产品详细介绍 产品概述： 东方中原DB-D02光学系列白板，是一款采用最先进的触摸技术-光学影像技术的电子白板产品。把电子白板与计算机、数字投影仪三者相互连接，投影仪将计算机画面投影到白板上，交互式电子白板就具备了书写、触摸功能；采用光学影像触摸技术的电子白板，大幅提升了触摸精度、响应速度、平滑度、分辨率、使用寿命等各个方面特性。同时，交互式电子白板支持两点同时书写和操作，可以实现多点触摸、手势识别等强大的功能，该产品采用光学影像感应技术，无需专用笔，可用手指、不透明物体等进行书写或触摸操作，支持多系统免驱启动，即插即用，安装快捷，而且响应快，定位准确，定位精度≤0.1mm，手写识别无延迟，追踪速度达到12m/s，反应灵敏。东方中原DB-D02光学系列白板，采用高耐磨金属投影板，具有高耐磨，强抗压，防轻划等优点，并且不受屏前强光干扰，触摸精确度高，书写效果好，安装拆卸非常便捷，配套有东方中原互动教学软件，不但功能非常强大而且十分易用好操作。提供了丰富的书写和绘制工具、各种教学工具、丰富多样的课件资源、手写识别、页面漫游、屏幕截取、屏幕录制等各种功能，为教案的制作和多媒体演示提供了更为灵活的创作空间。 产品特点： 板体工艺：面板采用耐磨金属投影板材料，背板镀锌板，防炫目防反光，可水洗，具有高耐磨，强抗压，防轻划的功能。 外观边框：采用经典黑色外观，简洁大方，在设计上使用了超薄设计理念，实现了书写面积的最大化，还减轻了产品重量。边框采用的是流线型工艺制造，弧度边框质感舒适，也起到了遮挡外界强光的作用。 光学技术：光学技术继承了红外技术的优点，同时也修正了其不足，具有不受屏前强光干扰，触摸精确度高，不会产生延迟现象，响应速度快，书写 效果好，使用寿命长等优点。 书写定位：定位精度≤0.1mm ，支持双笔同时书写，手感流畅，追踪速度达到12m/s，反应速度灵敏。 书写绘图：可以在任意界面下书写和标注，有多种笔形选择，提供丰富的通用图形、学科图形绘制；可缩放、编辑、图形识别、文字识别，粗细、颜色、填充设置、文本输入等。 演示功能：可以直接在白板上操作电脑以及各类演示文件，一键式切换，易用简便；页面可无限漫游，随意缩放，可读取摄像头/展台设备的图像，支持截图，实现任意纸质文件展示、视频输入批注和讲解；可保存批注入OFFICE格式文件。可实现扩展屏上书写、批注。 教学工具：提供包括幕布、探照灯、截图、放大镜、量角器、直尺、三角板、圆规等10种以上的教学辅助工具，可录制回放教学过程，可插入图片、多媒体，导出资源。 教学资源：提供包括汉语拼音、函数图象、英语词典、光学实验等多种学科动画教学课件，提供海量的教学资源库和素材库，仿真实验和试题库。 DonviewBoard（东方中原）DB-D02光学系列交互式电子白板技术参数及规格 白板技术参数及规格 型号 DB-85ENS-D02 工作原理 光学影像感应技术 外形尺寸（对角线） 85英寸 外形尺寸（宽X高）(mm) 1740 x 1304 感应尺寸（对角线） 80英寸 感应尺寸（宽X高）(mm) 1680 x 1177 投影尺寸（对角线） 78英寸 投影尺寸（宽X高）(mm) 1580 x 1177 显示比例 4:3 白板最大厚度 50mm 板面材质 可用磁性材料吸附的高耐磨金属投影板 背面材质 镀锌板 边框材质 喷砂 铝合金 投影分辨率 32769 x 32768 外包装尺寸（宽×高×厚）(mm) 1825 x 1407 x 85(单层） 允许误差范围（mm) ±5 白板重量（kg） 19.6 装箱重量（kg） 29 投影特点 快捷键设置在投影区之外，即“感应尺寸>投影尺寸” 通用技术参数及规格 定位技术 16点定位+4点快捷键定位 快捷键 16个面板功能键：白板定位、切换为鼠标、增加页面、前一页、下一页、蓝色普通笔、红色普通笔、黑色普通笔、黄色粗线条荧光笔、智能画笔、橡皮擦、撤销、清屏、文本、屏幕录制、打开（插入） 操作方式 用手指、白板笔，或任意不透明物体 投影增益 有 可视角度 左右170度/上下160度 信号接口 USB2.0（全速） 追踪速度 12m/s 定位 16点定位 定位精度 ≤0.1mm 扫描速度 8ms 采样率 180点/秒 板面邵氏硬度 ≤60 板面清洁方式 可水洗 接口 USB口1个，为白板供电及数据传输 安装方式 四点定位安装方式；壁挂式安装、复合黑板嵌入式安装或可移动支架安装方式，可选 工作温度 -20℃~+60℃ 工作湿度 10-90% 多点触摸 支持Windows 7以上两点触摸 触摸压力 无压力要求 支持操作系统 Winxp/Win7/Win8 包装清单 标配：光学板一块、USB线一条6m 、 1套挂墙铁片（4个）、8个膨胀螺丝、 4个小螺丝、智能笔2支、可伸缩教鞭1条 、软件安装光盘1张 、使用说明书一本 、 保修卡一张 、产品合格证一张  选配：高强度可移动支架 （立杆2个、横杆2个、底座2个、万向轮4个、内六角螺丝12枚、内六角螺丝刀1把） 可选附件 支架：高强度可移动支架（可选） 教鞭：激光指示双用教鞭(可选) 智能笔(内含) 无线模块：超远距离无线信号传输（可选） 产品认证  1、产品通过C-TICK、CE、RoHS、FCC等安规测试认证 2、拥有产品生产企业标准并通过技术质量监督部门备案 3、产品通过中国环境标志（II型）认证 4、电子白板检测报告 5、中央电化教育馆2012年功能性测试证书 6、中央电教馆数字校园测试证书 7、电子白板抗刮伤测试报告 8、平均无故障时间MTBF20000小时证书 保修服务 板体整体保修：3年；配件1年，软件终身免费升级。

