本项目对柑橘介类天敌资源进行了广泛调查，对重要天敌进行了发掘。I：感研究了日本方头甲不同饲养 方法，分析评价了马铃薯连续饲养桑盾蛤的可行性，找到了抑制马铃薯发芽的技术，研究了桑盾蛤和日本方 头甲接种方法，明确了桑盾蛤和日本方头甲繁殖的最适温度、湿度和光照条件。研发出了日本方头甲包装运 输和种源保存的方法。最终找到了通过马铃薯一桑盾蛤一日本方头甲的途径规模化饲养天敌的关键技术。评 价了室内饲养天敌对介壳虫的控制效果，建立了日本方头甲田间释放技术体系。真正实现了害虫天敌产业 化。通过室内反复配方筛选、工艺研究和田间试验，研制出以苦参和烟草为主，川乌和半夏等多种杀虫植物 经科学配方和特殊工艺萃取而成的高效广谱杀虫剂，在此基础上，系统评价了该产品对多种介壳虫的控制效 果及对天敌的安全性，0.5%苦参碱•烟碱水剂生产技术成功转让重庆东方农药厂并登记生产。该产品是国内 第一个登记用于防治柑橘介壳虫的植物源农药，先后获重庆市重点新产品，重庆高新科技产品，国家星火科 技产品。本项目成果生产的天敌产品一日本方头甲不仅可以有效控制柑橘蛤类害虫，而且对控制桃、梨、李 和樱桃等果树的介壳虫也具有非常好的控制效果。自2000年以来，在柑橘和桃产区推广应用日本方头甲 70余万亩，新增利润24220.5万元。自2003年来，生产销售植物源杀虫剂一果圣1200余吨，满足了 180万亩 柑橘生产对植物源农药的需要,新增加利润12600余万元。本项目丰富了害虫生物防治的研究内容和昆虫规 模化人工饲养理论。对我国天敌昆虫大规模人工饲养和植物源农药创制起到了积极的推动作用,对降低果品 中农药残留，保障市民食品安全具有极其重要的现实意义，同时，有力地促进了各产区绿色果品生产。

本发明公开了一种低介微波铁电陶瓷及其制备方法,该低介微波 铁电陶瓷的化学通式为 xBaO-yZnO-zSiO2；其中，1≤x≤2，0≤y≤2， 1≤z≤2；其制备方法，包括如下步骤：(1)对 BaO、ZnO 和 SiO2 的混 合物进行湿法球磨处理，并烘干后进行预烧，获得 xBaO-yZnO-zSiO2 基体陶瓷粉体；(2)对基体陶瓷粉体进行湿法球磨处理，烘干后加入聚 乙烯醇造粒，压片后烧结，获得低介微波铁电陶瓷；在球磨处理中采

Ø  成果简介：在机械加工总工作量中，约三分之一为孔加工，而深孔加工过程由于排屑困难、切削温度高、轴线定向性差是孔加工工艺中的难点。生产实际中深孔加工的效率往往很低，加工精度也难以保证。本项目主要解决在中、大批量生产条件下，深孔加工刀具的设计与制造问题以及相应的切削技术。采用先进的刀具材料、合理的切削几何结构、有效的排屑及冷却润滑方式，可大大提高孔加工刀具的耐用度和加工精度，生产效率增长一倍以上。替代国外同类刀具，刀具寿命提高两倍以上，刀具转速可达3000rpm以上。各种发动机中

