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一种基于掺杂量子点波长转换的紫外探测系统及方法
一种基于掺杂量子点波长转换的紫外探测系统及方法，所述紫外探测系统结构包括封装外壳和依次设置的透镜、带有通光孔的斩波器、小端面涂覆光滑透明掺杂量子点薄膜的光锥、可见光CCD、与所述可见光CCD信号连接的图像处理单元，其中，所述斩波器、所述光锥、所述可见光CCD以及所述图像处理单元设置于所述封装外壳中；所述可见光CCD与所述光锥的大端面紧密耦合。本发明提供的基于掺杂量子点波长转换的紫外探测系统及方法，通过掺杂量子点实现紫外光信号的光谱转换，进而实现紫外图像探测，相比较现有技术，具有系统结构简单、性能稳定、成本较低的特点。
东南大学
2021-04-11
基于流体管道压力脉动的机—电转换孵化能器的设计研发
北京工业大学
2021-04-14
一种实时测量模数转换器孔径抖动的方法及其系统
本发明公开了一种实时测量模数转换器孔径抖动的方法，包括如下步骤：生成两路频率分别为 f1、f2 的数字导频信号；将数字导频信号转换为模拟导频信号，并与模拟输入信号合成得到含有三种频率成分的合成模拟信号；滤除模拟信号中大于 f2 的频率成分并将其转换为数字信号；提取含单一频率成分 f1 的第一数字信号和含单一频率成分 fp2 的 第 二 数 字 信 号 ； 测 量 第 一 数 字 信 号 的 相 位 <imgfile=""DDA0000506364340000011.GIF"" wi=""67"
华中科技大学
2021-04-14
一种宽谱段光电转换器件量子效率测试系统及方法
本发明公开了一种宽谱段光电转换器件量子效率测试系统及方法，包括：量子效率测试箱、电源箱、激光功率计、吉时利源表、控制驱动电路单片机、计算机等。本测试系统可同时测量待测器件的外量子效率(External Quantum Efficiency，EQE)、内量子效率(Internal Quantum Efficiency，IQE)及表面反射率(Reflectance，R)，不需要在测试前使用标准器件进行校准，可测试的光谱波段范围较宽，为300nm～2250nm，满足各类不同禁带光伏电池或光电转换器件的量子效率测量需求。
兰州大学
2021-01-12
一种基于光学天线的片上无线光通信系统
本发明公开了一种基于光学天线的片上无线光通信系统，现有关于光学频段天线的发明与研究多是基于诸如透镜、反射镜等传统光学器件，这些设计只适用于较大的光学范围。本发明利用金属光学天线自身的定向辐射特性，采用片上系统集成的方式，将光学天线发射基站、反射单元、光学天线中继单元以及光学天线接收终端构成基于光学天线的片上无线光通信系统。该系统能够大大降低通信网络中器件的串扰与功耗，同时使得系统空间响应大大减小达到亚波长量级，进而提高整个光纤通信网络的传输带宽与响应速度。
浙江大学
2021-04-11
一种光伏太阳能硅片上料设备及其系统
本实用新型公开了一种光伏太阳能硅片上料设备，包括：机架；安装在机架上用于将硅片沿着 X 轴方向输送路径可调换方向地输送至下位机的硅片输送机构；分别设置在输送路径的两侧用于贮存硅片的料盒；处于输送路径的上方，通过 Y 轴和 Z 轴方向的移动拾取硅片并将其释放至输送路径上执行输送的机械手，该机械手还具备硅片分离装置，由此在拾取硅片的过程中使得相邻硅片予以分离以便逐一拾取；用于对整体工况提供控制指令的电气控制系统；以及根据电气控制系统的控制指令对相应功能元件执行驱动的气动模块。本实用新型还公开了相应的上料系统。通过本实用新型，能够取得上料效率高、降低硅片破损率以及灵活设定传送方向等方面的优点。
华中科技大学
2021-04-11
借助石墨烯实现Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长