CES-BME5260生物医疗电子实验系统由嵌入式系统和生物数据采集两大部分组成，融合嵌入式微处理器技术、MMC数据存储技术、嵌入式OS系统软件技术、数据化处理技术、网络通信技术、生物传感器技术、医学影像技术等学科关键性技术。嵌入式系统采用目前主流的32位嵌入式ARM解决方案，设备硬件涵盖了嵌入式应用所涉及到的通用功能电路，包括串行通信电路功能、USB主端口电路功能、USB从端口电路功能、SD存储卡外设接口电路、显示液晶屏接口电路、触摸接口电路以及多扩展应用的无线通信模块功能。生物数据采集则由不同的医疗传感器组成，通过数据协议与上位机进行数据通信。设备软件运行智能的OS操作系统，支持系统任务的实时性和并行型。该实验箱提供开放的软件和硬件技术资料，并配套完整的实验软件和实验教程，特别适合于医学院校及相关专业的信息化实验教学、科研等应用。

半导体纳米线是一种独特的准一维纳米材料。它不仅是电荷的最小载体，也是构建新的复杂体系和新概念纳米器件的基元。在该领域中，新现象和新概念层出不穷，推动着材料、物理、化学等交叉学科的发展，并将对未来电子、光电子、通讯等产业产生重大影响。在这一当今最前沿的研究领域中，国际上尤其是发达国家集中了最精锐的研发力量，以期望在纳米器件的实用化方面有所突破，在未来高科技争夺战中，保持领先并居于主导地位。在纳米研究领域，美国政府仅在2005年就投入10亿美元，而日本在同一年的投入约12亿美元。 我国的《国家中长期科技发展规划纲要》中也已经把纳米科技作为基础研究重大研究计划，列入重点支持范围。其中一维功能纳米材料的控制合成、性能调控及应用研究是目前纳米材料研究的世界热点。 张跃教授承担了973、863、重大国际合作、自然科学基金杰出青年基金和面上项目等各类纳米研究方向的课题，通过创新合成方法、优化合成工艺，实现了多种形貌的一维功能纳米材料的可控制备，利用等多种手段对纳米材料的形貌、结构进行了表征，并对其生长机理、力学性能以及光致发光、场发射、导电性等物理性能进行了系统和深入的研究，特别是在碳纳米管及ZnO纳米阵列的实际应用领域取得了重要突破，其代表性成果包括： 1.改进了ZnO和掺杂ZnO一维纳米材料的制备方法。采用化学气相沉积法，在较低温条件下，通过不同工艺成功制备了纯ZnO及In、Mn、Sn等掺杂ZnO纳米棒、纳米线、纳米带、纳米电缆、纳米阵列、四针状纳米棒、纳米梳、纳米盘等多种形貌结构的纳米材料，实现了一维ZnO纳米材料较低温度条件下形态和尺度控制生长，产物品质纯净、产率高、质量好，易于工业化生产。制备方法受到国际同行的高度评价，认为是半导体制造领域中氧化物纳米结构集成方法的重大进步，不仅对从事纳米材料研究的科学家，而且对半导体产业意义重大。有关双晶ZnO纳米带的论文发表在国际知名期刊Chemical Physics Letters (2003，375：96-101)上，论文被引用60余次，位列该期刊2003至2007年被引用前50名之内。 2.提出了一维氧化锌纳米材料新的生长机理。首次合成四针状纳米氧化锌材料并揭示了该结构的八面体孪晶核生长的理论模型，该研究结果的论文发表在Chemical Physics Letters (2002,358:83-86)上，被他引更是达到了130 余次。