本发明公开了一种测量刀尖点振动位移的方法，属于切削加工领域，包括：S1 获得刀尖点和机床机床主轴上多个位置点的振动加速度频响函数曲线；S2 计算获得所述刀尖点分别与所述多个位置点之间的多个振动位移传导函数；S3 测量获得刀尖点和多个位置点在持续振动时候的实际振动位移，根据多个振动位移传导函数计算获得刀尖点的多个振动位移计算值，挑选出与所述刀尖点实际振动位移最接近的振动位移最佳计算值，并选择获得最佳振动位移传导函数以及机床主轴上最佳位置点；S4 测量实际加工过程中最佳位置点的振动位移，计算获得实际加工

产品概述：      VSM振动样品磁强计可测量磁性材料的基本磁性能(如磁化曲线，磁滞回线，退磁曲线，升温曲线、升/降温曲线、降温曲线、温度随时间的变化等)，得到相应的各种磁学参数(如饱和磁化强度，剩余磁化强度，矫顽力，磁能积，居里温度，磁导率(包括初始磁导率)等)，可测量粉末、颗粒、片状、块状等磁性材料。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！  VSM振动样品磁强计材料磁性测量仪器 可原位测量磁性材料从液氮温区至室温或室温至500℃温区的磁性能随温度的变化曲线。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ VSM振动样品磁强计材料磁性测量仪器 技术指标： 1、测量磁矩范围(磁极间距30mm时)：1*10-3emu—300emu(灵敏度：5×10-5emu) 2、相对精度(量程30emu时)：优于±1% 3、重复性(量程30emu时)：优于±1% 4、稳定性(量程30emu时)：连续4小时工作优于1% 5、温度范围：室温到500摄氏度以及室温到液氮温区 6、磁场强度：0—±3.8T之间 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 磁矩测量单元： 磁矩量程分300emu、150emu、80emu、40emu、30emu、15emu、8emu、4emu、3emu、1.5emu、800memu、400memu、300memu、150memu、80memu、40memu、30memu和15memu(即0.015emu)共18档，灵敏度优于5×10-5emu;当磁矩量程为30emu 时，测量磁矩的相对精度和重复性均优于±1%，预热24小时，连续24小时工作的稳定性优于1%。 磁场量程3.8T—0—-3.8T连续测量，分辩率0.1mT，相对精度优于±1%。 振动源输出频率180Hz,频率稳定度优于10-5，输出功率大于50W。 低温装置： 样品室的温度变化范围：80-500K 可选，分辨率0.1K。 测量系统软件： *可直接设置系统参数，直观显示数据 *原始数据文件后缀为13D，直接存储于计算机之中，方便后续处理，可以使用Excel和Origin直接对数据进行处理； *测量的多种曲线和特性参数即可在微机屏幕上显示，软件可对数据进行任意选取，局部放大，平移，可对曲线进行平滑处理，也可在激光打印机上输出打印；还可由其它通用绘图软件上进行处理。 *可自动测量磁化曲线，磁滞回线，快速MH回线，升温曲线，降温曲线，升降温曲线，控温曲线，设定温度下的磁化曲线、磁滞回线、快速MH回线，及背底曲线；在已知退磁因子和样品密度的情况下，能将VSM的开路样品磁特性曲线自动转化为物质本身（即闭路样品）磁性测量曲线 *软件可同时算出国际单位制和高斯单位制下的曲线参数（饱和磁矩/饱和磁化强度/比饱和磁化强度，剩余磁矩/剩余磁化强度，矫顽力，内禀矫顽力，矩形系数，磁能积极大值，回线面积，居里温度）    

本发明涉及一种用于组织/器官芯片集成制造的三维打印方法及装置，包括以下步骤：1)设计三维芯片的三维结构图，并转化为片层图形文件格式；2)开启三维打印装置，将打印墨水吸入各个喷头中；导入片层图形文件；3)三维打印装置分别将主体材料打印墨水、牺牲材料打印墨水和不同的细胞打印墨水打印到底板系统预先设计的位置；4)重复步骤3)逐层累积完成三维芯片结构打印，直至片层图形文件打印完成；5)加热或制冷整体打印完成的三维芯片，使通道牺牲材料变为溶胶态；6)将变为溶胶态的通道牺牲材料使用移液枪吸出，去除通道牺牲材料，形成完整的三维芯片结构；7)对未被融化的细胞打印墨水材料进行交联，灌流培养基。

