程结构抗震、减振及大型能量动力设备的基础隔振等方面。此外磁流变阻尼器还可用于制成无级可调式健身器材。我们针对磁流变减振器具有很大的阻尼力,且
西安交通大学
2021-01-12
新型FinFET
器件
工艺
已有样品/n全金属化源漏FOI FinFET 相比类似工艺的常规FinFET 漏电降低1 个数量级,驱动电流增大2 倍,驱动性能在低电源电压下达到国际先进水平。由于替代了传统的源漏SiGe 外延技术,与极小pitch 的大规模FinFET 器件的兼容性更好,有助于降低制造成本,提高良品率,具有很高的技术价值。
中国科学院大学
2021-01-12
光学微腔
器件
成果创新点 1.在光学微腔器件的晶体腔加工、PPLN 微腔加工、微 腔耦合与封装、微腔超高 Q 值检测方面,分别提出了先进 而完善的实施方案,并申请了相关发明专利。现有晶体微 腔 Q 值国内最高水平 106,国外达到 109,本项目可优于 108, 从而达到国内领先,国际先进水平。 2.在光学微腔器件应用方面,研发例如超窄线宽激光 器(精密测量、物理量精密传感)、超窄线宽滤波器(激 光技术
中国科学技术大学
2021-04-14
光学微腔
器件
1.在光学微腔器件的晶体腔加工、PPLN 微腔加工、微腔耦合与封装、微腔超高 Q 值检测方面,分别提出了先进而完善的实施方案,并申请了相关发明专利。现有晶体微腔 Q 值国内最高水平 106,国外达到 109,本项目可优于 108,从而达到国内领先,国际先进水平。 2.在光学微腔器件应用方面,研发例如超窄线宽激光器(精密测量、物理量精密传感)、超窄线宽滤波器(激光技术)等小型化器件的技术原理和实现方案。与常规产品相比,体积可缩小至 500 立方厘米以下,精度可提高 2个量级,成本可下降 80%。成果可实现的光学微腔器件主要指标:研制出光学晶体微腔,Q 值优于 108,根据用户要求研制小型化应用模块。
中国科学技术大学
2023-05-17
功率芯片封装
器件
博志金钻技术团队在磁控溅射领域深耕二十余年,目前已经实现氧化铝、氮化铝、氮化硅、单晶金刚石、单晶碳化硅覆铜板的量产,三英寸陶瓷覆铜板月产能10万片,包括各类种子层方案,铜层厚度0.5-100um,表面无毛刺、划痕、色差等异样,350度加热平台烘烤5分钟不起泡。 一、项目进展 已注册公司运营 二、企业信息 企业名称 苏州博志金钻科技有限责任公司 企业法人 潘远志 注册时间 2022/3/31 注册所在省市 江苏省 苏州市 组织机构代码 91610131MA712U7Q06 经营范围 一般项目:技术服务、技术开发、技术咨询、技术交流、技术转让、技术推广;金属表面处理及热处理加工;新材料技术研发;新材料技术推广服务;电子元器件制造;集成电路制造;信息安全设备制造;通信设备制造;光通信设备制造;雷达及配套设备制造;光电子器件制造;真空镀膜加工;表面功能材料销售;金属基复合材料和陶瓷基复合材料销售;合成材料销售;有色金属合金销售;半导体器件专用设备制造;新型陶瓷材料销售;电子元器件零售;电子元器件批发;泵及真空设备制造;泵及真空设备销售;通用设备制造(不含特种设备制造);玻璃、陶瓷和搪瓷制品生产专用设备制造;电子专用材料研发;电子专用材料制造;特种陶瓷制品销售;半导体器件专用设备销售;集成电路设计;机械设备租赁;租赁服务(不含许可类租赁服务)(除依法须经批准的项目外,凭营业执照依法自主开展经营活动) 企业地址 江苏省 苏州高新区长亭路8号大新科技园3幢二楼 获投资情况 2021/07/01苏州汇伯壹号创业投资合伙企业(有限合伙)天使轮1000万元 2022/03/22苏州融享进取创业投资合伙企业(有限合伙)preA轮2500万元 三、负责人及成员 姓名 学院/所学专业 入学/毕业时间 潘远志 邓敏航 杨添皓 电子与信息学部/自动化 2020/2024 陶佳怡 管理学院/大数据管理 2020/2024 林子涵 电气工程学院/电气工程及其自动化 2020/2024 袁子涵 电气工程学院/电气工程及其自动化 2020/2024 牟国瑜 电气工程学院/电气工程及其自动化 2020/2024 杨志鹏 能源与动力工程学院/强基(核工程与核技术) 2020/2024 田继森 航天航空学院/工程力学 2020/2024 孙浩然 机械工程学院/机械工程 2020/2024 郑力恺 电气工程学院/电气工程及其自动化 2019/2023 王羿淮 管理学院/工商管理 2019/2025 李青卓 材料科学与工程学院/材料科学与工程 2018/2023 四、指导教师 姓名 学院/所学专业 职务/职称 研究方向 宋忠孝 材料学院/材料系 教授、博士生导师 核电领域;电化学、催化、电池领域;器件、封装领域:高温抗氧化烧蚀、高压抗电弧烧蚀领域;轻量化领域硬质涂层领域 王小华 电气学院/电机电器及其控制 教授/博导,国家级人才计划入选者(特聘教授),国家级青年人才计划入选者(青年学者),教育部新世纪优秀人才,陕西省青年科技标兵。