本发明公开了一种通过自底向上填充实现通孔互联的方法,包括:(a)在基片的一个表面上加工制得盲孔;(b)在加工盲孔的基片表面上依次生长绝缘层、阻挡层和种子层;(c)向种子层表面上涂布光刻胶并填平盲孔,然后执行曝光及显影处理,以使光刻胶仅在盲孔底部的种子层表面上残留;(d)去除未覆盖光刻胶的种子层,而盲孔底部的种子层不受影响;(e)去除残留的光刻胶;(f)向盲孔中填充导电材料完成自底向上的生长;(g)减薄基片未加工盲孔的表面形成通孔,由此完成通孔互联过程。本发明还公开了相应的通孔互联结构产品。通过本发明
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