本发明公开了一种基于均值漂移的不同精度下的三维点云数据 的融合方法，针对两组精度等级不同的三维点云数据，利用高精度点 云建立低精度点云的误差分布，进而对低精度点云进行均值漂移，消 除低精度点云的漂移误差，从而实现两组数据信息的融合，该方法包 括：S1：建立低精度点云的拓扑结构信息，包括每个样点的邻域点集 和单位法矢；S2：利用高精度点云对低精度点云进行密度聚类，根据 聚类结果确定低精度点云每个样点的漂移误差；S3：利用低精度点云 的拓扑结构信息和所述漂移误差确定低精度点云各样点的漂移矢量， 根据该漂移矢量对低精度点云的各样点进行漂移，实现融合。本发明 的方法在消除低精度点云漂移误差的同时，可实现小幅度噪声的光顺。 

本实用新型公开了一种具有超声能场辅助的三维微结构快速成形装置。装置包含声表面波换能器、光预聚物、紫外固化灯和电动Z轴滑台，声表面波换能器沿圆周阵列分布，光预聚物置于换能器工作区域，紫外固化灯位于换能器下方以照射光预聚物，电动Z轴滑台位于上方以粘附单层微结构。本实用新型能快速制造出三维微结构，不需要掩膜版和模具，并且对设备要求较低，具有操作简单、成本低和效率高的特点。

开发了一种分子荧光探针IR-E1，它在水溶液中量子产率可以达到0.7%并且在体内可以通过肾脏排泄。虽然该量子产率在相关材料中已经是比较高的，但要达到快速成像并实现更深的穿透深度仍需要更亮的探针材料。  研究了一类新型的高效荧光分子探针的理性设计。荧光分子由电子屏蔽基团（shielding unit）、给体基团（donor）、受体基团（acceptor）组合，形成S-D-A-D-S型分子(图1a)。目标分子IR-FE以3,4-乙烯二氧噻吩(EDOT)为电子给体（D），以烷基链取代芴为电子屏蔽基团（S）。通过理论计算模拟，发现EDOT为电子给体时分子骨架具有更大的扭转角和更加调谐的表面静电电位分布，可有效保护受体基团苯并双噻二唑（BBTD），阻止其与溶剂分子或其它分子发生相互作用（图1b）。同时，烷基链取代芴和分子骨架扭转的共同作用可减弱分子间相互作用而降低聚集荧光淬灭。IR-FE的发射波长在900-1400 nm范围，在甲苯中的量子产率高达31%（图2a），在以聚乙二醇进行水溶性修饰后量子产率可保持在2%（图2b），这是迄今为止报道的在水相中量子产率值最高的水溶性近红外二区有机荧光分子探针。研究发现EDOT是荧光分子在水溶液中保持量子效率的关键因素。

本发明公开了一种具有内置营养通道的三维生物结构的打印装置，包括喷头、喷头移动方向控制单元以及供液装置，所述喷头包括：带有内腔的安装管；同轴密封固定在内腔两端的外喷头和内喷头，所述内喷头的出料端伸入外喷头的喷腔内且继续延伸至与外喷头的出料端平齐；所述外喷头和内喷头分别通过管路与所述的供液装置连通。本发明操作简单，成本低，具有可更换的喷头和夹具，适用于不同尺寸和不同材料的生物结构打印。

本发明属于石墨烯复合材料制备领域，并公开了一种结构可控 的三维石墨烯及其复合材料制备方法。该方法包括下列步骤：(a)设计 构建 CAD 模型，并通过增材制造得到相应的结构的三维树脂结构；(b) 将步骤(a)中获得的三维树脂结构采用化学镀方法在表面镀铜或镍金属 层，并去除树脂材料得到铜或镍的三维结构模板；(c)采用化学气相沉 积法在三维结构金属模板上生成石墨烯，由此制得所需的结构可控的 三维石墨烯。通过对得到的石墨烯进

本发明公开了一种掺氮三维双连续多孔结构超薄炭层制备方法 及应用。其制备方法包括虾壳前处理，并以尿素、三聚氰胺或吡咯为 氮源，以处理后的虾壳为原料，在惰性气体气流下，先经低温预炭化 再与碱性物质一起高温热解，最后通过酸处理得到掺氮三维双连续多 孔结构超薄炭层。该制备方法制备的掺氮三维双连续多孔结构超薄炭 层具有独特的纳米超薄炭层结构，有高的比表面积、总孔容积，工艺 简单，成本较低，环境友好，具有较好的物理化学性能。本发

项目已经完成了实验室的小试阶段，进入中试阶段和批量生产阶段，完全拥有自己的知识产权和专利。本项目创新构建了以CNT为纳米茎、片状纳米过渡金属多元氧化物为枝叶的三维纳米结构材料正负电极材料。该项目创新超级电容器获得了超大比电容、高能量密度和功率密度；充电时间远小于锂离子电池（小于2分钟）；循环寿命也高于锂离子电池10倍以上。产品量产后可以广泛应用于军事装置（单兵、瞬时大推力陆用装备、无人机、空间飞行器等）、新能源汽车、工业运输装载车、电站储能设施等领域中。主要技术指标：能量密度：80Wh/kg、功率密