本发明公开了一种二维纳米 SnSe2 晶体材料的制备方法，采用 化学气相沉积法用单质硒和卤化锡在衬底上沉积所需厚度的 SnSe2 晶 体；其中，沉积设备为水平管式炉，顺序设有上游低温区、中心温区 以及下游低温区，所述单质硒和卤化锡分别独立但紧靠放置于上游低 温区，所述衬底放置于下游低温区；利用不同温区的温度差，单质硒 蒸汽和卤化锡蒸汽形成于上游低温区；两者反应生成 SnSe2，并通过 沉积载气带入下游温区，在衬底上沉

首次发现一类同时具有超高电子迁移率、合适带隙、环境稳定和可批量制备特点的全新二维半导体(硒氧化铋，Bi2O2Se)，在场效应晶体管器件和量子输运方面展现出优异性能。彭海琳课题组基于前期对拓扑绝缘体（Bi2Se3，Bi2Te3）等二维量子材料的系统研究，提出用轻元素部分取代拓扑绝缘体中的重元素，以降低重元素的自旋-轨道耦合等相对论效应，进而调控其能带结构，消除金属性拓扑表面态，获得高迁移率二维半导体。经过材料的理性设计和数年的实验探索，发现了一类全新的超高迁移率半导体型层状氧化物材料Bi2O2Se，并利用化学气相沉积(CVD)法制备了高稳定性的二维Bi2O2Se晶体。基于理论计算和电学输运实验测量，证明Bi2O2Se材料具有合适带隙（~0.8 eV）、极小的电子有效质量(~0.14 m0)和超高的电子迁移率。系统的输运测量表明：CVD制备的Bi2O2Se二维晶体在未封装时的低温霍尔迁移率可高于20000 cm2/V·s，展示了显著的SdH量子振荡行为；标准的Bi2O2Se顶栅场效应晶体管展现了很高的室温表观场效应迁移率（~2000 cm2/V·s）和霍尔迁移率（~450 cm2/V·s）、很大的电流开关比（>106）以及理想的器件亚阈值摆幅（~65 mV/dec）。二维Bi2O2Se这些优异性能和综合指标已经超过了已有的一维和二维材料体系。Bi2O2Se这种高迁移率半导体特性还可能拓展到其他铋氧硫族材料（BOX：Bi2O2S、Bi2O2Se、Bi2O2Te）。

（2-7层黑磷中（a）激子吸收与层数的关系；（b）带边吸收与层数的关系；（c）二维激子示意图）复旦大学物理学系晏湖根课题组首次在实验上测定了少层黑磷的光吸收强度，发现激子吸收随着层数的减少反而增大。4月15日，相关成果以《少层黑磷光电导的红外光谱研究》为题在

本实用新型公开了一种薄型电动二维精密平台，包括上平台、下平台以及联接安装在两者之间且整体呈平板结构的中间连接件，其中中间连接件的上表面与上平台底座表面相互平行，并在两者之间保持间隙用于储存润滑介质；该上表面的两侧还分别设置有沿着 X 轴方向分布的导轨副，同时通过设置在外侧凹陷区域的 X 向电机和第一精密螺纹丝杆传动单元，使上平台沿着导轨副在 X 轴方向上移动。该中间连接件的下表面结构与上表面相类似。通过本实用新型，能够在显著减少平台整体厚度的情况下，在 X 轴和 Y 轴两个运动方向上实现高精度和较大

近年来，磁振子电子学在信息计算和信息传输领域表现出了极具价值的应用潜力。磁振子电子学利用以磁振子为载体的电子自旋进动来实现信息处理，有望实现无热量产生、低耗散的信息传输，相比于传统意义上通过操纵电荷来实现信息的处理的微电子学具有无可比拟的巨大优势。磁振子电子学领域的进展很大程度上依赖于能够有效传输磁振子的新材料的发现，而获得长距离的磁振子输运始终是磁振子电子学研究的重中之重。与通常的三维磁性绝缘体（如Yttrium Iron Garnet）相比，二维尺度下的磁振子被理论预言有很多的新颖物理效应，例如自旋能斯特效应，拓扑磁振子，以及外尔磁振子等。 在最新的研究文章中，量子材料科学中心韩伟课题组在二维磁性体系中展开工作并取得了重要进展，观测到了二维反铁磁体系中磁振子的长距离输运。MnPS3晶体是一种层状反铁磁材料，利用机械剥离手段得到了二维的MnPS3薄片。MnPS3薄片上制备了用于测量磁振子输运的非局域器件，器件结构如图A所示。器件左侧Pt电极通过热方法来注入磁振子，右侧Pt电极探测在二维MnPS3中扩散传输的磁振子。在二维反铁磁MnPS3中，实验上观测到了几微米的磁振子扩散长度。并且从图B中可以看出，随着注入端和探测端距离的增加，探测到的非局域信号表现出e指数衰减的形式，跟一维漂移扩散模型的理论模型一致。在此基础上，他们还系统研究了MnPS3厚度对磁振子弛豫性质的影响。随着MnPS3厚度从40nm降低至8nm，磁振子弛豫长度由4μm减小到1μm（图C），这可能是由较薄的MnPS3中较强的表面杂质散射效应导致的。 该文章中的结果具有重要的学术价值：二维材料中的磁振子输运实现为二维磁性材料在磁振子电子学的应用与发展奠定了基础，也有望推动磁振子在量子尺度下的新颖量子物理性质研究。图：二维反铁磁体系中磁振子输运研究。（A）二维反铁磁MnPS3中的磁振子输运测量结构示意图。（B）自旋信号R_NL^*随电极间距的依赖关系，与理论预言的e指数衰减吻合。（C）磁振子弛豫长度随MnPS3厚度的依赖关系。 该工作于2019年2月7日在线发表于物理学术期刊Physical Review X上(Phys. Rev. X 9, 011026 (2019) )。 DOI: https://doi.org/10.1103/PhysRevX.9.011026。该工作由韩伟研究员设计和指导完成，北京大学量子材料科学中心2015级博士生邢文宇为文章第一作者，物理学院2015级本科生邱露颐为第二作者（今年9月份将去哈佛大学读博士），韩伟研究员为文章通讯作者。本工作的顺利完成得到了量子材料科学中心贾爽教授和谢心澄院士的合作帮助，以及国家重大科学研究计划、国家自然科学基金、中国科学院战略性先导科技专项的支持。

