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有关FeSe超导体的中子散射的研究
FeSe超导体是铁基超导家族中结构最简单的材料。无论是在超导态还是正常态（四方-正交的结构相变温度之下），FeSe中的低能量自旋激发是完全c方向极化的，即没有ab面内的分量。这一奇特的自旋激发各向异性表明：一是FeSe中自旋轨道相互作用很强；二是FeSe中的自旋轨道相互作用会显著地影响电子库珀对的形成。
北京大学
2021-04-11
均匀土壤中矩形地网接地导体布置方法
本成果为授权发明专利（201010238818.9）。该发明公开了一种均匀土壤中矩形地网接地导体不同间距布置方法，该方法主要是根据地网设计所需的地网网孔数确定接地网均压导体优化后的导体位置。该方法可以快速准确的计算接触电压分布、跨步电压分布优化后矩形地网中任意根数接地导体的位置。该方法不仅计算方便，且适用范围广。该专利对于接地系统的优化设计具有国际先进水平，自主可控，填补了矩形地网中接地导体非等间距布置方法的空白，在保证地网安全性能的同时节约金属材料，有着有广阔的应用领域。
西南交通大学
2016-06-27
高温超导体电阻转变温度测量仪
1.测量R-T主机一台（主要完成温度的测量和电阻测量，以及为样品提供电流的恒流源）
2.测量X-T用主机一台（主要完成温度的测量和显示，磁化率的测量和显示）
3.测量实验台架一套（测量零电阻和磁化率共用）
4.测温传感器（PT100）
5.低温杜瓦（内径φ120×80）
长春市长城教学仪器有限公司
2021-02-01
三维配管（三维设备管道）设计
三维设备管道设计工作即工艺流程参数化设计后进行的三维设备布置、三维管道设计（三维配管）。
1、项目简介
化工、食品、生物、制药、环境保护、太阳能等相关的流程工业，工艺装置包含大量的设备、管道、阀门等，常规的是以平面图的形式反映工厂的情况，作为施工、生产和员工培训。以计算机三维模型方式体现工厂实际，实现计算机下的虚拟工厂。采用设备、管道（阀门）三维 CAD 技术，通过设计流程图、三维设备建模、设备的布置、三维配管等一系列工作，实现整个项目的三维设计。使用高效、快捷的正版软件进行设计，可获得真实的设计信息（设备、管道、管件、阀门的规格数量等），实现拟建工厂或装置的效果图。
2、创新要点
工艺安装 (配管)的设计与施工是工程设计中重要环节,其水平对装置总投资、装置运行、装置外观、实际操作、检修保养和系统安全等均有决定性作用。采用计算机辅助配管工程设计、建立三维模型、自动出图和自动进行各类统计造表。
3、效益分析
本技术为提供企业建设、文件存档以及企业员工培训三维设计，可以加快工厂建设进度，为设计院配套服务，具有很大的经济效益。
4、推广情况
浙江万向控股动力电池萃取项目，山东博兴创意化工发展有限公司叔胺项目，完美（中国）有限公司化妆品项目等。
江南大学
2021-04-13
三维配管（三维设备管道）设计
化工、食品、生物、制药、环境保护、太阳能等相关的流程工业，工艺装置包含大量的设备、管道、阀门等，常规的是以平面图的形式反映工厂的情况，作为施工、生产和员工培训。以计算机三维模型方式体现工厂实际，实现计算机下的虚拟工厂。采用设备、管道（阀门）三维 CAD 技术，通过设计流程图、三维设备建模、设备的布置、三维配管等一系列工作，实现整个项目的三维设计。使用高效、快捷的正版软件进行设计，可获得真实的设计信息（设备、管道、管件、阀门的规格数量等），实现拟建工厂或装置的效果图。
江南大学
2021-04-13
太阳能电池增效薄膜材料
太阳能电池的光电转换效率是评判太阳能电池性能的重要参数之一，在国外实验室 最高转换效率已达 24.8%，而国内最高为 19.79%。为了改善太阳能电池的性能，必须提 高太阳能电池的转换效率。而太阳能电池转换效率损失的主要原因是由于表面上的光反 射作用，太阳光不能全部都入射到太阳电池中去，导致电子一空穴对的产生率不高。减 少反射就成为增加太阳能电池光电转换效率的重要途径。 同济大学研究了在太阳能电池光电板外制备减反射涂层来增加太阳能转化效率的方 法。减反射薄膜的镀制是相关课题组纳米多孔材料应用的主要方向之一，具有近十年的 技术积累，相关的成果已被用于国家的激光武器。基于以上基础及优势，通过涂布二氧 化硅减反射膜，可使电池总体光电转换效率明显提高。
同济大学
2021-04-11
锑化铟（InSb）薄膜型霍尔元件
项目简介： 锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机，大量应用于电脑 的电源风扇，CPU 风扇，打印机，电动自行车等所用的微型直流无刷 马达。具有灵敏度高，使用寿命长，可靠性高，体积小，重量轻，功 耗小，频率高，耐震动，耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐 蚀的优点。 项目特色： 制备温度低，能源消耗低，环境污染极小，易于大规模生产，制 造成本低，投资小的优点。
南开大学
2021-04-11
锑化铟（InSb）薄膜型霍尔元件
项目成果/简介:锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机，大量应用于电脑的电源风扇，CPU 风扇，打印机，电动自行车等所用的微型直流无刷马达。具有灵敏度高，使用寿命长，可靠性高，体积小，重量轻，功耗小，频率高，耐震动，耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐蚀的优点。应用范围:目前只有日本旭化成和韩国三星可以生产薄膜型锑化铟霍尔元件芯片，国内无芯片生产技术。国内市场约 50 亿人民币，具有市场广，竞争少的优点。 南开大学开发的芯片制造技术，原材料成本便宜 30%左右，具有很强的市场竞争力和投资价值。效益分析:制备温度低，能源消耗低，环境污染极小，易于大规模生产，制造成本低，投资小的优点。
南开大学
2021-04-11
锑化铟（InSb）薄膜型霍尔元件
锑化铟薄膜型霍尔元件主要用于直流无刷电机，大量应用于电脑的电源风扇，CPU 风扇，打印机，电动自行车等所用的微型直流无刷马达。具有灵敏度高，使用寿命长，可靠性高，体积小，重量轻，功耗小，频率高，耐震动，耐灰尘、油污、水汽和盐雾等各种污染或腐蚀的优点。
南开大学
2021-02-01
薄膜晶体管的器件研究
通过简单封装和热退火，制备出稳定富含氢的IGZO 晶体管，其晶体管电学性能、稳定性都获得大大提高。制备方法较简单且重复性高，即用氮化硅薄膜封装，再通过热扩散将氮化硅内氢元素扩散至InGaZnO薄膜内。掺氢后的晶体管，其开态电流和开关比都获得了数量级的提升（约40倍），而且阈值电压没有太大变化。而对应提取出的场效应迁移率则出现异常，大于300 cm2/(V·s)，远高于未经处理的对照样品。然后结合二次离子质谱仪（SIMS）和X射线光电子能谱分析（XPS）表征，发现薄膜内不但氢浓度提升了约一个数量级，而且氧空位缺陷态也大大减少了，而自由电子浓度则相应显著增加。研究还指出，该工作模式在长沟道晶体管中效果尤为显著，而在短沟道器件中则受到明显局限。该工作揭示了氢在氧化物半导体中的稳定存在方式和对导电性能的关键作用，为提升长沟道晶体管的电流驱动能力提供了一种新的器件工作模式，并对高迁移率薄膜晶体管的验证和分析提供了普适性的理论依据和实验方法。
中山大学
2021-04-13