低温键合制备铜-陶瓷基板方法

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本发明提供了一种低温键合制备铜-陶瓷基板的方法。首先将铜合金片选择性腐蚀得到含多孔纳米结构的铜片，然后在一定的温度、压力和保护气氛作用下，将铜片热压键合到沉积有金属薄膜的陶瓷片上，得到单面或双面含铜层的铜-陶瓷基板，最后通过图形腐蚀工艺制备出含金属线路的金属化陶瓷基板。由于纳米尺度效应，可以在较低的温度和压力下实现铜-陶瓷间高强度键合，与现有 DBC(直接键合铜-陶瓷基板)和 DPC(直接镀铜陶瓷基板)工艺相比，本方法生产成本低，基板性能高，特别适合于批量制备金属化陶瓷基板。

未应用