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北京中广上洋科技股份有限公司
北京中广上洋科技股份有限公司（以下简称：中广上洋）成立于2011年1月11日，注册资金4711.92万，是中国领先的广播电视行业及智慧教育行业解决方案提供商之一。
中广上洋长期以来专注于视音频核心技术的创新和研发，持续推进数字媒体技术在广电、教育、智能科技等行业深入应用，积极推动云计算、大数据、互联网等专业技术在传媒领域的快速落地，将传统广电所围绕的“采、编、制、播、存、管、发”制播业务流程，融入到移动化、云端化、社交化的创新业务系统，深化全媒体融合，开创智慧广电融合发展新未来。
在立足广电市场的同时，中广上洋将视音频核心技术创新性地拓展到智慧教育领域。凭借自身在视音频编解码、图像分析和图像处理等方面的技术优势，融合互联网、大数据、人工智能技术，结合教学实际，深入教学过程，提炼教学关键数据，为“教、学、研、管”提供科学依据。在创造优质教学影像的同时，提供更加智能、便捷的产品与解决方案。
拥有出色的技术实力与坚持不懈的努力，中广上洋自主研发产品连续四年获得《中国广播电视设备工业协会科技创新奖》、教育SoBole产品荣获《中国教育装备行业协会2018年度推荐产品》。并先后获得了北京市高新技术企业、中关村高成长企业TOP100等荣誉称号。
北京中广上洋科技股份有限公司
2021-01-15
一种基于MODIS三通道加权平均的水汽反演方法
本发明公开了一种基于MODIS三通道加权平均的水汽反演方法，包括以下步骤：S1：对研究区的MOD021KM数据进行预处理；S2：分别计算17、18和19通道的水汽含量；S3：对步骤S2得到的三个不同通道的水汽含量进行加权平均。相比传统的二通道比值法模型和三通道比值法模型，本发明有效提高了计算精度。
东南大学
2021-04-11
一种用于捕获循环肿瘤细胞的微流道结构及其制备方法
本发明公开了一种用于捕获循环肿瘤细胞的微流道结构及其制 造方法，该方法包括：（1）在单晶硅片表面匀胶、光刻得到光刻胶掩膜；（2）基于光刻胶掩膜，使用感应耦合等离子体反应刻蚀技术 ICP 在单晶硅片上刻蚀出微米级别的凹槽及槽内均匀分布的硅微米柱阵 列；（3）在微米柱表面制备纳米线阵列；（4）对凹槽进行封装。按 照本发明，可以获得一种用于循环肿瘤细胞检测的微纳复合微流道结 构，这种检测结构具有灵敏度高、效率高等特点。
华中科技大学
2021-04-11
一种用于捕获循环肿瘤细胞的微流道结构及其制备方法
本发明公开了一种用于捕获循环肿瘤细胞的微流道结构及其制造方法，该方法包括：（1）在单晶硅片表面匀胶、光刻得到光刻胶掩膜；（2）基于光刻胶掩膜，使用感应耦合等离子体反应刻蚀技术 ICP在单晶硅片上刻蚀出微米级别的凹槽及槽内均匀分布的硅微米柱阵列；（3）在微米柱表面制备纳米线阵列；（4）对凹槽进行封装。按照本发明，可以获得一种用于循环肿瘤细胞检测的微纳复合微流道结构，这种检测结构具有灵敏度高、效率高等特点。
华中科技大学
2021-04-14
一种人行横道线自动检测分析方法及系统
一种人行横道线自动检测分析方法及系统，包括输入街景的影像，将影像分为训练组和测试组，利 用训练组训练用于检测人行横道线的分类器；例如分类器对测试组影像进行人行横道线的检测识别，通 过后期处理排除错误检测；利用分类器对训练组影像进行人行横道线的检测识别，并通过后期处理排除 错误检测；根据步骤 4 所得各测试组影像的识别结果和步骤 5 所得各训练组影像的识别结果分别统计检 测结果，包括对任一张测试组影像或训练组影像，依照横坐标值的不同，对每一个识别
武汉大学
2021-04-14