通过溶剂热方法，成功制备出一种层间距宽化并富有缺陷的1T-VS 2 纳米片，展现出优异的电催化析氢性能。由于有机溶剂分子以及在反应过程中产生的铵离子等的插层作用，该溶剂热法制备出的VS 2 纳米片层间距宽化至1.0 nm，比块体VS 2 材料的层间距（0.575 nm）增加了74%。层间距的宽化引起晶格的畸变而引入众多的缺陷，丰富的缺陷赋予VS 2 纳米片更多的活性位点，层间距的宽化还进一步改变了VS 2 材料的电子结构，从而使得该VS 2 纳米片具有更加优化的氢吸附自由能（∆ G H ）。HER测试结果表明，该VS 2 纳米片呈现出优异的电催化性能，具有较小的塔菲尔斜率（36 mV dec −1 ）、具有较低的过电位（-43 mV@10 mA cm −2 ）和良好的稳定性（60 h）。此外，通过第一性原理计算的结果表明，层间距宽化的VS 2 具有更优化的∆ G H （-0.044 eV），媲美贵金属Pt(如图3 ). 。并且，层间距的宽化可以降低缺陷形成能，使材料更易形成缺陷。这里，理论计算结果和实验相一致，较好地证明了通过层间距和缺陷的精细调控，可以有效提升二维材料的电催化析氢反应活性, 揭示了层间距和缺陷结构调控对提升电催化析氢的基本原理。此项研究工作为层状二维材料的晶体和缺陷结构精准调控研究提供了新思路，为开发高性能电催化析氢材料研究打开了一扇新窗户。