西安交通大学未来技术学院/现代产业学院副院长、实践教学中心(工程坊)副主任、教务处副处长、创新创业学院副院长,CIGRE开关设备状态评估工作组成员,中国电工技术学会电器智能化系统及应用专委会委员 开关设备设计、状态监测与寿命评估 田高良 管理学院/会计与财务 教授、博士生导师 财务预警;内部控制与风险管理;资产评估;信用管理等 五、项目简介 苏州博志金钻科技有限责任公司是一家专门从事高功率半导体封装材料研发生产的公司。以先进的陶瓷表面金属化技术为核心形成了包括(1)粉体表面改性;(2)热压烧结;(3)研磨、抛光;(4)陶瓷金属化;(5)增厚、刻蚀;(6)预制金锡焊料;(7)激光切割等环节的完整高端热沉材料生产体系。公司拥有完整的热沉材料生产体系,致力于成为“国产化功率半导体器件热沉材料领跑者”,为我国半导体产业发展添砖加瓦。 博志金钻技术团队在磁控溅射领域深耕二十余年,目前已经实现氧化铝、氮化铝、氮化硅、单晶金刚石、单晶碳化硅覆铜板的量产,三英寸陶瓷覆铜板月产能10万片,包括各类种子层方案,铜层厚度0.5-100um,表面无毛刺、划痕、色差等异样,350度加热平台烘烤5分钟不起泡。博志金钻目前苏州主体工厂面积超过5000平米,含万级洁净间。拥有20余台研磨抛光设备、10余台烧结炉、4条卧式连续镀膜设备、5台立式镀膜设备,以及超声清洗、喷淋甩干等完善的配套设备。博志金钻的工艺流程包括粉体表面改性、热压烧结、研磨/抛光、陶瓷金属化、增厚/刻蚀、预制金锡焊料、激光切割,博志金钻已经建立了完善的产品生产管理及质量监控体系来进行管控,完成了包括ISO9001、14001等认证,并不断完善产品检测设备及手段,确保产品质量稳定。 公司积极进行产品迭代和技术储备,在高功率半导体封装材料研发生产领域有着二十余年研发经验。中国科学院院士孙军教授和国家万人计划领军人才宋忠孝教授作为本公司首席科学家领衔公司技术研发,进行陶瓷金属化和半导体封装基板领域关键技术的探索。潘远志带领公司与西安交通大学表面工程国际研发中心、金属材料强度国家重点实验室合作进行前沿技术开发,团队与苏州市产业技术研究院、高新区共同设立苏州思萃材料表面应用技术研究所,是公司的技术支持和组织依托。目前公司已完成天使轮、preA轮数千万融资交割,公司投后估值逾2亿元。
西安交通大学
2022-08-10
分立
器件
测试机
南京工程学院
2021-04-13
面向 5G 通信基站用氮化镓基射频
器件
(一)项目背景 当前以硅、砷化镓为代表的第一和二代半导体接近其物理极限,以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体是当前国际竞争热点,也是我国发展自主核心半导体产业、实现换道超车的难得机遇。氮化镓(GaN)特别适合制作高频、高效、高温、高压的大功率微波器件,是下一代通信、雷达、制导等电子装备向更大功率、更高频率、更小体积和抗恶劣环境(高温抗辐照)方向发展的关键技术。 目前氮化镓基射频器件已接近于商用,需解决从走出实验室到小量中试的最后“1 公里”,重点攻克其在可靠性工艺和量产稳定性的瓶颈。 以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体是当前国际竞争热点,也是我国发展自主核心半导体产业、实现换道超车的难得机遇。 半导体作为信息时代的“粮食”,将成为 5G 基建、特高压、城际高铁和城际轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心、人工智能、工业互联网等“新基建”七大领域发展的支柱性产业。而氮化镓为代表的宽禁带半导体先进电子器件,凭借其高效、高压、高温等优势,将在“新基建”中大放异彩,可以弥补传统半导体器件的技术瓶颈,满足更高性能器件要求。 (二)项目简介 5G 要求更高的数据传输速率,发射机的效率会出现指数级的下降。这种下降可以使用包络跟踪技术来修复,该技术已经在较新的 4G/LTE 基站以及蜂窝电话中采用。基站中的包络跟踪需要高速,高功率和高电压,这些只有使用 GaN 技术才能实现。诸如 GaN 助力运营商和基站 OEM 等实现了 5Gsub-6-GHz 和 mmWave 大规模 MIMO 的目标。 