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一种高熵合金颗粒增强铝基复合材料及其制备方法
一种高熵合金颗粒增强铝基复合材料及其制备方法，属于复合 材料制备领域，解决现有金属基增强相所存在的自身脆性以及烧结温 度受限，影响材料致密化，难以实现复合材料强度和塑性同时提高的 问题。本发明的铝基复合材料，由基体相与增强相通过球磨混合及烧 结成型构成，基体相铝和增强相高熵合金颗粒 AlCoCrFeNiTi0.5 的体 积比为 1∶4～1∶9。所述高熵合金颗粒增强铝基复合材料的制备方法， 包括制备高熵合金铸锭步骤、制备高熵合金粉末步骤、制备复合粉末 步骤和烧结成型步骤。本发明工艺简单、能耗和成本均比较低、易于 在生产中实现，所制备的高熵合金颗粒增强铝基复合材料的拉伸强度 提高了 32.4～90.1％，延伸率提高了 29.6～52.0％，提高了铝基复合材 料的综合性能。
华中科技大学
2021-04-13
一种铝或镁合金铸件砂芯清理装置及其砂芯清理方法
一种铝或镁合金铸件砂芯清理装置及其砂芯清理方法，属于砂 芯清理装置及方法，解决现有薄壁复杂铝或镁合金铸件砂芯清理困难， 清理周期长的问题，用于薄壁复杂铝或镁合金铸件砂芯的高效清理。 本发明的装置包括铸件压紧组件和机械振动组件，还可以具有超声波 清理组件。本发明的砂芯清理方法，包括浸泡步骤、振动步骤和超声 波冲击步骤。本发明的装置结构简单、能耗低、易于控制；本发明综 合了化学溶解，振动破碎和超声波空化清理的作用，铸件清理效果好， 效率高，适用于薄壁复杂铝或镁合金铸件用砂芯的高效清理。
华中科技大学
2021-04-13
一种消失模铸造液-液复合铝-镁双金属铸件的方法
本发明公开了一种消失模铸造液-液复合铝-镁双金属铸件的方 法，其包括以下步骤：提供一个复合模型，所述复合模型包括沿竖直 方向依次相连接的铸件镁合金部分泡沫模型、铝片及铸件铝合金部分 泡沫模型、分别连接所述铸件镁合金部分泡沫模型及所述铸件铝合金 部分泡沫模型的镁合金浇注系统部分泡沫模型及铝合金浇注系统部分 泡沫模型；对所述复合模型涂涂料；对所述复合模型进行埋砂造型； 向所述复合模型分别浇注镁合金浇注液及铝合金浇注液，直
华中科技大学
2021-04-14
一种高择优取向细晶超高纯铝靶材的制备方法
本发明涉及金属材料加工技术领域，具体涉及一种高择优取向细晶超高纯铝靶材的制备方法。包括以下步骤：将超高纯铝板材于５０℃～３００℃下热轧，道次压下量控制在４０％～５０％；将热轧后的超高纯铝板材在１００～３００℃温度下保温０～１小时；然后进行冷轧，道次压下量控制在４０％～５０％，通过对板材进行道次间空冷、水冷以及冰水冷却控制板材轧制过程的温升，抑制板材的
东南大学
2021-04-14
铝碳耐火材料用有机/无机杂化改性酚醛树脂及其制备方法
本发明涉及一种铝碳耐火材料用有机/无机杂化改性酚醛树脂及其制备方法。其技术方案是：以4——10wt%木质素、30——36wt%苯酚和55——65wt%的浓度为37wt%的甲醛溶液为原料，按上述原料及其含量：在50——60℃条件下将木质素和苯酚置于反应釜搅拌均匀，在70——90℃条件下向反应釜加入所述原料1.5——2.5wt%的氢氧化钠，搅拌0.4——0.7h；在70——90℃条件下向反应釜加入所述甲醛溶液，搅拌0.2——0.6h；最后在80——100℃条件下向反应釜加入所述原料2——8wt%的硅溶胶，搅拌1——3h，在60——70℃条件下减压脱水，制得铝碳耐火材料用有机/无机杂化改性酚醛树脂。本发明具有生产工艺简单和生产成本低的特点，所制备的制品作为结合剂能显著提高铝碳耐火材料的中低温结合强度。
（注：本项目发布于2014年）
武汉科技大学
2021-01-12
专家报告荟萃② | 杨俊辉：“三浸三制三化”创新人才自主培养 高质量服务国家战略腹地建设
加强国家战略腹地建设，是以习近平同志为核心的党中央统筹国内国际两个大局、统筹发展与安全两件大事作出的重要部署。
中国高等教育博览会
2024-12-04
用于草酸二甲酯加氢制取乙二醇的铜硅催化剂及制备方法
本发明公开了一种用于草酸二甲酯加氢制取乙二醇的铜硅催化剂及制备方法。所述催化剂是以正硅酸酯为硅源,在以醇作为共溶剂的条件下,通过一锅法制备得到的。具体为正硅酸酯在铜氨络合物的水醇混合溶液中水解、陈化,然后通过蒸发水分、醇和氨使铜氨溶液中的铜组分均匀沉淀,最后经过水洗、干燥、焙烧和还原而得到的。所述催化剂由铜和二氧化硅组成,其中铜与二氧化硅的物质的量之比为0.05～0.4∶1。该催化剂在草酸二甲酯加氢制乙二醇的反应中,在较宽的温度范围内,都显示了很高的反应活性和选择性,易于操作,有利于工业化应用。
浙江大学
2021-04-11
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学
2021-04-14
一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备方法
本发明公开了一种二维层状二硫化钼薄膜的光探测器及制备工 艺，光探测器包括从上之下依次排列的电极结构、多个层状二硫化钼 薄膜以及衬底；电极结构为电极、主支、分支三部分，相邻主支之间 和相邻分支之间的间距为二硫化钼薄膜的平均大小，起到并联二硫化 钼薄膜、增大光敏面积的作用。二硫化钼薄膜的生长采用化学气相沉 积(CVD)的方法，硅片作为衬底，MoO3 粉末作为钼源，硫粉作为硫源， 通过控制钼源与衬底之间的间距、硫蒸气进入反应的时间和反应温度， 制备得到大面积的层状二硫化钼薄膜。使用该方法制备层状二硫化钼
华中科技大学
2021-04-14
一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用
本发明公开了一种二维过渡金属二硫族化合物单晶及其制备方法和应用。在惰性气氛中，借助常见 的可与硫族单质(S，Se)反应的金属和氢气辅助控制体系中 S 或 Se 的浓度，以达到控制过渡金属层硫化 或硒化程度的目的，利用化学气相沉积方法可控地生长 TMDs 单晶;将沉积时的温度控制为 750°C至 850°C，并且沉积时间控制为 5 至 15 分钟，完成 TMDs
武汉大学
2021-04-14