产品特点 　　高纯纳米四氧化三钴通过等离子体气相燃烧法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散。 　　产品参数 产品名称 型号 平均粒度（nm) 纯度(%) 比表面积(m2/g) 松装密度(g/cm3) 形貌 颜色 纳米氧化钴 ZH-Co3O450N 50 99.9 31.43 0.36 近球形 黑色 纳米氧化钴 ZH-Co3O4100N 100 99.9 25.79 0.45 近球形 黑色 纳米氧化钴 ZH-Co3O4500N 500 99.9 11.30 0.87 近球形 黑色 加工定制 为客户提供定制颗粒大小和表面改性处理 　　产品应用 　　1、高纯纳米四氧化三钴应用于催化剂上面：利用四氧化三钴纳米棒作催化剂，可将汽车尾气中的CO在低温下转化为CO2; 　　2、可用作颜料、釉料、氧化催化剂、分析试剂，也用于从镍中分离钴等; 　　3、高纯纳米四氧化三钴具有尖晶石晶体结构，是一种重要的磁性材料、P—型半导体，在异相催化、锂离子充电电池的材料、固态传感器、电致变色器件、太阳能吸收材料和颜料等方便的应用; 　　4、适用范围：压敏电阻、热敏电阻、氧化锌避雷器、显象管玻壳、锂离子电池等行业; 　　5、用作锂电子材料，用于氧化钴及钴盐的制备，用作高纯分析试剂、氧化钴及钴盐的制备，用作锂电子材料、氧化钴及钴盐的制备，用于电池材料、磁性材料、热敏电阻等; 也可用作催化剂机制作珐琅等。 　　包装储存 　　本品为充惰气塑料袋包装，密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜暴露空气中，防受潮发生氧化团聚，影响分散性能和使用效果;包装数量可以根据客户要求提供，分装。 　　技术咨询与索样 　　联系人：王经理(Mr.Wang) 　　电话：18133608898 0551-65110318 微信：18133608898 QQ：3355407318 邮箱：sales@hfzhnano.com  

单层半导体性过渡族金属硫属化合物（MX2: MoS2, WS2 等）是继石墨烯之后备受关注的二维层状材料。该类材料具有优异的电学性质、强的光物相互作用、高效的催化特性等，在光电子学器件、传感器件、电催化产氢等领域具有非常广阔的应用前景。单层MX2 材料的批量制备和高品质转移是关键的科学问题。现有方法仍面临着诸多重大挑战，例如，难以实现晶圆尺寸的层数均匀性、单晶畴区小、生长速度缓慢、生长衬底价格昂贵、转移过程复杂、容易引入污染物等。北京大学张艳锋课题组是国内较早开展相关研究的课题组之一，在单层MX2材料的可控制备、精密表征和电催化产氢应用方面取得了一系列重要进展：基于范德华外延的机理，他们在晶格匹配的云母基底上首次获得了厘米尺度均匀的单层MoS2 (Nano Lett. 13, 3870 (2013)，他引198次)； 在蓝宝石上获得了大畴区单层WS2 (ACS Nano 7, 8963 (2013), 他引250次)；发展了一种新型的金属性箔材(Au箔)基底，实现了畴区尺寸可调单层MoS2的制备，借助STM/STS表征技术建立起了材料原子尺度的形貌/缺陷态、电子结构和电催化析氢之间的构效关系 (ACS Nano 8, 10196 (2014)，他引124次)。上述成果也受邀撰写综述文章(Chem. Soc. Rev. 44, 2587 (2015)，他引92次)。最近他们在大尺寸均匀MoS2的批量制备以及“绿色”转移方面取得重要进展。他们选用廉价易得的普通玻璃作为基底，创新性地采用Mo箔作为金属源(与S粉共同作为前驱体)，采用“face-to-face”的金属前驱体供给方式，实现了前驱体在样品上下游的均匀供应，使得样品尺寸可以得到最大限度的放大(仅受限于炉体尺寸)，获得了对角线长度可达6英寸的均匀单层MoS2; 结合DFT理论计算和系统的实验结果发现，玻璃基底上微量的Na对材料生长起到明显的促进作用, Na倾向于吸附在MoS2畴区的边缘，起到显著降低MoS2拼接生长能垒的作用，从而促进其快速生长。 获取满覆盖单层样品的生长时间仅为8 min，单晶畴区边缘尺寸可达0.5 mm。此外，他们利用玻璃基底的亲水特性，发展了一种无刻蚀的、仅利用超纯水辅助的“绿色”转移方法。该方法适用于晶圆尺寸样品的快速转移，且具有操作简单，转移样品质量高等明显优势。该工作提出了利用廉价的普通玻璃基底来制备大面积、晶圆尺寸均匀、大畴区单层MoS2的新方法/新途径，并深入分析了其生长机制，为相关二维材料的批量制备和高效转移提供了重要的实验依据，对于推动该类材料的实际应用具有非常重要的意义。

