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一种用缓冷含钛高炉渣制备CaTiO3复合材料的方法
简介：本发明公开一种用含钛高炉缓冷渣制备CaTiO3复合材料的方法，属于无机材料制备技术领域。该方法包括如下步骤：以含钛高炉渣与一定的NaNO3混合于高温下进行热改性，使Si组分转入易溶于水的Na2SiO3物相中，经过热水洗涤除去，滤渣再经过5wt%的稀盐酸溶液酸解使Al2O3、Fe2O3和MgO等组分进入滤液，再通过过滤和水洗涤除去，最大限度保留含钛高炉缓冷渣中原有的钙钛矿型CaTiO3，所获得的产品CaTiO3含量达到87%。本发明所提供的制备方法工艺简单、成本低，具有显著的经济和社会效益。
安徽工业大学
2021-04-13
一种带有硫化铝外壳的硫化铜纳米粉末材料及其制备方法
（专利号：ZL 201410557601.2） 简介：本发明公开了一种带有硫化铝(Al2S3)外壳的硫化铜(CuS)纳米粉末材料及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。该纳米粉末材料为核壳结构，内核为CuS纳米颗粒，外壳为Al2S3层；所述CuS纳米颗粒内核的粒径为10～100nm，所述Al2S3外壳层为非晶Al2S3层，其厚度为1～10nm。本发明采用等离子电弧放电法，将铜粉和铝粉按一定原子百分比压制成块体作为阳极材料，采用石墨作为阴极
安徽工业大学
2021-01-12
一种高强度beta-Al2O3固体电解质的制备方法
所属领域：新能源与节能环保成果介绍：这是一种钠离子导体的固体电解质，是一种导电陶瓷材料，可应用于钠硫电池、Zebra电池等领域。创新要点：该技术提供一种在于添加过渡金属原子
南京工业大学
2021-01-12
一种钛酸铅纳米片与铂纳米粒子复合材料的制备方法
本发明涉及一种钛酸铅纳米片与铂纳米粒子复合材料的制备方法，采用的是光还原沉积法，步骤包括：在钙钛矿型钛酸铅单晶纳米片与去离子水混合的悬浊液中加入六水合氯铂酸溶液、甲醇，然后在真空状态和0℃，在波长λ＞400nm的氙灯下进行光照反应，所得产物经洗涤，真空干燥，即可。本发明工艺简单，由于钛酸铅纳米片在表面具有极化场，有利于光还原沉积的铂纳米粒子在复合材料中稳定存在，且铂纳米粒子的沉积效率高。本发明不仅为高效制备贵金属纳米粒子与半导体纳米材料的复合材料提供了指导，而且制备的钛酸铅纳米片与铂纳米粒子复合材料有望用作光解水材料。
浙江大学
2021-04-13
一种超薄碳包覆二氧化锡纳米复合材料的制备方法
专利名称：
天津工业大学
2021-01-12
一种基于光子晶体高弹态法制备高质量透明制件的成形方法
本发明属于塑料加工成形技术领域，并公开了一种基于光子晶 体高弹态法制备高质量透明制件的成形方法，包括以下步骤：1)准备 材料；2)获取加工条件：利用热重分析法获得光子晶体的分解温度， 利用差示扫描量热法获得材料的玻璃化转变温度和粘流转变温度：3) 准备模具；4)加入材料；5)升温加热：升温加热使光子晶体进入高弹态， 并保温以保证光子晶体完全转化为高弹态；6)保压降温：升压使光子 晶体相互结合，然后停止加热并保压，随模
华中科技大学
2021-04-14
一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法
一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制备方法 发明专利/实用新型/：发明授权 简介：本发明公开了一种单分散氧化镓粉体及其高密度陶瓷靶材的制 备方法，其将纯度为 99.99％以上的金属镓原料溶解于酸中，配制澄清 的镓盐溶液，加入沉淀剂产生沉淀物，将获得的沉淀经洗涤、过滤、 干燥、煅烧制成单分散超细氧化镓粉体；用合成的单分散氧化镓粉体 作为原料，经模压成型和冷等静压强化获得氧化镓生坯，将生坯放在 高温炉
华中科技大学
2021-04-14
一种吸附全氟化合物的磁性纳米复合材料及其制备方法
本发明属于新材料领域，涉及磁性纳米复合材料，特别涉及一种选择性识别全氟化合物的高吸附容量磁性纳米复合材料及其制备方法，以解决现有吸附剂识别机制单一或选择性不理想的问题。其特征在于：以亲水基团修饰的 Fe3O4 纳米颗粒为基底，“一步法”合成由全氟辛基和胺基功能化的磁性纳米复合材料，制备方法简便快速、成本低廉、易于操作。材料对全氟化合物的识别基于氟氟相互作用和静电吸引，显著提高了其对目标分析物的特异性识别能力和吸附容量；制备得到的磁性纳米复合材料为核壳结构，表面吸附赋予了材料快速的吸附动力特征，加之材
华中科技大学
2021-04-14
一种亲水性甲基丙烯酰胺聚合物整体柱的制备方法及其应用
本发明公开了一种亲水性甲基丙烯酰胺聚合物整体柱的制备方法及其应用。其制法为:(1)预处理; (2)将丙烯酰胺、N，N’?-亚甲基双丙烯酰胺、4-乙烯基吡啶、十二醇和 AIBN 加入到二甲基亚砜中， 形成混合溶液;(3)对混合溶液进行超声处理，然后将其注入到预处理后的毛细管中，两端密封，在 50~70C 反应 12-24h，即得亲水性甲基
武汉大学
2021-04-14
一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制备方法
本发明公开了一种基于深孔填充的三维半导体存储器件及其制 备方法。该制备方法适用于制备三维半导体存储器的 U 型沟道：采用 双离子束沉积技术，一束离子轰击靶材，使材料原子发生溢出，原子 沿轨迹沉积到深孔中，一束离子轰击深孔表面，使沉积的材料无法覆 盖深孔顶部，从而确保三维半导体存储器件 U 型沟道的完整形成。U 型沟道的半导体存储器件的电极从器件上方引出，减小了电极的接触 面积，同时U型半导体存储器件的NAND串可以包
华中科技大学
2021-04-14