首次发现和论证了一维氧化锌纳米结构中的螺旋位错诱导晶体生长机理，观察到了一维氧化锌纳米材料存在的大量螺旋位错、周期性的位错及生长台阶，发现生长是沿着位错进行，且与其伯格斯矢量的方向一致。 3.原位研究单根ZnO和In-ZnO纳米线的力学行为。利用TEM对单根纳米线加载交变电压使其发生共振，原位测量其本征共振频率，通过计算得出氧化锌纳米线的弯曲模量。氧化锌纳米线可以构建纳米悬臂梁和纳米谐振器，通过氧化锌纳米线构建的纳米秤，测量了黏附在纳米线自由端的纳米颗粒质量。该研究论文发表在英国物理协会的期刊J. Phys.: Condens. Matter( 2006, 18 (15), L179-L184)上，被评为该期刊2006年度的顶级论文(Top paper)，位列其中第九名，是该年度该期刊22篇Top papers研究论文中唯一由中国研究人员完成的成果。 4.合成了多种ZnS准一维纳米材料，并提出了四针状ZnS纳米结构的生长机理，指出其生长过程由立方相形核和六方相孪晶生长机制共同控制。同时率先报道了ZnS四针状纳米材料的光致发光性能，发光波长相对其它ZnS 纳米材料发生蓝移4.8~32.8nm。该研究论文发表在国际著名期刊Nanotechnology (18 (2007) 475603)上，在发表后的第一个季度内，下载量就超过250次，成为该期刊排名前10％的热点文章。 5.碳纳米管及ZnO纳米阵列的实际应用取得了重要突破。采用涂敷和CVD两种方法成功制备了多种大面积碳纳米管阴极，采用水热合成法制备了大面积一维纳米ZnO阵列阴极。首次研究了纳米阴极的强流脉冲发射性能，其中碳纳米管阴极的发射电流密度高达344 A/cm2，ZnO阴极的发射电流密度达到123A/cm2。系列研究成果发表在Carbon、Appl. Phys. Lett.等国际著名期刊上。研制的多种纳米阴极在线性感应加速器上已经得到成功应用，阴极的发射电流强度及发射电子的均匀性远远高于现有的阴极性能指标。 张跃教授有关纳米材料的研究成果获教育部高等学校科学技术奖（自然科学奖）二等奖1项（2006-052），完成专著1部，另合作出版专著1部，发表论文80 余篇（其中SCI 40余篇、EI 近20 篇），重要成果发表在Appl. Phys. Lett.、Carbon、Advan. Funct. Mater.、 J. Physical Chemistry C、Chemical Physics Letters、J. Phys.: Condens. Matter、J. Physics D: Applied Physics、J. Nanosci. Nanotech.等国际知名期刊上，申报12项发明专利（已授权5项）。发表研究论文中的4 篇代表性论文，已被引用300余次，单篇他引超过130次。

本发明公开了一种二维材料的折叠系统及其使用方法。在衬底上放置二维材料；将热释放胶带的黏性面粘在折纸臂上。通过显微镜筒，操控XYZR四轴微调平台和XYZ三轴微调平台，使得热释放胶带的另一面对准二维材料后，向下移动折纸臂，使得热释放胶带与二维材料紧密接触并粘合；抬起折纸臂，使得二维材料部分从衬底剥离；横向移动折纸臂，对二维材料进行形变弯折；向下移动折纸臂并施加一定的压力，对获得的结构进行定型；加热折纸臂上的热释放胶部分，对二维材料进行释放；释放后，向上移动折纸臂，获得经过折叠的二维材料；重复该操作，获得所需折叠结构。本发明系统可操作性强，可获得多种折纸结构。