ID-208智能消化炉     ID208智能消化炉是一款依据经典湿法消解原理研制而成的样品消解设备。具有消解快速、安全、稳定等优点。广泛适用于饲料、食品、粮食、土壤、肉类和乳制品等样品化学分析前的消解处理。是凯氏定氮仪等蒸馏法设备的理想搭档。   产品特点： l加热体为铝锭及电加热管一体式直接铸造成型，坚固耐用 l炉内温度连续可调，控温精度高，样品消化稳定性好 l采用2.5寸彩屏显示，进口芯片集成电路控制系统，保证仪器的高品质高标准 l具有曲线和直线两种升温模式，6阶段自动升温，设置简单，加热过程中无需人工操作，并倒计时，到时后自动停止加热并报警 l过热保护，超过设定温度上限时，自动切断电源并报警提示 l加热体与程序控制板采用隔热设计，阳极氧化黑色处理散热器，提高散热效率15%左右，可以最大程度降低与周围环境的热传递，对于程序控制中心起到良好的保护作用，从而达到快速、均匀、稳定的消化效果 l消化支架采用不锈钢材质，机体表面经过喷涂处理，让仪器更美观耐用 l消化管口密封垫片采用耐腐蚀材料，密封效果好的同时不变形且抗老化。采用卡扣设计，易清洗易更换     技术参数： 温度范围 室温~450℃ 控温精度 ±1℃ 加热方式 电加热管加热及铝锭传导 升温速度 约30min（15℃~420℃空载） 隔热方式 分体风道散热器隔热 处理能力 8个/批 消化管容量 300ml 通风要求 排废系统（吸气泵）和通风橱 电源 220V±10%,50～60HZ 额定功率 1800w 外形尺寸（长*宽*高） 335 × 322× 145 mm 净重 15kg       完善的周边附件装置：     排气罩： l采用高性能耐腐蚀密封材料，使用寿命长，密封效果好。 l排气罩采用滴盘设计，有效减少使用后的酸液对桌面等物体带来的腐蚀。 l密封盖采用卡扣式设计，方便更换及清洗。 l玻璃式排气管及不锈钢出气口，能有效减少酸气泄露对周围空气及人员的危害。           一体式铝锭加热体： l采用特制一体式铝模块加热，升温快，受热均匀，消化效果好。 l铝模块耐温高，不易变形。 l电加热管采用镶嵌式模式，能增加铝锭及加热管使用寿命。 l深井式加热孔，孔壁光滑美观，且能提高消化管底部样品的消化效率。       智能液晶温控器系统： l智能液晶控温系统界面美观大方，简单易懂。   l进口芯片集成电路控制系统，提高了安全及稳定性。 lPID参数自检，自动调节加热速率，控温精度高。 l采用超温报警，定时控温一体化，无需人员值守。 l一键式启动设计，杜绝人员操作失误。                                                               售后服务承诺：在一定期限内，产品支持“三包”政策。产品质保两年；终身免费维修；终身提供配件；售后来电1小时内解决故障问题，部分支持上门安装调试维修产品24小时内解决。支持电话、网络、视频指导。

ID-220智能消化炉 ID220智能消化炉是一款依据经典湿法消解原理研制而成的样品消解设备。具有消解快速、安全、稳定等优点。广泛适用于饲料、食品、粮食、土壤、肉类和乳制品等样品化学分析前的消解处理。是凯氏定氮仪等蒸馏法设备的理想搭档。   产品特点： l加热体为铝锭及电加热管一体式直接铸造成型，坚固耐用 l炉内温度连续可调，控温精度高，样品消化稳定性好 l采用2.5寸彩屏显示，进口芯片集成电路控制系统，保证仪器的高品质高标准 l具有曲线和直线两种升温模式，6阶段自动升温，设置简单，加热过程中无需人工操作，并倒计时，到时后自动停止加热并报警 l过热保护，超过设定温度上限时，自动切断电源并报警提示 l加热体与程序控制板采用隔热设计，阳极氧化黑色处理散热器，提高散热效率15%左右，可以最大程度降低与周围环境的热传递，对于程序控制中心起到良好的保护作用，从而达到快速、均匀、稳定的消化效果 l消化支架采用不锈钢材质，机体表面经过喷涂处理，让仪器更美观耐用 l消化管口密封垫片采用耐腐蚀材料，密封效果好的同时不变形且抗老化。采用卡扣设计，易清洗易更换   技术参数： 温度范围 室温~450℃ 控温精度 ±1℃ 加热方式 电加热管加热及铝锭传导 升温速度 约40min（15℃~420℃空载） 隔热方式 分体风道散热器隔热 处理能力 20个/批 消化管容量 300ml 通风要求 排废系统（吸气泵）和通风橱 电源 220V±10%,50～60HZ 额定功率 2400w 外形尺寸（长*宽*高） 380 × 375× 145 mm 净重 23kg       完善的周边附件装置：   排气罩： l采用高性能耐腐蚀密封材料，使用寿命长，密封效果好。 l排气罩采用滴盘设计，有效减少使用后的酸液对桌面等物体带来的腐蚀。 l密封盖采用卡扣式设计，方便更换及清洗。 l玻璃式排气管及不锈钢出气口，能有效减少酸气泄露对周围空气及人员的危害。           一体式铝锭加热体： l采用特制一体式铝模块加热，升温快，受热均匀，消化效果好。 l铝模块耐温高，不易变形。 l电加热管采用镶嵌式模式，能增加铝锭及加热管使用寿命。 l深井式加热孔，孔壁光滑美观，且能提高消化管底部样品的消化效率。       智能液晶温控器系统： l智能液晶控温系统界面美观大方，简单易懂。   l进口芯片集成电路控制系统，提高了安全及稳定性。 lPID参数自检，自动调节加热速率，控温精度高。 l采用超温报警，定时控温一体化，无需人员值守。 l一键式启动设计，杜绝人员操作失误。         售后服务承诺：在一定期限内，产品支持“三包”政策。产品质保两年；终身免费维修；终身提供配件；售后来电1小时内解决故障问题，部分支持上门安装调试维修产品24小时内解决。支持电话、网络、视频指导。

