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福建省科学技术厅等九部门印发《关于贯彻落实加强科技伦理治理意见的任务分工》的通知
为贯彻落实《中共中央办公厅 国务院办公厅印发〈关于加强科技伦理治理的意见〉的通知》精神，提升我省科技伦理治理能力，有效防控科技伦理风险，推动实现科技创新高质量发展与高水平安全良性互动，加快建设高水平创新型省份，现就加强我省科技伦理治理工作制定本任务分工方案。
福建省科学技术厅
2023-03-17
技术需求：动力学分析机械机械运动机构的速度、加速度、力等，针对分析结果对运动机构优化改进
1、有限元分析机械结构的强度、刚度、变形程度等，并根据分析结果又针对性的优化改进设计；2、动力学分析机械机械运动机构的速度、加速度、力等，针对分析结果对运动机构优化改进；3、整机动力学分析和运动学分析
山东五征集团有限公司
2021-08-23
中央宣传部 文化和旅游部 国家文物局等十三部门关于印发《关于加强文物科技创新的意见》的通知
到2025年，面向国内领先、国际一流的远景目标，依托研究型文博单位、高校和科研院所，重点建设一批国家级和地区性文物科研机构。
国家文物局网站
2024-01-09
第三届全国高校教师教学创新大赛工作推进会在浙江召开
为贯彻落实党的二十大精神，加快实施创新驱动发展战略，加快实现高水平科技自立自强，促进创业孵化机构体系化、专业化建设，推动科技创新创业高质量发展，形成示范带动效应，现开展2023年山西省省级众创空间认定和绩效评价工作，有关事项通知如下
中国高等教育学会
2023-07-24
三阶式生物接触氧化富营养化原水藻类及藻毒素去除技术
该技术运用反应器原理，将具有完全混合流特征的单阶反应器串联组成具有推流特征的阶式反应器，大幅度提高了氨氮、可生物降解有机物、藻毒素的去除效率和生物除藻效果，并可减少后续工艺中混凝剂与消毒剂的用量，提高了饮用水的安全性。
东南大学
2021-04-10
一种三相无电解电容LED电源的拓扑电路及其控制方法
简介：本发明公开了一种三相无电解电容LED电源的拓扑电路及其控制方法，属于LED驱动电源技术领域。本发明包括三相交流电源、EMI滤波器、单相整流桥、单相PFC电路和控制单元，三相交流电源的A相输出端依次与EMI滤波器、单相整流桥、单相PFC电路相连；所述的控制单元采样单相PFC电路的输入电压、输入电流以及输出电流，经过计算产生占空比信号控制单相PFC电路；三相交流电源的B相、C相与A相设置相同，三个单相PFC电路的输出端并联后连接LED负载。本发明适用于大功率的三相LED驱动电源，具有较高的功率因数，且无需大容量的电解电容。
安徽工业大学
2021-04-11
起重机箱形主梁三自由度移动焊接机器人
（专利号：ZL 201510552708.2） 简介：本发明提供一种起重机箱形主梁三自由度移动焊接机器人，属于机器人焊接技术领域。该焊接机器人包括底座、纵向移动机构、焊枪升降机构、焊枪旋转机构、焊接设备及电缆卷筒等，焊接设备包括送丝机、焊机、气瓶座、二氧化碳气瓶，焊枪旋转机构通过升降台安装在焊枪升降机构上，齿轮齿条传动与直线导轨副相配合实现长位移移动的精确定位，通过三台伺服电机联合控制焊枪位姿实现长距离平面曲线连续光滑平角焊缝的自动焊接。本发明所提供的焊接机器人具有结构简单、传动链短、位置准确、工作可靠、焊接质量稳定等技术特点。
安徽工业大学
2021-04-11
一种应用于光栅三维投影测量中的相位误差补偿方法
本发明公开了一种应用于光栅三维投影测量中的相位误差补偿方法，包括如下步骤：生成正弦光栅条纹；采集经物体表面调制之后的光栅条纹；对图像预处理；根据预处理的条纹图像利用相移法解相位；投射单一灰度值的灰度图像于标准白板表面；将步骤(5)的分区域结果，通过求得的理想相位映射到投影仪靶面；根据分区域结果建立不同区域的分区域校正模型；向物体投射正弦光栅条纹；利用相移法求解初相位，根据建立的分区域误差补偿对相位进行补偿，求解实际相位；利用标定好的相机参数和求取的绝对相位，根据空间交汇法计算出被测物体的三维坐标信息。本发明可以解决由于Gamma非线性所导致的相位误差和测量误差。
东南大学
2021-04-11
一种用于组织/器官芯片集成制造的三维打印方法及装置
本发明涉及一种用于组织/器官芯片集成制造的三维打印方法及装置，包括以下步骤：1)设计三维芯片的三维结构图，并转化为片层图形文件格式；2)开启三维打印装置，将打印墨水吸入各个喷头中；导入片层图形文件；3)三维打印装置分别将主体材料打印墨水、牺牲材料打印墨水和不同的细胞打印墨水打印到底板系统预先设计的位置；4)重复步骤3)逐层累积完成三维芯片结构打印，直至片层图形文件打印完成；5)加热或制冷整体打印完成的三维芯片，使通道牺牲材料变为溶胶态；6)将变为溶胶态的通道牺牲材料使用移液枪吸出，去除通道牺牲材料，形成完整的三维芯片结构；7)对未被融化的细胞打印墨水材料进行交联，灌流培养基。
清华大学
2021-04-10
加工第三代半导体晶片光电化学机械抛光技术
第三代半导体氮化镓和碳化硅因其禁带宽、稳定性好等优点，已广泛应用于电子和光电子等领域。各种氮化镓和碳化硅基器件是5G技术中的关键器件。将半导体晶片制成器件，其中的一个关键加工步骤是晶片表面的抛光。然而，氮化镓和碳化硅的化学性质极其惰性，半导体工业目前常用的化学机械抛光方法无法对其实现高效加工。对此，我们从原理上创新发展了一种光电化学机械抛光技术，不仅可快速加工各种化学惰性半导体晶片（如:加工氮化镓的材料去除速率可达1.2 μm/h，比目前的化学机械抛光的高约10倍），而且可加工出原子台阶结构的平滑表面。设备简单，技术具有完全的自主知识产权。
厦门大学
2021-04-10