抗辐射加固存储单元电路

人工智能

本发明公开了一种抗辐射加固存储单元电路，包括：基本存储

单元、冗余存储单元和双向反馈单元；其中，基本存储单元包括第一、

第二 PMOS 管和第三、第四 PMOS 管；冗余存储单元包括第五、第六

PMOS 管和第七、第八 PMOS 管；双向反馈单元用于构成存储节点与

冗余存储节点间的反馈通路，还用于构成反相存储节点与反相冗余存

储节点间的反馈通路。本发明的存储单元电路可自动实现抗总剂量效

应加固和抗单粒子闩锁效应加固，同时利用冗余

试用