本发明公开了一种用于多晶硅铸锭炉的隔热块，设置在多晶硅铸锭炉的坩埚底部外周，用于坩埚加热或冷却多晶硅过程中的隔热保温，该隔热块为中空方形筒体结构，筒体筒壁为中空夹层结构，其中内壁用于包覆设置在坩埚底部的热交换块外周壁面，且该内壁与所述热交换块外周壁面具有间隙，所述外壁用于与设置在坩埚外围的竖直隔热板固定接触，所述坩埚中心线、热交换块中心线以及隔热块中心线重合，且所述隔热块顶部低于热交换块顶部。本发明还公开了具有

首次使用炔烃作为卡宾前体完成了一例不对称Si-H键插入反应，高效构筑了一类新型手性有机硅化合物。该反应使用手性羧酸双铑催化剂，首先促进羰基-烯-炔底物发生分子内环化现场生成双芳基金属卡宾，该金属卡宾中间体进而对硅烷的Si-H键发生高对映选择性的插入反应，给出相应的手性有机硅化合物。该反应的条件温和，底物适用范围广，大部分产物的ee值都能达到90%以上。所得的手性烯丙基硅产物能够进一步转化，例如发生烯丙基乙酰化反应，对映选择性能够得到很好的保持，因此在有机合成中具有一定的应用潜力。动力学实验表明，反应对双铑催化剂、硅烷展现出一级动力学效应，对底物则表现出零级动力学特征，说明铑卡宾对Si-H键的插入步骤是反应的决速步，这与动力学同位素实验的结果（KIE=1.5）相一致。本研究表明炔烃作为卡宾前体同样可以发生高对映选择性的Si-H键插入反应，结合炔烃化学在从简单原料构筑复杂产物上的优势，为结构多样性有机硅化合物的合成提供了新的方向。

传统的CCD、CMOS硅基成像器件都不能响应紫外波段的光信号，这是因为紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm）。但是近年来随着紫外探测技术的日趋发展，人们越来越需要对紫外波段进行更深的探测分析与认识。紫外探测技术是继激光探测技术和红外探测技术之后发展起来的又一军民两用光电探测技术。几十年来，紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件。硅基成像器件如CCD、CMOS是应用最广泛的光电探测器件。当前最先进的光谱仪器大都采用了CCD或CMOS作为探测器件，这是因为CCD、CMOS具有灵敏度强、噪声低、成像质量好等优点。但由于紫外波段的光波在多晶硅中穿透深度很小（<2nm），CCD、CMOS等在紫外波段响应都很弱。成像器件的这种紫外弱响应限制了其在先进光谱仪器及其他领域紫外波段探测的使用。 在技术发达国家,宽光谱响应范围、高分辨率、高灵敏度探测器CCD已经广泛应用于高档光谱仪器中。上世纪中叶美国Varian公司开发的Varian700 ICP-AES所使用的宽光谱CCD检测器分辨率达0.01nm,光波长在600nm和300nm时QE分别达到了84%和50%；美国热电公司开发的CAP600 系列ICP所用探测器光谱响应范围更是达到165～1000nm，在200nm时的分辨率达到0.005nm.法国Johinyvon的全谱直读ICP，其所用的CCD探测器像素分辨率达0.0035nm,紫外响应拓展到120nm的远紫外波段。德国斯派克分析仪器公司的全谱直读电感耦合等离子体发射光谱仪一维色散和22个CCD检测器设计，其光谱响应范围为120－800nm。德国耶拿JENA 连续光源原子吸收光谱仪contrAA采用高分辨率的中阶梯光栅和紫外高灵敏度的一维CCD探测器，分辨率达0.002nm,光谱响应范围为189—900 nm。总而言之，发达国家在宽光谱响应和高分辨率高灵敏度探测器件的研制领域已取得相当的成就。主要技术指标和创新点（1）  我们在国内首次提出紫外增强的硅基成像器件，并在不改变传统硅基成像探测器件的结构的基础上，利用镀膜的方法增强成像探测器件CCD、CMOS的紫外响应，使其光谱响应范围拓宽到190—1100nm，实现对190nm以上紫外光的探测。（2）  提高成像探测器的紫外波段灵敏度，达到0.1V/lex.s。（3）  增强成像探测器件的紫外响应的同时，尽量不削弱探测器件对可见波段的响应。（4）  选用适合的无机材料，克服有机材料使用寿命短的缺陷。 紫外探测技术已经逐渐应用于光谱分析、军事、空间天文、环境监测、工业生产、医用生物学等诸多领域，对现代科研、国防和人民生活都产生了深远的影响。特别是在先进光谱仪器方面，国内急迫需要响应波段拓展到紫外的硅基成像器件，该设计与传统CCD、CMOS结合，能满足宽光谱光谱仪器所需的紫外响应探测器的需要。能提高光谱仪器光谱响应范围，在科学实验和物质分析和检测中具有很广的市场前景。 该设计样品能取代传统CCD、CMOS，应用于大型宽光谱光谱仪器上，作为光谱仪的探测器件。将传统光谱仪器的光谱检测范围拓宽到190—1100nm. 实现紫外探测和紫外分析。具有较强的市场推广应用价值。

