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重型载货汽车驾驶室电动/手动翻转机构
目前我国中、重型载货汽车平头化已成为趋势，为了便于发动机等部件的维修，提出了平头载货汽车驾驶室向前翻转的要求。本装置将电动和手动翻转机构集成在一起，采用柱塞泵驱动液压油缸，通过其中换向阀改变油缸运动方向，使驾驶室围绕前支撑点翻转。该装置体积小，质量轻、承载压力大，使汽车装调和维修更安全、更快捷、更轻松，从而大大的缩短了翻转周期，提高了效率。在研或完成课题：汽车摩擦制动与电磁制动的系统集成和协调控制、重型装备运输车联合制动技术研究、纯电动客车关键技术研究及整车开发与应用、电动港口牵引车研究与开发、节能
江苏大学
2021-04-14
液压挖掘机执行机构的速度调定系统
本发明公开了一种液压挖掘机执行机构的速度调定系统，用于电控先导液压挖掘机执行机构的速度特性调定，可编程控制器(1)上设置一个电控手柄回路(100)和两个电流变换回路(200)；电流变换回路(200)控制步进电机(3)带动指针电刷(4)在圆环形精密电阻体(5)上转动，从而改变指针电刷(4)输给可编程控制器(1)的电流信号，进而调节挖掘机执行机构的速度。本发明设置有两个电流变换回路(200)，可以对挖掘机单个执行机构运动或两个执行机构复合运动的速度进行调定，并用调定后的速度曲线替换挖掘机控制器(20)中的速度曲线，实现挖掘机执行机构的速度调定，使其符合工作要求和驾驶员的操纵习惯，不需要更换多路阀阀芯，方便高效且精确稳定。
西南交通大学
2018-09-19
面向护理机器人安全作业的柔顺机构设计
高功率密度的变刚度关节，大扭矩、大刚度调节范围，提高保姆型护理机器人的人机交互安全性。大负载绳驱拟人机械臂，较高负载自重比，提高移乘搬运过程中护理对象的安全性和舒适性。
哈尔滨工业大学
2021-04-14
技术需求：国内没有具备降解材料检测的权威机构
国内没有具备降解材料检测的权威机构
山东森工新材料科技有限公司
2021-09-02
《高校和科研机构存量专利盘活工作方案》印发
力争2024年底前，实现全国高校和科研机构未转化有效专利盘点全覆盖。
国家知识产权局官网
2024-02-04
GJ-SB-I型四连杆步进送料机构
采用两套相同尺寸的曲柄摇杆机构，将连杆上的相应点与输出推杆钣接，曲柄的回转可带动推杆近似平动，以此推动固定导杆上的工件向前移动。
特点：用于机械原理教学。
主要技术参数如下：
①行程：150mm；
②减速电机：功率P=185W，电压220V，输出转速24rpm；
③间歇送料：24次/min；
④外形尺寸：长x 宽x 高=1250㎜x 500㎜x 450㎜；
⑤实验台重量：90kg;
哈尔滨工江机电科技有限公司
2023-01-16
GJ-ZJ-I型转动与径向移动解耦机构
齿数相同的两齿轮相互啮合，分别驱动两压力辊转动，压力辊径向施加作用力，以使板材在两压力辊之间输出，压力辊既要能够转动，又要能径向浮动，这两个运动相互独立（即解耦），在齿轮与压力辊之间连接双向万向节，利用双万向节的工作特性实现压力辊的转动与径向浮动的运动解耦。
特点：用于机械原理教学。
主要技术参数如下：
①输送辊子：直径80mm，长度180mm；
②减速电机：功率80W，电压220V，输出转速23.5rpm；
③外形尺寸：长x 宽x 高=1000㎜x 750㎜x 320㎜；
④重量：80kg；
哈尔滨工江机电科技有限公司
2023-01-16
GJ-ZZ-I型转动与轴向移动解耦机构
两齿轮相互啮合，驱动凸轮转动，凸轮驱动平底推杆上下往复运动，通过花键使推杆转动，即推杆在凸轮的作用下可沿轴向移动，又可以在齿轮的作用下转动，这两个运动互不干扰，相互独立（解耦）。
特点：用于机械原理教学。
主要技术参数如下：
①中心距：180mm；
②顶升盘直径：160mm；
③减速电机：功率80W，电压220V，输出转速23.5rpm；
④外形尺寸：长x 宽x 高=650㎜x 450㎜x 550㎜；；
⑤实验台重量：50kg;
哈尔滨工江机电科技有限公司
2023-01-16
一种基于光学天线的片上无线光通信系统
本发明公开了一种基于光学天线的片上无线光通信系统，现有关于光学频段天线的发明与研究多是基于诸如透镜、反射镜等传统光学器件，这些设计只适用于较大的光学范围。本发明利用金属光学天线自身的定向辐射特性，采用片上系统集成的方式，将光学天线发射基站、反射单元、光学天线中继单元以及光学天线接收终端构成基于光学天线的片上无线光通信系统。该系统能够大大降低通信网络中器件的串扰与功耗，同时使得系统空间响应大大减小达到亚波长量级，进而提高整个光纤通信网络的传输带宽与响应速度。
浙江大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11