GaN 可以说为 5Gsub-6-GHz 大规模 MIMO 基站应用提供了众多优势:1、在 3.5GHz 及以上频率下表现良好,对比其他产品优势明显。2、GaN 的特性能转化为高输出功率,宽带宽和高效率。采用 DohertyPA 配置的 GaN 在 100W 输出功率下的平均效率达到 50%至 60%,明显降低了发射功耗。3、在高频和宽带宽下的效率意味着大规模 MIMO 系统可以更紧凑。4、可在较高的工作温度下可靠运行,这意味着它可以使用更小的散热器。 根据 Strategy Analytics 的数据,预计 5G 移动连接将从 2019 年的 500 万增长到 2023 年的近 6 亿。所以需求还将不断上涨。 根据Strategy Analytics的数据,预计5G移动连接将从2019年的500万增长到2023年的近6亿。所以需求还将不断上涨。 Efficient Power Conversion 的首席执行官兼联合创始人Alex Lidow 讨论5G时也说道:“基站中的包络跟踪需要高速,高功率和高电压,这些只有使用GaN技术才能实现。根据Yole Development公司发布的2018年度报告数据显示,随着全球整体数据流量的激增,我国5G产业将迎来大规模的需求增长。预计到2022年,我国5G基站规模将达到千亿市场,5G基站数量将达百万个。所以未来氮化镓基射频器件是5G通信基站收发端的核心。 氮化镓基射频器件是华为和中兴发展 5G 通信产业的核心器件,西安电子科技大学氮化镓射频器件研究团队自 2016 年起就与华为西安研究所、中兴西安研究所等国内主流5G通信公司协同攻关开展氮化镓基射频器件的研究,目前承担的流片服务项目合计约 500 万元。 2017 年,西安电子科技大学与西安市高新区、西电电气集团等联合成立“陕西半导体先导技术中心”,中心致力于推动陕西第三代半导体产业发展,促进以氮化镓为代表的射频器件、功率器件等加速产业化,2019 年团队向陕西半导体先导技术中心转让专利 35 项,作价 2000 万元,双方正在联合推进搭建第三代半导体中试平台,平台将会立足西安,服务全国,提升氮化镓基射频器件量产工艺可靠性,实现相关技术成果转化。 (三)关键技术 本项目由西安电子科技大学作为技术攻关的主要单位,制定技术路线,保障国家重大科技专项“高效 GaN 微波功率器件及可靠性研究”和“5G 移动通信 GaN 芯片可靠性机理研究”研究,与华为和中兴联合开展工程合作项目实施,加快解决器件工艺可靠性工程问题,重点开展氮化镓微波功率与太赫兹器件工程技术研究,突破高性能低缺陷外延材料生长、高效率高可靠氮化镓微波功率器件工艺技术等关键瓶颈问题,协助规模量产高效率 S-Ku 波段典型氮化镓功率器件和模块、5G 基站核心射频模块。
西安电子科技大学
2023-07-12
有机薄膜电致发光
器件
自1987年美国柯达公司的邓青云C.W.Tang等人报导了有机电致发光以来,在全世界范围兴起了一场有机薄膜发光二极管研究热潮。有机薄膜发光二极管具有主动发光、响应快、全固体化、容易实现彩色化和驱动电压低等独特的优越性,是很有潜力的平板显示器,它将取代现在统治市场的液晶显示器。然而高亮度、长寿命和高效率的有机电致发光器件是人们一直梦寐以求的。 有机电致发光器件虽然发展非常迅速,发展规模也是空前的。但是为了得到高亮度、高效率和长寿命的有机电致发光器件,人们对有机电致发光中的一些问题并没有很好的解决,如由于目前空穴和电子传输层材料和制备工艺的限制,用普通有机电致发光器件的结构:ITO/空穴传输层/有机发光层/背电极,有如下一些问题:发光层与电极之间的互扩散,没有足够高的空穴和电子迁移率,以及注入的空穴与电子不够平衡等。这些问题限制了有机电致发光器的进一步改善,成为有机电致发光器件发展的重要瓶颈,无法制备性能优异的有机发光器件。 技术特点: 对有机薄膜电致发光器件的结构和电子传输层材料进行改进,从而有效提高有机薄膜电致发光器件的亮度、效率和寿命。 技术特点:是在透明电极上,依次制备空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子电势补偿层和背电极所组成薄膜结构有机电致发光器件,其特征在于:在有机发光层与电子电势补偿层之间加入电子传输层,电子传输层采用宽禁带无机材料。 该器件在有机发光层与电子电势补偿层之间加入无机电子传输层这种结构可以大大改善有机电致发光器件的发光层与电极之间的扩散,注入的空穴与电子的不够平衡等,使有机电致发光器件的发光亮度,效率和奉命得到提高。
北京交通大学
2021-04-13
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