作为TFT液晶材料的“领军者”，偕二氟双环己烷的市场前景可想而知。目前，该材料技术由日本垄断，本项目新技术的出现将有望打破该格局，为本土TFT液晶材料研究和产业化作出贡献。

将此新材料用于二次电池的阳极，得到的电池容量密度为 137Ah.kg-1，能量密度为152Wh.kg-1；经 120 次充放电后充放电库仑系数为 100%，能量密度仅下降了 9.2%。

分析了m-石英衬底用于二维材料的可控生长，以及其在取向、维度及能带结构等多个方面对单层二硫化钨的调制能力，论文第一作者为程春课题组博士生王经纬。 尽管石英和二硫化钼具有不同的对称性，但是两者奇特的大周期匹配使取向排列的单层二硫化钨外延生长成为可能。通过进一步调节反应条件，课题组实现了对单层二硫化钨形貌从二维到一维的可控调节。同时，由于石英各向异性的热膨胀系数，生长的单层二硫化钨产生了随

本申请涉及一种二维材料硒化铟的非晶化方法。本申请的非晶化方法包括：S1：提供设置有纳米层状硒化铟样品的电学芯片；S2：对电学芯片施加脉冲电压，使硒化铟发生非晶化。本申请通过施加脉冲电压来诱导非晶化，具有快速、精确、节能等优势，适用于高性能电子和光电器件的制造。

本发明公开了一种三氧化二铁/碳蛋黄-蛋壳纳米复合结构的制备方法，以三氧化二铁纳米颗粒为核心，通过控制正硅酸乙酯的量来控制包覆的二氧化硅的厚度，再通过热分解的方法在二氧化硅外面包覆一层碳，通过去除中间层的二氧化硅得到了三氧化二铁/碳蛋黄-蛋壳纳米复合结构。本发明通过简单的包覆过程合成了三氧化二铁/碳的蛋黄-蛋壳复合纳米结构，降低了成本，可大批量生产。另外，这种中空的三氧化二铁/碳蛋黄-蛋壳复合纳米结构有利于提高锂离子电池负极材料的性能。

（专利号：ZL 201410485637.4） 简介：本发明公开了一种五氧化二钒纳米带及其常温合成方法与应用，属于纳米材料和电化学储能技术领域。本发明的一种五氧化二钒纳米带的常温合成方法，向钒源水溶液中加入矿化剂，然后将加有矿化剂的钒源水溶液置于常温条件下搅拌，反应完全后，洗涤收集得到五氧化二钒纳米带；五氧化二钒纳米带为均匀超长纳米带，其长度为10-20微米，五氧化二钒纳米带的宽度为20-50纳米。本发明能够在常温常压下简单、低成本、高产

本发明公开了一种二维超大薄荷叶状氧化镍纳米材料及其制备方法，称取适量的四水合醋酸镍和尿素，加入到60毫升去离子水，搅拌溶解，得到浅绿色溶液；将溶液转移到100mL带有聚四氟乙烯内衬的不锈钢反应釜中，密封后置于烘箱中，设置温度为110～130°C，反应10-14小时；反应结束后，自然冷却至室温，过滤洗涤，得绿色沉淀物；将烘干的绿色沉淀物放入电阻炉中，设置温度为300～400°C，热处理2～4小时，即得二维超大薄荷叶状氧化镍纳米材料。荷叶直径尺寸大小为1.8～2.5μm，厚度为10-20nm。这些纳米荷

新型陶瓷基材料具有高硬度、高强度、优异的耐热性、绝缘性和化学稳定性等特点，广泛应用于机械工程、生物、电子等领域。但由于其硬而脆的特性，陶瓷材料的成型加工一直是一大挑战。该研究巧妙利用数字光投影（Digital Light Processing, DLP）3D打印技术成型迅速、结构特征高保真的特点，成功制造了氧化锆增韧氧化铝（Zirconia Tou