北京大学物理学院“极端光学创新研究团队”王剑威研究员和龚旗煌院士领导的课题组，与英国、丹麦、奥地利和澳大利亚的学者合作，实现了硅基集成光量子芯片上的多体量子纠缠和芯片-芯片间的量子隐形传态功能，为芯片上光量子信息处理和计算模拟的应用，奠定了坚实的基础。相关研究成果于近日发表在国际顶级物理期刊Nature Physics(https://www.nature.com/articles/s41567-019-0727-x)。 集成光量子芯片技术，结合了量子物理、量子信息和集成光子学等前沿学科，通过半导体微纳加工制造高性能且大规模集成的光量子器件，实现对光量子信息的高效处理、计算和传输等功能。其中，利用硅基平面光波导集成技术的光量子芯片具有诸多独特优势，包括集成度高、稳定性好、编程操控性优越和可单片集成核心光量子器件等，因此被认为是一种实现光量子信息应用的重要手段之一。 A. 硅基量子隐形传态和多光子量子纠缠芯片的示意图，左上角为集成量子光源的电子显微镜图；B. 量子隐形传态的量子线路图；C. 量子纠缠互换的量子线路图；D. GHZ纠缠制备的量子线路图 北京大学研究团队与布里斯托尔大学、丹麦科技大学、奥地利科学院、赫瑞-瓦特大学和西澳大利亚大学科研人员密切合作，在硅基光量子芯片技术和应用方面取得了突破性进展。研究团队发展了一种基于微环谐振腔的高性能集成量子光源，通过硅波导的强四波混频非线性效应，实现了光子全同性优于90%、无需滤波后处理的50%触发效率的单光子对源，达到了对4组微腔量子光源阵列的相干操控，片上双光子量子纠缠源的保真度达到了92%。团队实现了关键的可编程片上双比特量子纠缠门，可以按照功能需要切换贝尔投影测量和量子比特焊接操作，通过量子态层析实验确认了高保真的双比特纠缠操作。 研究团队在单一硅芯片上实现了高性能量子纠缠光源、可编程双比特量子纠缠门，以及可编程单量子比特测量的全功能集成，进而实现了三种核心量子功能模块——芯片上四光子真纠缠、量子纠缠互换、芯片-芯片间的高保真量子隐形传态。通过对两对纠缠光子对进行量子比特焊接操作，团队实现并判定了四比特Greenberger-Horne-Zeilinger (GHZ) 真量子纠缠的存在；通过对两对纠缠光子中各一个光子进行贝尔投影操作，实现了量子纠缠互换功能，使来自不同光子源的光子间产生了量子纠缠；利用两个芯片间的量子态传输和量子纠缠分布技术，实现了两个芯片间任意单量子比特的量子隐形传态，达到了近90%的隐形传态保真度。 团队研制的硅基多光子量子芯片尺寸仅占几平方毫米，比传统实现方法小了约5-6个数量级，不仅达到了器件的微型化，同时具备了单片全功能集成、器件编程可控、系统性能优越等特点，其中量子隐形传态保真度优于已报道的其它物理实现方法。多体量子纠缠体系的片上制备与量子调控技术，为片上量子物理基础研究和片上光量子信息处理传输、量子计算模拟的应用提供了重要基础。