一种超薄芯片的制备方法

新一代信息技术

本发明公开了一种超薄芯片的制备方法，具体为：首先在硅晶圆表面光刻形成掩膜以暴露出需要减薄的区域，再采用刻蚀工艺对硅晶圆进行局部减薄，对减薄后的区域进行芯片后续工艺处理得到芯片，最后将芯片与硅晶圆分离。本发明只是部分减薄了硅片，所以硅晶圆的机械强度仍然可以支持硅片进行后续的加工工艺，相对于传统的利用支撑基底来减薄芯片的方法，简化了工艺流程，降低了工艺成本。另外由于不需要用机械研磨工艺来进行减薄，所以不会因为机械研磨对硅晶圆造成的轻微震动而使厚度不能减得过小，通过本发明可以使芯片减薄到比机械研磨方法更薄的程度。

未应用