一种电场辅助写入型磁隧道结单元及其写入方法

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本发明公开了一种电场辅助写入型磁隧道结单元及其写入方法；

电场辅助磁隧道结单元具有双势垒结构，包括第一电极层，以及依次

形成在第一电极层上的第一磁性层、第一绝缘隧穿层、第二磁性层、

第一金属层、第二绝缘层和第二电极层。第一磁性层为参照层 RL，第

一绝缘层为隧穿层 I，第二磁性层为自由层 FL，第一金属层为非磁金

属层 NM，第二绝缘层为介电层 I*；当在磁隧道结单元的两端施加电

压时，电场通过两个绝缘层引入到 I/

试用