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一种钆酸钡纳米针及其制备方法
简介：本发明公开了一种钆酸钡纳米针及其制备方法，所述钆酸钡纳米针由BaGd2O4单相构成，长度为2~4μm，纳米针尖端直径为40~60nm。所述钆酸钡纳米针及其制备方法是：首先将水溶性钡盐与水溶性钆盐加入水中溶解，恒温后进行超声搅拌；其次将羧酸、聚二醇和表面活性剂添加到前述所得混合物之中进行反应；然后将反应后所得混合物置于反应釜内并密封，进行加热保温；最后将前述所得混合物冷却、离心分离、清洗、烘干后即得产物。本发明在制备过程中无需模版，需要的工艺条件简单，易于控制，加热不需要超过200oC，能大大降低能耗和生产成本。
安徽工业大学
2021-04-11
一种钇酸锶纳米针的制备方法
（专利号：ZL 201510972807.6） 简介：本发明公开了一种钇酸锶纳米针及其制备方法，所述钇酸锶纳米针由BaGd2O4单相构成，长度为2~4μm，纳米针尖端直径为40~60nm。所述钇酸锶纳米针及其制备方法是：首先将水溶性钡盐与水溶性钆盐加入水中溶解，恒温后进行超声搅拌；其次将羧酸、聚二醇和表面活性剂添加到前述所得混合物之中进行反应；然后将反应后所得混合物置于反应釜内并密封，进行加热保温；最后将前述所得混合物冷却、离心分离、清洗、烘干后即得产物。本发明在制备过程中无需模版，需要的工艺条件简单，易于控制，加热不需要超过200oC，能大大降低能耗和生产成本。
安徽工业大学
2021-04-11
一种制备纳米镁铝尖晶石的方法
本发明公开了一种制备纳米镁铝尖晶石的方法，先制备出纳米尺寸的硫酸钾颗粒，并对纳米硫酸钾颗粒进行了表面改性，使其颗粒在二甲苯中均匀分散。本发明在二甲苯中使用纳米硫酸钾对尖晶石的碳酸盐前驱体颗粒进行分散并隔离，离心沉淀后，将沉淀物烘干后进行高温煅烧，水洗后可得纳米镁铝尖晶石。本发明可以快速批量制备出分散性好、结晶完善的纳米镁铝尖晶石。
东南大学
2021-04-11
一种纳米纤维素晶体的制备方法
一种纳米纤维素晶体的制备方法，步骤如下：用pH4.8的乙酸-乙酸钠缓冲液配制浓度为0.03-0.05g/mL的纤维素溶液，加入纤维素酶进行酶解，纤维素酶在溶液中的浓度为10-15U/mL，酶解过程中每间隔12h进行一次超声，每次超声时间为30-60min；反应结束后，取出样品，离心分离，将沉淀物离心水洗，冷冻干燥制得纳米纤维素晶体。本发明采用纤维素内切酶结合超声物理方法制备一维棒状纳米纤维素，该方
青岛农业大学
2021-01-12
一种用于微纳米颗粒表面修饰的装置
本实用新型公开了一种用于微纳米颗粒表面修饰的装置，包括：反应腔，其内部形成的空腔用于作为前驱体与微纳米颗粒的反应空间；多个前驱体供应装置，其分别通过管道与所述反应腔相通以提供不同的前驱体；载气输送系统，前驱体通过该载气输送系统输出的载气输送到反应腔中；以及粉体颗粒装载装置，用于承载待修饰的微纳米颗粒；通过多个前驱体供应装置分别向反应腔交替地输送前驱体，并进入旋转的粉体颗粒装载装置中以与微纳米颗粒表面接触进行原子层沉积反应，从而在微纳米颗粒的表面形成包覆薄膜，实现表面修饰。本实用新型还公开了利用上述装
华中科技大学
2021-04-14
一种 ZnO 单晶纳米片的生长方法
本发明公开了一种 ZnO 单晶纳米片的制备方法。该方法利用脉冲激光沉积辅助范德瓦尔斯外延， 在范德瓦尔斯力作用的层状材料衬底上生长出高覆盖率的 ZnO 单晶纳米片。采用高能量辅助范德瓦尔 斯沉积有利于 ZnO 在衬底上结晶，而高真空环境减少沉积过程中的能量损失，配合上合适的沉积温度 和退火温度，能够改变 ZnO 的择优生长方向，使得 ZnO 优先于面内生长，改变传统 ZnO[001]方向择优