ZL-034C8通道大小鼠通用型跳台仪（Plus）
简单介绍：
学习记忆实验方法的基础是条件反射，各种各样的方法均由此衍化出而来，跳台法就是其中的一种较常用的方法，该方法的优点是简便易行，多通道大小鼠通用型跳台仪（Plus）一次可同时试验多只动物，即可观察**对记忆过程的影响，也可观察对学习的影响，有较高的敏感性，尤适合于初筛**。多通道大小鼠通用型跳台仪（Plus）具有液晶显示、设定方便、记数准确、形象直观、结构紧凑、维护方便、使用安全等特点适合科研和教学使用，是各种增智健脑、提高记忆、抗衰老**和保健品筛选、开发研制必不可少的工具。多通道大小鼠通用型跳台仪（Plus）用微电脑控制对动物下台行为有判断能力，可设定测试时间记录下台潜伏期和次数。
详情介绍：
技术指标1、*长自动记录时间：120分00秒2、*短自动记录时间：1秒3、*多记录实验数据：60组4、每室*大记录次数：999999次5、记录数据有：***、潜伏期、错误次数6、8通道独立开始和停止功能。7、计时**度：0.01秒8、时钟设定项目：年、月、日、时、分、秒9、通道设置：1~8通道任意设置10、刺激电流：8通道独立可条调，刺激范围0.1~5mA,步长0.111、输入电压：交流，200V-230V 50Hz12、消耗功率：30W13、工作环境温度：0-40℃14、带USB数据导出功能15、可连小鼠跳台箱（八室，每室110×110×160mm），或大鼠跳台箱（八室，每室200×200×290mm）
安徽耀坤生物科技有限公司
2022-05-26
一种基于光学天线的片上无线光通信系统
本发明公开了一种基于光学天线的片上无线光通信系统，现有关于光学频段天线的发明与研究多是基于诸如透镜、反射镜等传统光学器件，这些设计只适用于较大的光学范围。本发明利用金属光学天线自身的定向辐射特性，采用片上系统集成的方式，将光学天线发射基站、反射单元、光学天线中继单元以及光学天线接收终端构成基于光学天线的片上无线光通信系统。该系统能够大大降低通信网络中器件的串扰与功耗，同时使得系统空间响应大大减小达到亚波长量级，进而提高整个光纤通信网络的传输带宽与响应速度。
浙江大学
2021-04-11
一种光伏太阳能硅片上料设备及其系统
本实用新型公开了一种光伏太阳能硅片上料设备，包括：机架；安装在机架上用于将硅片沿着 X 轴方向输送路径可调换方向地输送至下位机的硅片输送机构；分别设置在输送路径的两侧用于贮存硅片的料盒；处于输送路径的上方，通过 Y 轴和 Z 轴方向的移动拾取硅片并将其释放至输送路径上执行输送的机械手，该机械手还具备硅片分离装置，由此在拾取硅片的过程中使得相邻硅片予以分离以便逐一拾取；用于对整体工况提供控制指令的电气控制系统；以及根据电气控制系统的控制指令对相应功能元件执行驱动的气动模块。本实用新型还公开了相应的上料系统。通过本实用新型，能够取得上料效率高、降低硅片破损率以及灵活设定传送方向等方面的优点。
华中科技大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
提高金属零件上耐蚀性能的高温镒系磷化技术
该项目针对 30CrMnMoTiA, 30CrNi3A、25Cr2Ni4WA 和 Nil9Co9Mo5 四种含铭、線合金钢难磷 化及磷化膜耐蚀性能低的实际生产难题，深入研究磷化膜的形成过程和磷化机理, 探讨含铭、線合金钢难磷化的内在原因；通过工艺优化，开发出了解决上面4 种合金难磷化问题的高温镒系黑色磷化新技术，开发了新工艺，应用于某厂，建 成了年处理各类零件1200万件的磷化生产线一条，使废品率由原来的8~10%降 低为现在的0.5%以内。每年产生直接经济效益近600万元，节约成本150万元。
重庆大学
2021-04-11