北京大学物理学院宽禁带半导体研究中心沈波和杨学林课题组与俞大鹏、刘开辉课题组合作，成功实现了Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长，相关工作于2019年7月23日在Advanced Functional Materials上在线刊登 [doi.org/10.1002/adfm.201905056]。 GaN基宽禁带半导体具有带隙大、击穿电场高、饱和电子漂移速度大等优异，能够满足现代电子技术对高温、高频、高功率等性能的要求，对国家的高技术发展和国防建设具有重要意义。由于缺乏天然的GaN单晶衬底，GaN基半导体材料和器件主要在异质衬底上外延生长。因具有大尺寸、低成本及易于集成等优点，Si衬底上外延GaN成为近年来学术界和产业界高度关注的热点领域。 目前用于GaN外延生长的Si衬底主要是Si(111)衬底，其表面原子结构为三重排列，可为六方结构的GaN外延提供六重对称表面。然而，Si(100)衬底是Si集成电路技术的主流衬底，获得Si(100)衬底上GaN外延薄膜对于实现GaN器件和Si器件的集成至关重要。但Si(100)表面原子为四重对称，外延生长时无法有效匹配；同时Si(100)表面存在二聚重构体，导致GaN面内同时存在两种不同取向的晶畴。迄今国际上还未能实现标准Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长。图 Si(100)衬底上单晶GaN薄膜的外延生长 沈波和杨学林课题组创造性地使用单晶石墨烯作为缓冲层，在Si(100)衬底上实现了单晶GaN薄膜的外延生长，并系统研究了石墨烯上GaN外延的成核机理和外延机制。该突破不仅为GaN器件与Si器件的集成奠定了科学基础，而且对当前国际上关注的非晶衬底上氮化物半导体外延生长和GaN基柔性器件研制具有重要的指导价值。
北京大学
2021-04-11
植物乳杆菌产细菌素研究及其在发酵香肠上的应用
一、成果简介 该课题受北京市自然科学基金项目“植物乳杆菌素对肉源李斯特氏病原菌作用机理研究”的资助，鉴于化学防腐剂在食品防腐应用中的不安全性，重点开展了新型生物防腐剂乳酸菌细菌素产生菌株的筛选，活性细菌素的分离纯化，细菌素及其产生菌株的应用研究。二、技术指标 从传统宣威火腿中分离筛选出一株高产
中国农业大学
2021-04-14
抗工艺涨落的自修调集成电路片上振荡器
本发明公开了一种抗工艺涨落的自修调集成电路片上振荡器，包括集成于同一芯片的用于产生基准脉冲的基准振荡单元，用于产生输出脉冲的待修调振荡单元，以及用于接收基准脉冲和输出脉冲，并根据接收到的基准脉冲和输出脉冲向待修调振荡单元发出相应的修调信号，控制待修调振荡单元对输出脉冲进行频率修调的自修调逻辑控制单元。由可片内集成的基准振荡单元提供频率调修所需的基准脉冲，并在修调完成后关闭基准振荡单元，实现了输出频率的片内自修调，避免片外修调，有利于降低芯片制备成本。且硬件结构简单，容易实现，并在不修调时，关闭基准振荡单元，降低芯片的功耗。
浙江大学
2021-04-13
一种在 SOI 硅片上制备微机械悬空结构的方法
本发明公开了一种在SOI硅片上制备微机械悬空结构的方法。对悬空结构及其固定结构采用不同的槽宽设计，其中，固定结构的槽宽明显大于悬空结构，宽槽底部经刻蚀首先到达或更加接近SiO2层，再通过各向同性干法刻蚀使窄槽底部相互连通并与窄槽下方的Si层分离，将窄槽间的梁释放，形成具有平整底面的悬空结构，同时去除固定结构与悬空结构连接区底部的Si以及固定结构与其它结构之间的区域底部的Si，使得固定结构与窄槽下方的Si层及其它结构隔离，从而使不同的固定结构间相互绝缘。本发明的方法简单有效，能广泛应用于MEMS悬空结构的加工。
华中科技大学
2021-04-14