VSM振动样品磁强计 产品概述： 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ VSM振动样品磁强计可测量磁性材料的基本磁性能(如磁化曲线，磁滞回线，退磁曲线，升温曲线、升/降温曲线、降温曲线、温度随时间的变化等)，得到相应的各种磁学参数(如饱和磁化强度，剩余磁化强度，矫顽力，磁能积，居里温度，磁导率(包括初始磁导率)等)，可测量粉末、颗粒、片状、块状等磁性材料。 可原位测量磁性材料从液氮温区至室温或室温至500℃温区的磁性能随温度的变化曲线。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 技术指标： 1、测量磁矩范围(磁极间距30mm时)：1*10-3emu—300emu(灵敏度：5×10-5emu) 2、相对精度(量程30emu时)：优于±1% 3、重复性(量程30emu时)：优于±1% 4、稳定性(量程30emu时)：连续4小时工作优于1% 5、温度范围：室温到500摄氏度以及室温到液氮温区 6、磁场强度：0—±3.8T之间 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 电磁铁直流稳流电源： ※ 双极性恒流输出 ① 电源输出电流可在正负额定上等高电流之间连续变化 ② 电流可以平滑过零点，非开关换向 ③ 输出电流、电压四象限工作（适合感性负载） ④ 电流变化速率可设置范围为 0.0007～0.3 F.S./s(F.S.为额定输出极大电流） ※ 电流稳定度高，纹波低 ①电流稳定度：优于±25ppm/h（标准型）；优 于±5ppm/h（高稳型） ② 电流准确度：±（0.01%设定值+1mA） ③ 电流分辨率：20 bit，例 15A 电源，电流分辨率为 0.03mA ④ 源效应：≤ 2.0×10-5 F.S.（在供电电压变化 10%时，输出电流变化量） ⑤ 负载效应：≤ 2.0×10-5 F.S.（在负载变化 10%时，输出电流变化量） ⑥ 电流纹波（RMS）：小于 1mA ※ 两种输出模式 ① 电流模式：直接设定磁铁或者线圈中的电流 ② 磁场模式：直接设定磁铁或者线圈中的磁场大小 注意：磁场模式需配合本公司的高精度高斯计和探头 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ ※ 两种操作方式 ① 本地控制采用高清触摸屏显示和操作 ② 远程可通过 RS232 接口由计算机控制，RS485、LAN 可选 ※ 多种保护功能 ①输入电源掉电保护（输入电源掉电时，内部保护吸收感性负载反灌能量） ②过流保护（自动降流，不可控过流则关断电源输出并报警） ③过热保护（模块过热，关断电源输出并报警） ④水流保护（检测冷却水，一旦水流太小或断水，关断电源输出并报警。适用水冷电源） ⑤结露保护（检测散热管上是否有冷凝水，一旦结露，关断电源输出并报警。适用水冷电源） ⑥外部连锁保护（常开或常闭输入） 振动系统： 包括振动杆、机械振动头支架、样品室及探测线圈。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 磁矩测量单元： 磁矩量程分300emu、150emu、80emu、40emu、30emu、15emu、8emu、4emu、3emu、1.5emu、800memu、400memu、300memu、150memu、80memu、40memu、30memu和15memu(即0.015emu)共18档，灵敏度优于5×10-5emu;当磁矩量程为30emu 时，测量磁矩的相对精度和重复性均优于±1%，预热24小时，连续24小时工作的稳定性优于1%。 磁场量程3.8T—0—-3.8T连续测量，分辩率0.1mT，相对精度优于±1%。 振动源输出频率180Hz,频率稳定度优于10-5，输出功率大于50W。 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 高温炉及温控装置： 加热功率500W,炉温范围：室温—1000℃; 分辨率0.1℃ 您也可以在淘宝网首页搜索“锦正茂科技”，就能看到我们的企业店铺，联系更加方便快速！ 低温装置： 样品室的温度变化范围：80-500K 可选，分辨率0.1K。 测量系统软件： *可直接设置系统参数，直观显示数据 *原始数据文件后缀为13D，直接存储于计算机之中，方便后续处理，可以使用Excel和Origin直接对数据进行处理； *测量的多种曲线和特性参数即可在微机屏幕上显示，软件可对数据进行任意选取，局部放大，平移，可对曲线进行平滑处理，也可在激光打印机上输出打印；还可由其它通用绘图软件上进行处理。 *可自动测量磁化曲线，磁滞回线，快速MH回线，升温曲线，降温曲线，升降温曲线，控温曲线，设定温度下的磁化曲线、磁滞回线、快速MH回线，及背底曲线；在已知退磁因子和样品密度的情况下，能将VSM的开路样品磁特性曲线自动转化为物质本身（即闭路样品）磁性测量曲线 *软件可同时算出国际单位制和高斯单位制下的曲线参数（饱和磁矩/饱和磁化强度/比饱和磁化强度，剩余磁矩/剩余磁化强度，矫顽力，内禀矫顽力，矩形系数，磁能积极大值，回线面积，居里温度）  

山东大学晶体材料国家重点实验室陶绪堂教授团队通过自主设计的“微爆炸法”获得了无氧化MXene-Ti3C2Tx量子点，首次提出可将此类二维结构钛基晶体材料用于肿瘤治疗，并与刘宏教授团队合作发现其具有较强的类芬顿反应特性，在抗肿瘤实验中效果显著，从而实现了更高效、更安全的纳米催化治疗方式。相关结果以“Nonoxidized MXene Quantum Dots Prepared by Microexplosion Method for Cancer Catalytic Therapy”为题，发表在材料类权威期刊Advanced Functional Materials（IF=15.621）上，陶绪堂教授和刘宏教授为通讯作者，晶体所博士研究生李雪松和刘锋为共同第一作者，山东大学为独立完成单位。 对于肿瘤治疗，传统的化学、物理疗法都存在严重的副作用，限制了其在实际临床治疗中的应用。最近，基于特殊的肿瘤微环境，利用肿瘤内部催化反应的纳米催化治疗成为前沿且备受关注。其中，研究最为广泛的铁基纳米催化剂可特异性响应肿瘤的弱酸性细胞微环境，释放Fe2+并引发芬顿反应，产生•OH自由基以触发细胞凋亡，从而抑制肿瘤。然而，在弱酸性肿瘤环境中，Fe2+催化的芬顿反应速率较低，导致•OH自由基形成缓慢。此外，众多抗肿瘤复合纳米制剂的潜在毒性值得关注。因此，寻找更高催化活性和更安全的纳米制剂是人们一直追求的目标。晶体材料国家重点实验室陶绪堂教授团队与刘宏教授团队合作发现所制备的钛基无氧化MXene-Ti3C2Tx量子点具有较强的类芬顿反应特性，其对正常细胞和组织器官均表现良好的生物相容性，并对宫颈癌和乳腺癌均有强烈的杀伤能力，体现出优异的抗肿瘤效果。这种以钛基类芬顿反应为基础的肿瘤治疗方式潜力巨大，为实现肿瘤的高效、精准治疗提供了一条新的探索途径。