一种在 SOI 硅片上制备微机械悬空结构的方法

其它领域

本发明公开了一种在 SOI 硅片上制备微机械悬空结构的方法。对悬空结构及其固定结构采用不同的槽宽设计，其中，固定结构的槽宽明显大于悬空结构，宽槽底部经刻蚀首先到达或更加接近 SiO2 层，再通过各向同性干法刻蚀使窄槽底部相互连通并与窄槽下方的 Si 层分离，将窄槽间的梁释放，形成具有平整底面的悬空结构，同时去除固定结构与悬空结构连接区底部的 Si 以及固定结构与其它结构之间的区域底部的 Si，使得固定结构与窄槽下方的 Si 层及其它结构隔离，从而使不同的固定结构间相互绝缘。本发明的方法简单有效，能广

未应用