本发明提供一种基于光谱抽样直方图的超光谱降维匹配方法及系统，包括对待匹配光谱和光谱库中 的所有光谱分别进行归一化处理，分别获取归一化后的待匹配光谱和光谱库中所有光谱的抽样直方图， 计算待匹配光谱的抽样直方图与光谱库中所有光谱的抽样直方图的欧氏距离，在光谱库中选取与待匹配 光谱抽样直方图欧氏距离最小的一条光谱作为匹配对象。本发明通过对归一化后的光谱使用等间距的窄 带进行抽样，从而获得维数远小于原始光谱的抽样直方图，完成了光谱的降维，然后使用降维后的抽样 直方图代替原始光谱进行匹配，显著降低了后续匹配时的运算量，同时在抽样时利用分段提取的方法保 留了光谱图中的相对位置信息，提高了匹配的精度。

主流硅基芯片CMOS（互补金属氧化物半导体）技术正面临短沟道效应等物理规律和制造成本的限制，需要开发基于新材料和新原理的晶体管技术来延续摩尔定律。高迁移率二维半导体因其超薄的平面结构和独特的电子学性质，有望成为“后摩尔时代”高性能电子器件和数字集成电路的理想沟道材料，进一步缩小晶体管的尺寸和提高其性能。为满足集成电路加工工艺和器件成品率对沟道材料的苛刻要求，二维半导体单晶薄膜的大面积制备尤为关键与重要。然而，现有二维半导体材料体系（过渡金属硫族化合物、黑磷等）薄膜制备仍未满足现实要求，因此亟需实现晶圆级二维半导体单晶薄膜制备技术的突破。 该研究瞄准二维半导体材料的晶圆级单晶制备，率先实现了同时具有高电子迁移率、合适带隙、环境稳定的二维半导体（硒氧化铋，Bi2O2Se)单晶晶圆的外延生长。他们基于自主设计搭建的双温区化学气相沉积系统，在商用的钙钛矿单晶基底【SrTiO3，LaAlO3，或(La, Sr)(Al,Ta)O3】上，利用Bi2O2Se与钙钛矿完美的晶格匹配性及较强的界面相互作用，促使Bi2O2Se晶核同一取向外延并融合生成晶圆级单晶薄膜。Bi2O2Se单晶薄膜在晶圆尺寸上表现出优异的材料和电学均匀性，可被用于批量构筑高性能场效应晶体管。基于晶圆级二维Bi2O2Se单晶薄膜的标准顶栅型场效应晶体管展现了高的室温表观迁移率（>150 cm2/V s）、大的电流开关比（>105）和较高的开态电流（45μA/μm）。相关成果发表在Nano Letters (Wafer-Scale Growth of Single-Crystal 2D Semiconductor on Perovskite Oxides for High-Performance Transistors. Nano Lett. 2019, 19, 2148)。

已有样品/n使用有机电荷转移分子F4TCNQ与MoS2结合形成范德华界面，通过F4TCNQ与MoS2之间的电荷转移来降低沟道内无栅压情况下的载流子浓度。MoS2晶体管的开启电压（Von）从负数十伏被调制至0伏附近，F4TCNQ并未导致MoS2晶体管包含迁移率在内的任何电学性能的下降，其亚阈值摆幅（SS）反而明显提升。团队成员通过第一性原理计算以及扫描开尔文探针显微镜表征证实了范德华界面处电荷转移的存在性，并研究了F4TCNQ对Mo

本发明公开了一种二维超大薄荷叶状氧化镍纳米材料及其制备方法，称取适量的四水合醋酸镍和尿素，加入到60毫升去离子水，搅拌溶解，得到浅绿色溶液；将溶液转移到100mL带有聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中，密封后置于烘箱中，设置温度为110～130°C，反应10-14小时；反应结束后，自然冷却至室温，过滤洗涤，得绿色沉淀物；将烘干的绿色沉淀物放入电阻炉中，设置温度为300～400°C，热处理2～4小时，即得二维超大薄荷叶状氧化镍纳米材料。荷叶直径尺寸大小为1.8～2.5μm，厚度为10-20nm。这些纳米荷

本发明公开了一种基于视觉感知特征的光谱降维方法及系统，包括构造综合人眼视觉色度特性和光 谱特性的权函数 w(λ)，利用构造的权函数 w(λ)计算任意光谱样本集 S 的权函数 Siw(λ)，对样本集的权函 数 Siw(λ)进行均值化处理，得到样本集均值权函数矩阵 Wfv，构造用于均值权函数 Wfv 平滑优化模型及 约束目标函数，利用优化目标函数 ObjFunc 对平滑优化模型进行约束，确定权函数矩阵 Wfv 最佳平滑优 化函数参数 n 值，利用确