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一种超薄芯片的制备方法
本发明公开了一种超薄芯片的制备方法，具体为：首先在硅晶圆表面光刻形成掩膜以暴露出需要减薄的区域，再采用刻蚀工艺对硅晶圆进行局部减薄，对减薄后的区域进行芯片后续工艺处理得到芯片，最后将芯片与硅晶圆分离。本发明只是部分减薄了硅片，所以硅晶圆的机械强度仍然可以支持硅片进行后续的加工工艺，相对于传统的利用支撑基底来减薄芯片的方法，简化了工艺流程，降低了工艺成本。另外由于不需要用机械研磨工艺来进行减薄，所以不会因为机械研磨对硅晶圆造成的轻微震动而使厚度不能减得过小，通过本发明可以使芯片减薄到比机械研磨方法更薄的程度。
华中科技大学
2021-04-11
一种净化油烟的碰撞装置
本发明涉及一种油烟气的净化装置，其特征是使用三段式净化大中型餐饮企业生产过程中产生的油烟，所谓三段式净化，即前端利用集气罩阻挡去除一部分油;中段在管道内装设惯性装置和碰撞系统，实现油烟的进一步分离；最后在系统的末端装有吸附净化设备，对烟气中的油脂进行分离，实现烟气的达标排放。
主要指标:排气效率>80%，噪声≤70dB。
兰州大学
2021-01-12
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学
2021-04-14
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学
2021-04-14
以靶标蛋白甾醇14α-脱甲基酶三维结构筛选的小分子化合物及其在制备杀菌剂中的应用
本发明公开了以靶标蛋白甾醇14α‑脱甲基酶三维结构筛选的小分子化合物及其在制备杀菌剂中的应用，所述小分子化合物为((1R,5S)‑3‑((3‑苯基‑1,2,4‑噁二唑‑5‑基)甲基)‑3,4,5,6‑四氢‑1H‑1,5‑甲撑吡啶并[1,2‑a][1,5]二氮环辛‑8(2H)‑酮盐酸盐。本发明通过室内药剂敏感性测定，证明了所述小分子化合物对引起小麦赤霉病害的主要植物病原真菌禾谷镰刀菌具有良好的抑制活
青岛农业大学
2021-01-12
一种含有-SO3H的酸性磁性材料催化制备缩醛（酮）的方法
（专利号：ZL 201410545674.X） 简介：本发明公开了一种含有-SO3H的酸性磁性材料催化制备缩醛(酮)的方法，属于化学材料及其制备技术领域。该制备方法中所用醛或酮与醇的摩尔比为1：(1～5)，以-SO3H计算所用酸性磁性材料催化剂的摩尔量是所用醛或酮的8～10％，反应温度为110℃，反应时间为0.5～3h，反应压力为一个大气压，反应后冷却至室温，用磁铁吸出催化剂，反应液通过气相色谱分析检测反应原料的转化率、选择性及缩醛(酮)
安徽工业大学
2021-01-12
可磁性分离回收的石墨烯复合二氧化钛光催化剂及其制备方法
本发明涉及一种可磁性分离回收的石墨烯复合二氧化钛光催化剂及其制备方法。通过两步水热法合成，首先将石墨烯与磁性颗粒复合制备成磁性石墨烯，再与水热法合成的二氧化钛纳米颗粒复合，制备出三元复合光催化剂，该催化剂由石墨烯、二氧化钛、纳米磁性颗粒三部分组成，磁性纳米颗粒负载于石墨烯片层上形成磁性石墨烯，具有较大的比表面积，同时具有磁性；金红石型二氧化钛具有三维有序纳米结构，负载于磁性石墨烯片层上，形成磁性分离的石墨烯复合金红石型二氧化钛光催化剂，该催化剂具有大比表面积，纳米颗粒具有磁性，可分离回收，具有高效催化性能。
浙江大学
2021-04-13
一种Mg2Ni型三元Mg-Ni-Cu可逆储氢材料及其制备方法
（专利号：ZL 201510578249.5） 简介：本发明公开了一种Mg2Ni型三元Mg‑Ni‑Cu可逆储氢材料及其制备方法，属于储氢技术领域。该储氢材料成分范围为：Mg占合金原子百分比为66.7％，Ni+Cu占合金原子百分比为33.3％，Cu在Ni+Cu中的原子百分比为0～12％，原料的纯度均不低于99.5％。该储氢材料制备的关键在于首先制备高化学稳定性的Ni(Cu)固溶体粉末，然后将固溶体粉末和Mg粉按比例混合烧结得到高纯Mg2Ni型三元Mg20Ni10‑xCux(0<x≤1.2)可逆储氢合金。本发明涉及的材料具有高的储氢容量(3.5wt％以上)和良好的低温放氢动力学等特性，Cu替代贵金属Ni降低了材料的使用成本。本发明涉及的制备方法具有工艺温和、简单、易控，生产设备投资少，生产过程无污染，易于工业化大规模生产的显著优点。
安徽工业大学
2021-04-11
一种五轴加工轨迹中刀具圆环体向三角片的边投影的算法
本发明属于铣削加工相关技术领域，其公开了一种五轴加工轨 迹中刀具圆环体向三角片的边投影的算法，其包括以下步骤:(1)判断 刀具圆环体向三角片的边投影的特殊情况，若存在特殊情况，则转至 步骤(5)，否则转至步骤(2);(2)根据第一几何约束条件来确定初始迭代 角度;(3)基于第二几何约束条件及第三几何约束条件来计算及离散初 始迭代角度区域，以确定较优初始迭代角度;(4)基于第二几何约束条 件及第三几何约束条件，采用割线法搜索最优角度，若成功则转至步 骤(5)，否则结束;(5)依据搜索到的所述最优角度计
华中科技大学
2021-04-14
一种基于MMC的含电容器桥臂的单相—三相变流系统
一种基于MMC的含电容器桥臂的单相—三相变流系统，由单相两桥臂变流器和三相三桥臂变流器“背靠背”联接而成，主要用于电力牵引的单相电源到三相电机的有功功率传递；将电容器桥臂与MMC桥臂相组合，最大限度降低系统造价；其中电容器桥臂由两套相同的电容器组串联而成，电容器组皆由同规格的直流储能电容串并联构成；MMC桥臂由两套相同的MMC链串联而成，MMC链由一个电感L与p个结构相同的功率模块串联，功率模块为单相半桥结构，均由一个IGBT半桥和一个直流储能电容构成；该系统尚可补偿谐波和无功功率，也适于变压、变频、变相等场合；本实用新型技术先进、可靠，易于实施。
西南交通大学
2016-10-24