武汉大学
2021-04-14
一种水溶性纳米硅溶胶的制备方法
（专利号：ZL 201410468400.5） 简介：本发明公开了一种水溶性纳米硅溶胶的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。该方法首先利用氟化钙与浓硫酸反应制备HF气体，然后将HF气体导入到分散有纳米SiO2的无水乙醇中得到HF处理后的纳米SiO2，然后将HF处理后的纳米SiO2与硅烷偶联剂反应得到改性后的纳米SiO2，最后将改性后的纳米SiO2进行后处理制得水溶性纳米硅溶胶。本发明方法制备的水溶性纳米硅溶胶的粒子结构稳定，能够分散在水相
安徽工业大学
2021-01-12
一种硫化钕纳米针的合成方法
（专利号：ZL 201410662884.7） 简介：本发明公开了一种硫化钕纳米针的合成方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明以硫化钠、三氟甲磺酸钕、乙二胺及琥珀酸二异辛基磺酸钠作为原料，水为溶剂，将硫化钠、三氟甲磺酸钕、乙二胺、琥珀酸二异辛基磺酸钠与水均匀混合后置于反应容器内并密封，于温度300～400℃、保温2～12h，即得到目标产物：硫化钕纳米针。本发明采用的合成方法，具有过程简单、反应温度低、耗时短及对环境无污染的特点；同时，本发
安徽工业大学
2021-01-12
一种铌酸锂纳米器件的刻蚀方法
本发明属于光电器件制备技术领域，具体为一种铌酸锂材料的刻蚀方法。本发明方法包括：在铌酸锂表面制备金属钝化层，用来提高纳米图形的保形性以及侧壁刻蚀倾斜角；沉积硬掩膜，并采用微电子光刻技术进行图形化处理；在待刻蚀的铌酸锂区域沉积活性金属薄膜，以提高刻蚀深度；将覆盖有活性金属层的铌酸锂晶体在还原气氛中进行退火；然后采用相应的酸溶液和碱溶液去掉铌酸锂表面的金属及其与铌酸锂的反应物，得到具有一定刻蚀深度的铌酸锂纳米图形。所制备的大规模铌酸锂纳米器件阵列尺寸可控，保形性和重复性好，侧壁倾斜角大于80°，图形凸块表面光滑。铌酸锂纳米器件制备步骤简单，难度低，可降低大规模生产成本。
复旦大学
2021-01-12
维意真空高真空金属有机蒸发镀膜机支持定制
EV-400高真空金属有机蒸发镀膜机
真空腔室：前开门真空腔体，方便取放基片、更换钨舟、添加蒸发材料以及真空室的日常维护保养；
真空系统：国产分子泵作为主抽泵，真空极限优于5.0✕10-5Pa（经烘烤除气后）；另可选进口磁悬浮分子泵或是低温泵作为主抽泵，真空极限优于3.0✕10-6Pa（经烘烤除气后）；
真空抽速：大气～8✕10-4Pa≤30min；
蒸发源：4～6组欧美技术金属或是有机束源炉蒸发源可选，多源共蒸获得复合膜/分蒸获得多层膜，功能强大，性能稳定；
蒸发电源：真空专业蒸发电源，恒流/恒功率控制。电流、功率可预先设置，可实现一键启动和停止的自动控制功能；
基片台：最大120mm基片/15～25mmITO/FTO玻璃25片，可定制一体化高精度刻蚀掩膜板；基片台公转，转速0～20r/min连续可调；
基片台功能：衬底可选择加热（室温～300℃可调可控）或水冷，基片台可选升降，源基距最大350mm；
溅射电源：直流脉冲溅射电源、全自动匹配的射频溅射电源可任选；
膜厚监控仪：可选配国产或进口单水冷探头膜厚仪；
可镀材料：可沉积金属（Au、Ag、Al、Ca、Cu、Mg、Fe、Cr、Ti、Ni等）、非金属、化合物（MoO3、LiF等）及有机材料，可拓展沉积单层膜、多层膜及混合膜；
控制方式：PLC+触摸屏控制系统，具备漏气自检与提示、通讯故障，实现一键抽停真空。
北京维意真空技术应用有限责任公司
2025-04-25